作限定。需要说明的是，由于电子阻挡层109和空穴阻挡层110的材料是不同的，电子阻挡层109和空穴阻挡层110的厚度可以相同，也可以不同，在此不作限定。
[0036]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述顶发射型有机电致发光显示器件中，由于在有机电致发光显示器件内部，潮气或氧气的存在容易引起其特性的退化或失效，如图2d所示，该顶发射型有机电致发光显示器件还可以包括:设置在发光层103上的保护层111，该保护层的材质可以选择现有技术中阴极保护层的材质，这样可以杜绝来自周围环境的氧气和潮气进入器件内部接触到发光层中敏感的有机物质，可以保护整个器件避免受到腐蚀和氧化。
[0037]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述顶发射型有机电致发光显示器件的制作方法，由于该方法解决问题的原理与前述一种顶发射型有机电致发光显示器件相似，因此该方法的实施可以参见顶发射型有机电致发光显示器件的实施，重复之处不再赘述。
[0038]在具体实施时，本发明实施例提供的顶发射型有机电致发光显示器件的制作方法，如图3所示，具体包括以下步骤:
[0039]S301、在衬底基板上形成同层设置且相互绝缘的阳极和阴极的图形；
[0040]S302、在形成有阳极和阴极的衬底基板上形成发光层的图形。
[0041]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述顶发射型有机电致发光显示器件的制作方法中，步骤S301在衬底基板上形成同层设置且相互绝缘的阳极和阴极的图形时，为了避免阳极和阴极之间的电流导通时，发光层会缺少载流子流入，还可以包括:
[0042]在衬底基板上形成用于隔离阳极和阴极的绝缘层图形。
[0043]需要说明的是，在执行步骤S301在衬底基板上形成同层设置且相互绝缘的阳极和阴极的图形时，具体可以首先在衬底基板上形成阳极的图形，然后在形成有阳极的衬底基板上形成绝缘层的图形，最后在形成有阳极和绝缘层的衬底基板上形成阴极的图形；具体也可以首先在衬底基板上形成阴极的图形，然后在形成有阴极的衬底基板上形成绝缘层的图形，最后在形成有阴极和绝缘层的衬底基板上形成阳极的图形。具体对于在衬底基板上形成阳极、阴极、绝缘层的图形的先后顺序，在此不作限定。
[0044]下面以一个具体的实例详细的说明本发明实施例提供的顶发射型有机电致发光显示器件的制作方法，具体步骤如下:
[0045]1、在衬底基板100上形成阳极101的图形，如图4a所示；
[0046]在具体实施时，阳极101的结构可以为ITO/Ag/ITO，其中ITO物质可被IZ0、GIT0、GIZO等物质所替代，其中Ag物质起到反射的作用。
[0047]2、在形成有阳极101的衬底基板100上形成绝缘层104的图形，如图4b所示；
[0048]在具体实施时，绝缘层104的材料只要是绝缘性材料即可，可以是黑矩阵(BM)材料，也可以是聚苯乙烯(PS)材料，在此不作限定。
[0049]3、在形成有阳极101和绝缘层104的衬底基板100上形成阴极102的图形，如图4c所示；
[0050]在具体实施时，阴极102采用Mg/Ag合金，Ag起到反射作用及调节功函数及稳定Mg的作用，其中Mg/Ag物质可以被Li，K，Ca/Ag，AL物质所代替；阴极102可以采用蒸镀制作方式，将Ag与Mg混合来制成阴极，或者采用溅射法制作工艺制成，该阴极的厚度不在局限于原来结构的厚度，可以根据功耗等自由设计。
[0051]4、在形成有阳极101、绝缘层104和阴极102的衬底基板100上形成空穴注入层105、空穴传输层106、电子注入层107以及电子传输层108的图形，如图4d所示；
[0052]在具体实施时，在高真空蒸镀腔体中，依次形成空穴注入层105、空穴传输层106、电子注入层107以及电子传输层108的图形，利用精细金属掩膜板(FMM Mask)沉积电子注入层(EIL层)，EIL层的材料可以为碱金属氧化物Li20、LiB02、K2Si03、Cs2C03，也可以为碱金属醋酸盐，也可以为碱金属氟化物，在此不作限定；沉积空穴注入层(HIL层)，HIL层的材料可以为铜酞菁、PEDT, PSS、TNANA等材料；沉积空穴传输层(HTL层)，HTL层的材料为NPB、联苯二胺衍生物等；沉积电子传输层(ETL层)，ETL层的材料可以为喹啉衍生物、二氮蒽衍生物、含硅的杂环化合物、喔啉衍生物、二氮菲衍生物、全氟化寡聚物等。
[0053]5、形成发光层103的图形，如图4e所示；
[0054]在具体实施时，在下一个高真空蒸镀腔体中沉积发光层103，发光层(EML层)具体包括红色发光区域(R)、绿色发光区域(G)、蓝色发光区域(B)，发光层的以上三类发光区域可以分为荧光发光区域和磷光发光区域。红色发光区域的磷光材料可以为类DCJTB衍生物、星状DCM衍生物、多环芳香族碳氢化合物、含D/A架构的非掺杂型红光荧光材料等。绿色发光区域的荧光材料包括喹吖叮酮衍生物、香豆素衍生物、多环芳香族碳氢化合物等。蓝色发光区域的荧光材料包括二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、旋环双芴基衍生物、TBP、DSA-Ph、IDE-102等。磷光发光主体材料可以为含咔唑基团的主发光体材料、具有电子传输性质的主发光体材料等。而红色、绿色、蓝色的磷光掺杂材料可以为Pt错合物、Ir错合物、Eu错合物、Os错合物、FIrpic等。
