如可在微米范围中调节。因此，第二接触机构
7.1、7.2、7.3的材料量在该实施方式中一般是不同的。第一接触机构5.1、5.2、5.3的材料量在该实施方式中基本上相同。
[0036]因此，第二接触高度24.1、24.2、24.3有利地如此调节，使得在附图中为清楚起见而没有示出的总高度23.1+24.1 ；23.2+24.2 ；23.3+24.3——其由第一接触高度23.1 =23.2 = 23.3和第二接触高度24.1,24.2,24.3的和产生——分别等于在相应的接触机构5、5.1、5.2、5.3的区域中第一表面4与第二表面6的所求取的间距。
[0037]装配和接触随后在图6中通过沿接合方向F、也就是在此Z方向挤压或压紧芯片2来实现。附加地例如可以将不导电的粘合剂13置入到表面区域11中，所述不导电的粘合剂确保装配。粘合剂13在接触机构之间被压出并且粘附地或粘合地起作用，其中，粘合剂13也可以覆盖第二表面6。在该装配过程或挤压中第二接触机构7.1,7.2,7.3 一般变形，必要时第一接触机构5.1、5.2、5.3也变形。
[0038]通过根据从图5到图6的接触步骤或接合步骤，第一表面轮廓26和第二表面轮廓27基本上平行地或以恒定的间距走向，也基本上同时实现接触，从而基于例如静态充电的不期望的放电可以通过多个接触机构流出并且避免损坏。力导入(Krafteinleitung)在多个接触机构上在接合过程期间是均匀的，其中，在根据图6的构造中也实现在不同的触点或第一接触机构5.1,5.2,5.3和第二接触机构7.1,7.2,7.3上均匀的力导入。因此，电连接是均匀的，即使较小的高度也可以避免在例如沿横向方向X、y在外部的接触机构也就是在图5中接触机构5.1,7.1以及5.3和7.3上的机械应力峰值。
[0039]根据图7和8的第二实施方式，不同地调节第一接触机构5.1,5.2,5.3的第一接触高度23.1,23.2,23.3。这尤其可以在电沉积方法中实现。
[0040]根据图7，在求取图3的高度轮廓22之后基本上调节平坦的第一表面轮廓26和平坦的第二表面轮廓27，其方式是，第一接触机构5.1,5.2,5.3补偿第一表面4的高度轮廓22。而且在此由此已经在接合过程期间存在恒定间距，也就是恒定的总高度作为第一和第二接触高度的和23.1+24.1 ；23.2+24.2 ；23.3+23.3，从而在根据图8的接合中——其中，又可以施加不导电的胶粘剂13—基本上同时实现接触，并且在此在不同的接触机构上的机械负荷或力导入基本上也是恒定的。因此，在此不仅避免了机械应力峰值而且避免了错误接触。
[0041]此外，能够实现混合的实施方式，其中，改变第一接触高度23.1,23.2,23.3和第二接触高度 24.1,24.2,24.3。
[0042]原则上可以在图5和7的步骤之后首先再次测量如此示出的构造，其中，尤其在图7中能够实现简单的目视检查:是否基本上构成平坦的表面轮廓26和27。然而原则上不需要这样的检查。
[0043]胶粘剂13可以施加到第一表面4和/或第二表面6上。
[0044]因此，在图6和图8中分别能够实现由电路载体1、单片芯片元件2和电接触组成的电路装置3，所述电接触分别由第一接触机构5.1和第二接触机构7.1组成，其中，i =1、2、3。该接触机构或接触桥的材料量相应地进行区分，以便算出图3的所求取的高度轮廓22。
【主权项】
1.一种用于制造倒装芯片电路装置(3)的方法，所述方法具有至少以下步骤: 制造或提供具有第一表面(4)的电路载体(I)以及具有第二表面(6)的单片半导体元件⑵； 求取所述电路载体⑴的第一表面⑷的高度轮廓(22)； 施加第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)到所述第一表面(4)上并且施加分配给所述第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)的第二接触机构(7、7.1,7.2,7.3)到所述第二表面(6)上，其中，根据所求取的高度轮廓(22)选择所述第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)的第一接触高度(23.1、23.2、23.3)和/或所述第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)的第二接触高度(24.1、24.2,24.3)， 在所述电路载体(I)上装配所述半导体元件(2)，并且通过安放所述第二接触机构(7、7.1,7.2,7.3)到所述第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)上以及挤压所述半导体元件(2)与所述电路载体(I)在第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)和/或所述第二接触机构(7、7.1,7.2、7.3)变形的情况下构造在所述第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)与所述第二接触机构(7、7.1、7.2,7.3)之间的电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，由所述第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)的第一接触高度(23.1,23.2,23.3)和相应的第二接触机构(7、7.1,7.2,7.3)的第二接触高度(24.1,24.2,24.3)的和形成的总高度相应于在所述第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)的区域中所述第一表面(4)与所述第二表面￠)的所求取的间距。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据所求取的高度轮廓(22)选择多个第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)和/或多个第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)的材料量。
