1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
缓冲层，设置在所述衬底上；
势垒层，设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧；
钝化层，设置在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧；
第一阳极接触孔，贯穿所述钝化层且伸入所述势垒层但不贯穿所述势垒层；
介质层，设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极接触孔内；
第二阳极接触孔，贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层但不贯穿所述势垒层；
阳极，包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述介质层远离钝化层的一侧、以及延伸至所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔内以覆盖位于所述第一阳极接触孔底部的所述介质层和所述第二阳极接触孔底部，所述第二金属层设置在所述第一金属层上且填充所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔；
阴极接触孔，贯穿所述介质层和所述钝化层；
阴极，设置在所述介质层上以及填充所述阴极接触孔；
场板，设置在所述介质层上、且位于所述阳极和所述阴极之间的区域内。
2.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体基板；
钝化层，设置在所述半导体基板上；
第一阳极接触孔，贯穿所述钝化层且伸入所述半导体基板但不贯穿所述半导体基板；
介质层，设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧以及所述第一阳极接触孔内；
第二阳极接触孔，贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述半导体基板但不贯穿所述半导体基板；
阳极，包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述介质层远离钝化层的一侧、以及延伸至所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔内以覆盖位于所述第一阳极接触孔底部的所述介质层和所述第二阳极接触孔底部，所述第二金属层设置在所述第一金属层上且填充所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔；
阴极接触孔，贯穿所述介质层和所述钝化层；
阴极，设置在所述介质层上以及填充所述阴极接触孔。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基板包括：衬底；氮化镓缓冲层，设置在所述衬底上；以及氮化铝镓势垒层，设置在所述氮化镓缓冲层远离所述衬底的一侧。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括场板，所述场板设置在所述介质层上、且位于所述阳极和所述阴极之间的区域。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层、所述阴极和所述场板分别为多层金属结构。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括肖特基势垒二极管，且所述肖特基势垒二极管具有所述阳极、所述场板和所述阴极。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体基板；
钝化层，设置在半导体基板上；
阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板但不贯穿所述半导体基板、以及所述第一延伸部远离所述主体部的端部和所述半导体基板之间设置有介质层，所述第二延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板但不贯穿所述半导体基板、以及所述第二延伸部远离所述主体部的端部与所述半导体基板形成肖特基接触；
阴极，贯穿所述钝化层、且所述阴极的端面与所述半导体基板形成肖特基接触。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基板包括：衬底；氮化镓缓冲层，设置在所述衬底上；以及氮化铝镓势垒层，设置在所述氮化镓缓冲层远离所述衬底的一侧。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括场板，所述场板设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧且位于所述阳极和所述阴极之间的区域。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述阳极由层叠的第一数量金属层构成，所述阴极和所述场板由层叠的第二数量金属层构成，且所述第一数量大于所述第二数量。