技术总结
本发明公开了一种集成电流传感器的SiC晶体管器件，所述SiC晶体管器件的源极一侧、有源区内按设定比例均匀选取若干个原胞作为源传感器，其他的原胞作为器件源极的原胞，即主原胞；同时采用源极的多层布线方式使源极压块金属与所述源传感器的压块金属处于一个平面上；所述源传感器的栅极与SiC晶体管器件的栅极都是相连的，共用栅极压块金属，并且共用漏极。本申请不仅可以实时地监控芯片的电流，而且能够全面地反应整个芯片内的电流状况；可以得到实时的、非常准确的数据；以利于系统进行及时的控制保护。
技术研发人员：倪炜江;张敬伟;李明山;袁俊;卢小东;徐妙玲
受保护的技术使用者：北京世纪金光半导体有限公司
文档号码：201710129027
技术研发日：2017.03.06
技术公布日：2017.06.09