[0055]6、在形成有发光层103上的衬底基板上形成保护层111的图形，如图4f所示；
[0056]在具体实施时，利用开放掩膜板(Open Mask)在发光层103上形成保护层111，保护整个器件避免受到腐蚀和氧化。
[0057]至此，经过具体实例提供的上述步骤I至6制作出了本发明实施例提供的上述顶发射型有机电致发光显示器件。
[0058]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述顶发射型有机电致发光显示器件，该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述顶发射型有机电致发光显示器件的实施例，重复之处不再赘述。
[0059]本发明实施例提供的一种顶发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置，该顶发射型有机电致发光显示器件包括:衬底基板，在衬底基板上同层设置且相互绝缘的阳极和阴极，以及设置在阳极和阴极上且分别与阳极和阳极电性相连的发光层，由于阳极和阴极都设置在发光层的下方，减少了光波传输的层数，从而减小由光波导效应导致的出光率损失，提高了器件的外量子效率，并且，减少了阴极对光的遮挡，避免原有结构上阴极不能做厚的缺陷，同时利用阳极和阴极的金属反射特征，增强光反射能力，进一步提升画面质量和显示效果。
[0060]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，包括:衬底基板，在所述衬底基板上同层设置且相互绝缘的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和阴极上且分别与所述阳极和阴极电性相连的发光层。
2.如权利要求1所述的顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，还包括:设置于所述阳极和阴极之间且用于隔离所述阳极和阴极的绝缘层。
3.如权利要求1所述的顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，发光层具体包括:发光颜色不同的多个发光区域，相邻两个所述发光区域共用一个电极，且共用的电极的极性均相同。
4.如权利要求1所述的顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，发光层具体包括:发光颜色不同的多个发光区域，一个发光区域与一个阴极和阳极相连。
5.如权利要求2所述的顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，还包括:在所述阳极和所述发光层之间层叠设置的空穴注入层和空穴传输层；和/或， 在所述阴极和所述发光层之间层叠设置的电子注入层和电子传输层。
6.如权利要求5所述的顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，还包括:设置在所述空穴传输层和所述发光层之间的电子阻挡层；和/或， 设置在所述电子传输层和所述发光层之间的空穴阻挡层。
7.如权利要求1-6任一项所述的顶发射型有机电致发光显示器件，其特征在于，还包括:设置在所述发光层上的保护层。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的顶发射型有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成同层设置且相互绝缘的阳极和阴极的图形； 在形成有所述阳极和阴极的所述衬底基板上形成发光层的图形。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成同层设置且相互绝缘的阳极和阴极的图形时，还包括: 在所述衬底基板上形成用于隔离所述阳极和阴极的绝缘层图形。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的顶发射型有机电致发光显示器件。
【专利摘要】本发明公开了一种顶发射型有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置，该顶发射型有机电致发光显示器件包括：衬底基板，在衬底基板上同层设置且相互绝缘的阳极和阴极，以及设置在阳极和阴极上且分别与阳极和阳极电性相连的发光层，由于阳极和阴极都设置在发光层的下方，减少了光波传输的层数，从而减小由光波导效应导致的出光率损失，提高了器件的外量子效率，并且，减少了阴极对光的遮挡，避免原有结构上阴极不能做厚的缺陷，同时利用阳极和阴极的金属反射特征，增强光反射能力，进一步提升画面质量和显示效果。
【IPC分类】H01L27-32, H01L51-56, H01L51-52
【公开号】CN104659068
【申请号】CN201510080227
【发明人】杨文斌, 常青, 黄锦豪, 王向楠
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年2月13日