电极板来说，其连接到至少两个ESD器件的静电输入端。
[0037]通过以上的实现结构，在ESD器件最终形成前，制作工艺中产生并聚集在大量栅线或数据线的静电就可以存储在上述电容结构中，当ESD器件最终形成后，如果电容中存储电能的电压达到击穿电压(也称之为极限电压或崩溃电压)使电容导通后，可以借助短路环和多个ESD器件释放静电。
[0038]对于本发明实施例中的ESD器件而言，在实际应用中，ESD器件通常包含薄膜晶体管(TFT)，其可以和阵列基板的TFT在同一个形成过程中形成，而且，ESD器件的实现结构可以有多种，虽然如此，但本发明实施例并不对此作出限定，以下仅以一种ESD器件的具体结构为例，对ESD器件的工作过程进行简要介绍:
[0039]图3是根据本发明实施例的ESD器件的一种实现结构的电路示意图。如图所示，此ESD器件的电路由两个薄膜晶体管构成，第一个薄膜晶体管的栅电极31和第一个薄膜晶体管的源电极32连接在一起，形成ESD器件的第一个外引线37。同时第二个薄膜晶体管的漏电极36与第一个薄膜晶体管的源电极32连接。与此类似，第二个薄膜晶体管的栅电极34和第二个薄膜晶体管的源电极35连接在一起，形成ESD器件的第二个外引线38。同时第一个薄膜晶体管的漏电极33与第二个薄膜晶体管的源电极35连接。
[0040]当高于第一个薄膜晶体管阈值电压的电压施加在第一个外引线37时，第一个薄膜晶体管被打开处于开启状态。因此第二个外引线38和第一个外引线37处于等电位状态，也就是说如果静电积累在第一个外引线37时，会通过此ESD器件传偷到第二个外引线38。当高于第一个薄膜晶体管阈值电压的电压施加在第二个外引线38时，第二个薄膜晶体管被打开处于开启状态。因此第二个外引线38和第一个外引线37处于等电位状态。同理，如果静电积累在第二个外引线38时，会通过此静电损伤保护器件传输到第一个外引线37，由此可以实现静电的双向分流。
[0041]对于本发明实施例提供的阵列基板，首先，在数据线(Data线)/栅线(Gate线)的末端设计一定面积的电容，这个电容可以起到两个作用:(1)在Array工艺中常规ESD组件形成之前，利用电容的储电能力实现了一定的防静电效果；(2)当存在较大电流的情况下可以利用高电压下的崩溃电流将电容导通。然后，在电容下方通过布线将短路环(Shortring)上的ESD器件短接。通过这样的结构，可以达到共同防护静电的目的，很大程度上增加了静电释放的通路，有效的达到了防静电的效果。
[0042]本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。此处不再结合附图进行说明。
[0043]为形成上述阵列基板，本发明实施例还提供了上述阵列基板的制作方法，图4是根据本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图，如图3所示，该流程包括以下步骤(步骤S402-步骤 S404):
[0044]步骤S402，在信号传输线上沿着信号传输方向从显示区延伸出的外围区内形成一延展部，并形成第一导电极板，其中，所述第一导电极板和所述延展部的至少一部分交叠，以在静电释放(ESD)器件形成前形成一电容结构；
[0045]步骤S404，形成所述ESD器件，其中，所述第一导电极板与所述ESD器件的静电输入端电连接。
[0046]在本发明实施例中，所述信号传输线为栅线或数据线。对于两种情况，形成上述电容结构的过程如下:
[0047](I)在所述信号传输线为栅线的情况下，形成所述第一导电极板包括:在形成所述数据线的过程中形成所述第一导电极板。
[0048]也就是说，在形成栅线的过程中就形成上述延展部，然后在形成数据线的过程中，在对应于延展部的位置区域对应形成所述第一导电极板，即先形成延展部后形成第一导电极板，二者对应设置构成一个电容，在实际应用中，延展部与第一导电极板可以是面积相等的矩形金属区域，当然，二者的面积和形状并不作出限定，只要设计能够符合形成有效电容的要求即可。
[0049](2)在所述信号传输线为数据线的情况下，形成所述第一导电极板包括:在形成所述栅线的过程中形成所述第一导电极板。
[0050]也就是说，在形成栅线的过程中先在预先设计的、且能够对应于数据线末端形成延展部末端的位置区域，形成所述第一导电极板，然后在形成数据线的过程中，按照预先设计的规格在数据线的末端形成上述延展部，与第一导电极板相对应设置后形成上述电容结构。当然，二者的面积和形状并不作出限定，只要设计能够符合形成有效电容的要求即可，例如在实际应用中，延展部与第一导电极板可以是面积相等的矩形金属区域。
[0051]通过本发明实施例，首先，在数据线(Data线)/栅线(Gate线)的末端设计一定面积的电容，这个电容可以起到两个作用:(I)在Array工艺中常规ESD组件形成之前，利用电容的储电能力实现了一定的防静电效果；(2)当存在较大电流的情况下可以利用高电压下的崩溃电流将电容导通。然后，在电容下方通过布线将短路环(Shortring)上的ESD器件短接。通过这样的结构，可以达到共同防护静电的目的，很大程度上增加了静电释放的通路，有效的达到了防静电的效果。
[0052]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括显示区和外围区，所述阵列基板包括信号传输线和设置于所述外围区的静电释放ESD器件，所述信号传输线包括沿着信号传输方向从所述显示区延伸出的且位于所述外围区的延展部，其特征在于，所述阵列基板还包括: 第一导电极板，与所述延展部的至少一部分交叠，以在所述ESD器件形成之前形成一电容结构； 所述第一导电极板与所述ESD器件的静电输入端电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号传输线为栅线或数据线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述信号传输线为栅线的情况下，所述第一导电极板与所述数据线同层形成。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述信号传输线为数据线的情况下，所述第一导电极板与所述栅线同层形成。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 短路环，与所述ESD器件的静电导出端连接。
6.根据权利要求2至4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述ESD器件的数量大于等于2，所述第一导电极板连接到至少两个ESD器件的静电输入端。
7.—种显示装置，其特征在于，包括:权利要求1至6中任一项所述的阵列基板。
8.—种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在信号传输线上沿着信号传输方向从显示区延伸出的外围区内形成一延展部，并形成第一导电极板，其中，所述第一导电极板和所述延展部的至少一部分交叠，以在静电释放ESD器件形成前形成一电容结构； 形成所述ESD器件，其中，所述第一导电极板与所述ESD器件的静电输入端电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述信号传输线为栅线或数据线。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于， 在所述信号传输线为栅线的情况下，形成所述第一导电极板包括:在形成所述数据线的过程中形成所述第一导电极板； 在所述信号传输线为数据线的情况下，形成所述第一导电极板包括:在形成所述栅线的过程中形成所述第一导电极板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示装置。其中，该阵列基板的制作方法，包括：在信号传输线上沿着信号传输方向从显示区延伸出的外围区内形成一延展部，并形成第一导电极板，其中，第一导电极板和延展部的至少一部分交叠，以在静电释放(ESD)器件形成前形成一电容结构；形成ESD器件，其中，第一导电极板与ESD器件的静电输入端电连接。通过本发明，可以达到共同防护静电的目的，很大程度上增加了静电释放的通路，有效的达到了防静电的效果。
【IPC分类】H01L21-82, H01L27-02
【公开号】CN104701313
【申请号】CN201510105548
【发明人】于海峰, 黄海琴
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月11日