散的方法对所述轻掺杂的外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层403 ;采用双面扩散的方法对所述第二硅片402的两侧进行掺杂，在所述第二硅片402的两侧形成重掺杂层；去除所述第二硅片402—侧的重掺杂层，以暴露出第二硅片402的轻掺杂区域，并使所述第二硅片402另一侧的重掺杂层作为待形成缓冲层403。
[0094]步骤S43:采用键合工艺将所述第一硅片401和所述第二硅片402键合在一起，形成键合硅片，使所述键合硅片的中间区域为所述待形成缓冲层403，两侧区域中属于所述第一硅片的区域为衬底，属于所述第二硅片的区域为待形成漂移区。
[0095]在上述步骤S43之后，形成正面结构和漂移区、去除衬底、形成集电区、集电区金属层的操作步骤与实施例一中步骤S24?步骤S26相对应的步骤相同，在此不再赘述。
[0096]本实施所提供的制作方法，除能够提高IGBT的整体性能，降低IGBT的制作成本夕卜，更进一步的优点在于:由于器件的缓冲层是第一硅片和第二硅片上的待形成缓冲层键合形成的，第一硅片和第二硅片上的待形成缓冲层的厚度和掺杂浓度均可以不同，因此最终形成的缓冲层的掺杂分布可以更复杂，从而能够进一步的精细优化IGBT的性能。
[0097]虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括: 提供第一硅片和第二硅片，所述第二硅片为轻掺杂的硅片； 在所述第一硅片和/或所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层，并使所述待形成缓冲层与所述第二硅片的掺杂类型相同； 采用键合工艺将所述第一硅片和所述第二硅片键合在一起，形成键合硅片，使所述键合硅片的中间区域为所述待形成缓冲层，两侧区域中属于所述第一硅片的区域为衬底，属于所述第二硅片的区域为待形成漂移区； 在所述待形成漂移区背离所述待形成缓冲层的一侧内形成正面结构，并使所述待形成漂移区除所述正面结构外的区域作为漂移区； 去除所述衬底，以暴露出所述待形成缓冲层； 在所述待形成缓冲层背离所述漂移区的一侧内形成重掺杂的集电区和集电区金属层，使所述集电区与所述第二硅片的掺杂类型相反，并使所述待形成缓冲层除所述集电区和所述集电区金属层外的区域作为缓冲层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和/或所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层具体为:在所述第一硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 米用外延的方法在所述第一娃片的一侧生长外延层； 采用原位掺杂的方法对所述外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 采用外延的方法在所述第一硅片的一侧生长轻掺杂的外延层； 采用离子注入或热扩散的方法对所述轻掺杂的外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和/或所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层具体为:在所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括:采用离子注入或热扩散的方法对所述第二硅片的一侧进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 采用双面扩散的方法对所述第二硅片的两侧进行掺杂，在所述第二硅片的两侧形成重掺杂层； 去除所述第二硅片一侧的重掺杂层，以暴露出第二硅片的轻掺杂区域，并使所述第二硅片另一侧的重掺杂层作为待形成缓冲层。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和/或所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层具体为:在所述第一硅片和所述第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和所述二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 米用外延的方法在所述第一娃片的一侧生长外延层； 采用原位掺杂的方法对所述外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层； 采用离子注入或热扩散的方法对所述第二硅片的一侧进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和所述二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 采用外延的方法在所述第一硅片的一侧生长轻掺杂的外延层； 采用离子注入或热扩散的方法对所述轻掺杂的外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层； 采用离子注入或热扩散的方法对所述第二硅片的一侧进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层。
11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和所述二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 米用外延的方法在所述第一娃片的一侧生长外延层； 采用原位掺杂的方法对所述外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层； 采用双面扩散的方法对所述第二硅片的两侧进行掺杂，在所述第二硅片的两侧形成重掺杂层； 去除所述第二硅片一侧的重掺杂层，以暴露出第二硅片的轻掺杂区域，并使所述第二硅片另一侧的重掺杂层作为待形成缓冲层。
12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硅片和所述二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层包括: 采用外延的方法在所述第一硅片的一侧生长轻掺杂的外延层； 采用离子注入或热扩散的方法对所述轻掺杂的外延层进行掺杂，形成重掺杂的待形成缓冲层； 采用双面扩散的方法对所述第二硅片的两侧进行掺杂，在所述第二硅片的两侧形成重掺杂层； 去除所述第二硅片一侧的重掺杂层，以暴露出第二硅片的轻掺杂区域，并使所述第二硅片另一侧的重掺杂层作为待形成缓冲层。
13.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述键合工艺为硅片直接键合工艺、场致键合工艺或低温键合工艺。
14.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述正面结构为平面型结构或沟槽型结构。
15.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二硅片的掺杂类型为N型。
16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述第二硅片的晶面指数为[100]。
【专利摘要】本发明提供了一种IGBT的制作方法，包括：提供第一硅片和第二硅片，第二硅片为轻掺杂的硅片；在第一硅片和/或第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层，并使待形成缓冲层与第二硅片的掺杂类型相同；采用键合工艺将第一硅片和第二硅片键合在一起，形成键合硅片，使键合硅片的中间区域为待形成缓冲层，两侧区域中属于第一硅片的区域为衬底，属于第二硅片的区域为待形成漂移区。上述方法通过键合工艺形成缓冲层和漂移区解决了外延工艺导致的自掺杂问题，有利于提高器件的关断速度；键合得到的漂移区比外延生长的漂移区的表面平整度好、缺陷少，有利于后道工序的进行，提高了器件的性能和成品率；并且键合工艺相对于外延工艺的制作成本更低。
【IPC分类】H01L21-335
【公开号】CN104637813
【申请号】CN201310574715
【发明人】张文亮, 朱阳军, 卢烁今, 喻巧群
【申请人】江苏物联网研究发展中心, 中国科学院微电子研究所, 江苏中科君芯科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月13日