4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，仅仅在所述第一表面(4)的第一表面区域(11)中求取所述高度轮廓(22)，在所述第一表面区域中能够构造所述第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)。
5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在构造所述电连接之前将不导电的粘合剂(13)涂覆到所述第一表面⑷和所述第一接触机构(5)上，并且所述粘合剂(13)在挤压和构造所述电连接时或之后硬化。
6.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，以触觉式和/或无触碰式方法借助第一测量装置(9)和/或第二测量装置(10)求取所述高度轮廓(22)。
7.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由具有所述第一接触高度(23.1,23.2,23.3)的第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)形成的第一表面轮廓(26)在由制造决定的公差内具有与由具有所述第二接触高度(24.1、24.2、24.3)的第二接触机构(7、7.1,7.2,7.3)形成的第二表面轮廓(27)相同的形状。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述电连接的构造中如此设置部件(1、2)，使得所述第一表面轮廓(26)大致平行于所述第二表面轮廓(27)。
9.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过测量所述第一或第二表面(4、6)的高度相对于参考高度(21)确定所述高度轮廓(22)。
10.一种倒装芯片电路装置(3)，其至少具有: 电路载体(I)，多个第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)设置在所述电路载体上； 单片半导体元件(2)，其具有接触面(8)，多个第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)设置在所述接触面上，其中，第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)与第二接触机构(7、7.1,7.2,7.3)通过挤压接触，其中，所述多个第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)的材料量大小不同和/或多个第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)的材料量大小不同。
11.根据权利要求10所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，通过所述第一接触机构(5、5.1,5.2,5.3)形成的第一表面轮廓(26)大致平行于通过所述第二接触机构(7、7.1、7.2,7.3)构造的第二表面轮廓(27)。
12.根据权利要求10或11所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，所述电路载体(I)是注塑的。
【专利摘要】本发明涉及一种用于制造倒装芯片电路装置(3)的方法，所述方法具有至少以下步骤：制造或提供具有第一表面(4)的电路载体(1)以及具有第二表面(6)的单片半导体元件(2)；求取所述电路载体(1)的第一表面(4)的高度轮廓；施加第一接触机构到所述第一表面(4)上并且施加分配给所述第一接触机构的第二接触机构到所述第二表面(6)上，其中，根据所求取的高度轮廓选择所述第一接触机构的第一接触高度和/或所述第二接触机构的第二接触高度，在所述电路载体(1)上装配所述半导体元件(2)，并且通过安放所述第二接触机构到所述第一接触机构上以及挤压所述半导体元件(2)与所述电路载体(1)在所述第一接触机构和/或所述第二接触机构变形的情况下构造在所述第一接触机构与所述第二接触机构之间的电连接。
【IPC分类】G01B11-30, H01L23-50, H01L21-603, H01L23-488, H01L21-58
【公开号】CN104617003
【申请号】CN201410609759
【发明人】F·里希特
【申请人】罗伯特·博世有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年11月3日
【公告号】DE102013222433A1, US20150123291