1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一衬底，所述第一衬底具有第一表面并包括第一电极；
第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上，所述第一凸块焊盘连接到所述第一电极；
第二衬底，所述第二衬底具有面对所述第一衬底的所述第一表面的第二表面，所述第二衬底包括第二电极；
第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上，所述第二凸块焊盘具有从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构，所述第二凸块焊盘连接到所述第二电极，所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括凹陷结构，所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向；以及
凸块结构，所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘，所述凸块结构具有突出通过所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构填充所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第二电极的一部分被所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构暴露以提供所述第二电极的暴露部分，
其中，所述第二电极的暴露部分与所述凸块结构接触。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构相对于所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构以90°、180°或270°的旋转角度定向。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构包括以直角彼此邻接的三个侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述第一凸块焊盘在俯视图中具有圆形形状；并且
所述第二凸块焊盘在俯视图中具有多边形形状。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
粘附膜，所述粘附膜围绕所述第一凸块焊盘、所述第二凸块焊盘和所述凸块结构。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一电极和所述第二电极均包括贯穿硅通路。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述第一衬底包括半导体衬底；并且
所述第二衬底包括印刷电路板。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
第三衬底，所述第三衬底具有第三表面，所述第三表面面对所述第二衬底的所述第二表面的相对表面，所述第三衬底包括第三电极；
第三凸块焊盘和邻近的第三凸块焊盘，所述第三凸块焊盘和所述邻近的第三凸块焊盘位于所述第三衬底的所述第三表面上，所述第三凸块焊盘具有在一个方向上定向的凹陷结构，所述第三凸块焊盘连接到所述第三电极，所述邻近的第三凸块焊盘邻近所述第三凸块焊盘并包括凹陷结构，所述邻近的第三凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第三凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向；以及
与所述第三凸块焊盘接触的另一凸块结构，所述另一凸块结构具有突出通过所述第三凸块焊盘的所述凹陷结构的部分。
11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一衬底，所述第一衬底具有第一表面；
第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上；
第二衬底，所述第二衬底具有与所述第一衬底的所述第一表面相对定位的第二表面；
第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上，所述第二凸块焊盘具有两个凹陷结构，所述两个凹陷结构各自从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷，所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括两个凹陷结构，并且沿着所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构延伸的第一虚拟线垂直于沿着所述邻近的第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构延伸的第二虚拟线；以及
凸块结构，所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。
12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述第二衬底的所述第二表面的一部分被所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构暴露以提供所述第二衬底的所述第二表面的暴露部分，
所述凸块结构填充所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构，并且
所述第二表面的所述暴露部分与所述凸块结构接触。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构突出通过所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构。
14.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构朝向所述第二凸块焊盘的所述中心彼此面对。
15.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中，
所述第一凸块焊盘在俯视图中具有圆形形状，并且
所述第二凸块焊盘在俯视图中具有h形状。
16.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一衬底，所述第一衬底具有第一表面并包括第一贯通电极；
第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上，所述第一凸块焊盘连接到所述第一贯通电极；
第二衬底，所述第二衬底具有与所述第一衬底的所述第一表面相对定位的第二表面，所述第二衬底包括第二贯通电极和其他第二贯通电极；
第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上，所述第二凸块焊盘具有从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构，所述第二凸块焊盘连接到所述第二贯通电极，所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括凹陷结构，所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向，所述邻近的第二凸块焊盘中的对应一个邻近的第二凸块焊盘连接到所述其他第二贯通电极中的至少两个其他第二贯通电极；以及
凸块结构，所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。
17.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块焊盘具有至少一个凹陷结构。
18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，
所述第二凸块焊盘的所述至少一个凹陷结构包括两个凹陷结构；并且
沿着所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构延伸的第一虚拟线垂直于沿着所述邻近的第二凸块焊盘中的所述对应一个邻近的第二凸块焊盘的两个凹陷结构延伸的第二虚拟线。
19.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，
所述第二贯通电极未被所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构暴露，并且
所述凸块结构不与所述第二贯通电极直接接触。
20.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，
所述第一衬底和所述第二衬底包括半导体器件；并且
所述半导体器件包括高带宽存储器。