本发明涉及功率电力电子器件，功率集成电路，功率微波器件，功率led等器件封装用的高导热封装基板，属于功率半导体封装领域和热管理领域。
背景技术：
封装技术对于发挥功率半导体器件的功能至关重要。良好电隔离和热管理，最小的寄生电容，极少的分布电感，都要通过精心设计封装结构来实现。功率半导体器件工作时产生的功耗转换成热能，使器件温度升高。半导体器件功耗超过一个临界值，就会造成热不稳定和热击穿。同时，器件的许多参数也会因温度升高而受到不良影响，如p-n结反向电流会按指数规律增大，双极器件的关断时间变长，晶闸管的转折电压降低。热击穿严重时，导致器件失效，造成经济损失和事故。因此限制功率半导体器件的管芯温度不超过一定值就显得非常重要。而这一措施是通过封装实现的。功率模块封装技术，使用陶瓷基板直接键合铜（directbondingcopper缩写dbc），一面铜箔封装器件，另一面作为模块底面用于和铜底板连接，或者与铝碳化硅底板连接，或者用来直接散热片连接。目前功率模块和散热片之间通过导热膏紧密结合。而导热膏的热阻高，影响管芯热量扩散出去。因此采用新的封装结构，减少热传递回路的整体热阻，加快管芯热量的快速导出，是功率半导体封装技术要解决的首要问题。
技术实现要素：
为此，本发明要解决的技术问题是减少热传递回路的整体热阻，加快管芯热量的散发速度，功率器件运行在安全温度下，发挥功率器件效能，延长使用寿命。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是微热管和陶瓷基板铜箔冶金结合，热阻减小，同时依靠微热管的高效传热性能，使得管芯温度始终维持在安全温度，保证功率半导体模块的安全、长期、可靠运行。
附图说明
图1高导热封装基板结构图图中：1金属层，2陶瓷，3微热管。