技术特征：
技术总结
本发明公开了一种碳纳米管阵列电容器的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：（1）超顺排碳纳米管阵列的制备；（2）碳纳米管薄膜的制备；（3）碳纳米管薄膜结构的形成；（4）碳纳米管阵列电容器的制备。本发明的碳纳米管阵列电容器制备方法简单易行，碳纳米管具有良好的导电性能且本身的比表面积大，制得的超级碳纳米管阵列电容器具有较高的比电容量和电导率；碳纳米管薄膜结构包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管，相邻的碳纳米管之间存在多个微孔结构，使得碳纳米管薄膜结构中形成大量的均匀且规则分布的微孔结构，这有利于形成导电性良好的电荷通路。
技术研发人员：徐仙峰
受保护的技术使用者：合肥择浚电气设备有限公司
技术研发日：2017.07.04
技术公布日：2017.11.07