专利名称：半导体晶片的热处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶片的热处理装置，特别涉及能同时处理多个半导体晶片的热处理装置。
通常，在每一批晶片多掺杂工艺过程中，分别从两端和中部选取三个晶片，用作晶片监视器，测试经热处理后的阻值。
由于半导体晶片没有专门的热处理装置，因此用于扩散工艺的装置也用作晶片的热处理。如
图1所示，是一种传统的半导体晶片的热处理装置，在热处理装置1的一边有前门3，装满晶片的盒体放在盒架2上。(图1未表示该盒体)。盒架2上的盒体由自动盒体输送器向上送至上盒端5并固定。
上盒端5的盒体由自动盒体输送器4向下送至下盒端6。晶片转移装置7将下盒端6处盒体里的晶片取出，然后放入加热盘8，由加热盘升降装置9将装有晶片的加热盘8送入加热容器10。
当晶片的热处理程序完成以后，加热盘升降装置9使加热盘8离开加热容器向下移动。而且，由晶片转移装置7将加热盘8里的晶片移至下盒端6的盒体里，自动盒体输送器4又把该盒体向上送到上盒端5。
如上所述，由于传统的热处理装置结构复杂，因此，一个循环工序需要相当长的时间。
另外，由于传统的热处理装置每一个循环只处理3个晶片，即每个循环处理的晶片数有限，因而也影响其加工周期。甚至，当增加每个循环工序所监测的晶片数量时，晶片累积到适当数时则热处理工序将受到抑制。
由此可见，传统的热处理装置由于其复杂的结构及操作特性，所以，该装置效率低且耗费时间。此外，长的加工时间也影响后续的工序，以致延缓了半导体元件自身的制作工艺。
本发明涉及半导体晶片的热处理装置，它实质上克服了现有技术存在的缺点。
本发明的目的在于提供一种半导体晶片的热处理装置。该装置结构简单，加工效率高，成本低，操作容易。
本发明的另一个目的在于提供一种半导体晶片的热处理装置，该装置能缩短热处理循环时间，使后续的工艺过程加快。
下面结合实例对本发明的优点及其结构进行详细的说明，在说明书、权利要求及附图中将具体地指出如何实现本发明，以及本发明的别的优点。
根据本发明的目的，为实现这些和其它优点，按本发明的半导体晶片的热处理装置包括带加热室，等待室，及盒体台面的工作台；一个装满晶片被送入加热室的加热盘；加热盘输送装置，它在加热室和等待室之间移动，用于传送加热盘；晶片装入机构，将盒体中的晶片装入加热盘；晶片卸料机构，用于将加热盘中的晶片卸出并装入盒体中。
加热室的门最好设在主加热室和等待室之间，前门在等待室和盒体台面之间，且在盒体台面上有一些开关和一个监视器。
图1是传统热处理装置的透视图。
图2是按本发明的热处理装置的透视图。
图3是按本发明的热处理装置的晶片装料机构的正视图。
图4是按本发明的热处理装置的加热盘输送装置的正视图。
图5是按本发明的热处理装置的晶片卸料机构的正视图。
图6、7是按本发明的热处理装置的工艺步骤的透视图。
下面结合附图及最佳实施例，对本发明作更详细的说明。
图2是按本发明的热处理装置的透视图。
工作台21上有一加热室22，等待室23及与等待室连在一起的盒体台面24。加热盘25设在等待室23中，当加热盘25装满晶片则被送入加热室22。盒体26在盒台面24上，该盒体装有将进行热处理的晶片。
盒体台面24上的晶片装料机构30把盒体台面24上的盒体26里的晶片装入加热盘25，该加热盘位于等待室23中。加热盘输送装置40装在等待室23，其作用是将加热盘从等待室送至加热室，或者与之相反。晶片卸料机构50装在等待室23，其作用是把加热盘25里的晶片推出并装入盒体台24上的盒体26。
如图3所示，晶片装料机构30包括一对传动轮32、33，钢丝绳34连接传动轮两端，用低速电机31驱动，其中推杆35固定在钢丝绳34上，以致推杆可以前后移动。
如图4所示，加热盘输送装置40包括由低速电机41驱动的一对传动轮，钢丝绳44连接传动轮两端，加热盘运送器45装在钢线绳44上，并随着钢丝绳前后移动。
如图5所示，是晶片卸料机构50，第一丝杆52装在基座51的一边，一对第一导杆53装在基座51两边，与晶片输送装置的运动方向一致。横向支架54与第一丝杆52和第一导杆52垂直，并由第一低速电机55带动作前后移动。第二丝杆56和第二导杆57并排装在横向支架54的一边，卸料推杆58穿过第二丝杆56和第二导杆57与其连接，并由第二低速电机59驱动作前后移动，其运动方向垂直于晶片的传送方向。
相对于第二丝杆56和第二导杆57而言，卸料推杆58由垂直杆58a和水平杆58b组成，在需要卸出晶片时，由推杆把加热盘25中的晶片推出。本发明的优点还在于加热门27装在加热室22和等待室23之间，前门28装在等待室23和盒体台面24之间，因此，两个门的开/关是与晶片的输送一致。此外，在盒体台面24上装有一些开关24a和一个监视器24b。
