技术总结
本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层，设置在半导体基板上；阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第一延伸部远离所述主体部的端部和所述半导体基板之间设置有介质层，所述第二延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第二延伸部远离所述主体部的端部与所述半导体基板形成肖特基接触；阴极，贯穿所述钝化层、且所述阴极的端面与所述半导体基板形成肖特基接触。
技术研发人员：林信南;刘美华;刘岩军
受保护的技术使用者：深圳市晶相技术有限公司
技术研发日：2018.09.26
技术公布日：2019.08.20