根据半导体元件加工工艺的要求，晶片经过每一道工序，每一批都应抽检三个晶片，用监视器予以测试，每3-5批则有9-15片的晶片测试，将其装入盒体26作为一个循环工序。
参照图2，当该热处理装置开始启动时，前门28打开，低速电机31带动送料推杆35把盒体26中的晶片送入加热盘25，加热盘25置于加运送器45上，而该运送器则位于待加热室23，然后，低速电机31反向转动，使送料杆35返回原位，前门28关闭。
接着，加热门27打开，低速电机带加热盘运送器45把装有晶片的加热盘25送到加热室22的平台29。
低速电机41反向转动，使加热盘运送器45返回等待室23。加热室门27开闭，加热盘25里的晶片在加热室22进行退火处理。
加热室一个循环工序可处理9-15个晶片，因此，晶片的热处理过程不会太长。
晶片经过退火处理以后，加热门27打开，低速电机41带动加热盘输送装置40的加热盘运送器45使加热盘25离开主加热室22，加到等待室23，加热门27关闭。随后，前门28打开，晶片卸料机构50的卸料推杆58由第二低速电机带动沿着加热盘25的路线朝着晶片电输送的相反方向移动，如图7如示。
第一低速电机55带动支架54向加热盘25移动，致使卸料推杆将经过退火处理的晶片推入盒体26，卸料推杆与横向支架54连接，盒体26在盒体台面24上。到此，热处理工序结束，卸料推杆退回原位，热处理装置又做好准备为下一批新检查的晶片工作。
此外，该热处理装置既可进行自动化控制，也可以通过盒台面24上的一些开关24a进行手工操作，而且，通过盒体台面24上的监视器24b，可以监视全部加工过程。
如上所述，由于本发明所述的热处理装置结构简单，效率高，因此，该装置缩短了加工循环周期，降低了消耗。同时，因为该装置运作迅速，所以也提高了半导体元件的加工效率。
在此应当指出，只要不脱离本发明的范围或精神，本行业的技术人员可以对该半导体晶片的热处理装置进行各种更改。而且，本发明的各种变化及它们的等同物均包括属要求保护的范围。
权利要求
1.一种半导体晶片的热处理装置，用该装置对半导体晶片进行成批热处理，其包括一个加热室，一个等待室，及与其连为一体的盒体台面；一个装有晶片的加热盘放在所述的加热室；一个加热盘输送装置使所述的加热盘在等待室和加热室之间移动；晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘；而晶片卸料机构则是将加热盘中的晶片卸出放到盒体中。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于加热门设在加热室和等待室之间，而前门设在等待室和盒体台面之间。
3.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于在盒体台面上装有一些开关和一台监视工艺过程的监视器。
4.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于所述的晶片装料机构包括一对用钢丝绳连接的传动轮；一个可正反转的驱动传动轮的低速电机；以及一个装晶片的装料推杆固定在钢丝绳上，随着低速电机的转动，推杆作前后移动。
5.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，加热盘输送装置包括一对用钢丝绳连接的传动轮；一个可正反转的驱动传动轮的低速电机；以及一个传送加热盘的加热盘运送器固定在钢丝绳上，随着低速电机的转动，运送器作前后移动。
6.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于晶片卸料机构包括一个基座，在基座的两端沿晶片的传输方向，装有第一丝杆和一对第一导杆，第一丝杆和第一导杆穿过一横向支架，并与其连接；第一低速电机带动支架前后移动；第二丝杆和第二导杆装在横向支架上，与晶片的传送方向成正交；装卸晶片的卸料推杆装在第二丝杆和第二导杆上；而且第三低速电机使卸料推杆前后移动，其运动方向与晶片传送方向垂直。
7.根据权利要求6所述的热处理装置，其特征在于卸料推杆由水平边和垂直所述水平框架的垂直边构成，使晶片卸料时容易移动。
全文摘要
本发明涉及半导体晶片未测试电阻之前,对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括:加热室、等待室、及盒体台面;加热盘用于装晶片,并运送晶片进入加热室;运送加热盘的加热盘运送器在等待室和加热室之间移动;晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘;晶片卸料机构则是将加热盘中的晶体取出,并装入盒体。
文档编号H01L21/67GK1175790SQ9711126
公开日1998年3月11日 申请日期1997年5月3日 优先权日1996年9月5日
发明者南基钦, 李炳官, 金东浩, 安雄宽 申请人:三星电子株式会社