显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板的制作方法_5

文档序号:9328686阅读:来源:国知局
电极损 耗部672。然而,根据本发明的实施方式的返工掩模的使用根本不允许公共电极层的损坏, 如图9的㈧至(C)中所示。
[0155] 接下来,残余光致抗蚀剂1100'被去除,用于返工的像素电极层被再次沉积,并且 与初始像素电极层图案化工艺相同的图案化工艺被执行。
[0156] 然后,如图9的(C)中所示,彼此接触的残余像素电极图案990'和返工像素电极 图案1200被形成在跳接钝化孔区域200中的公共电极层上。
[0157] 图10的(A)和(B)是根据本发明的实施方式的经返工的阵列基板的截面图。
[0158] 当已经根据参照图7的(A)至图9的(C)在上面所描述的实施方式返工了阵列基 板时,在如图10的(A)和(B)中所示出的跳接钝化孔区域200中,残余像素电极图案990'和 返工像素电极图案1200彼此接触地形成在公共电极层970上并且返工像素电极图案1200 被连接到非有效区域的公共电压金属线920或950。结果,能够维持公共电极层970与公共 电压金属线920或950之间的电连接。
[0159] 换句话说,在根据本发明的实施方式的返工工艺之后,在最高层处的返工像素电 极图案1200电互连通过依靠部分地打开下钝化层和上钝化层所形成的第一接触孔992而 暴露的公共电压金属线920或950和通过依靠部分地打开在跳接钝化层钝化孔区域200中 的上钝化层所形成的第二接触孔994而暴露的残余像素电极图案990'和公共电极层970。
[0160] 在这种场合,可以在与如图10的(A)中所示出的栅金属层或如图10的(B)中所 示出的源/漏金属层相同的层形成公共电压金属线。
[0161] 本发明的实施方式能够被不仅应用到用于液晶显示器(LCD)装置的阵列基板,而 且还能够被应用到用于显示装置的所有类型的基板,其中,用于互连公共电极层和公共电 压金属线的跳接钝化孔(PAS孔)被形成在其中。例如,实施方式能够被应用到用于有机液 晶显示装置、等离子体显示面板(PDP)等的阵列基板。
[0162] 如上面所描述的,根据本发明的实施方式,可以在其中像素电极被形成为最高层 的用于显示装置的阵列基板中在其返工工艺中防止在像素电极层中发生缺陷。
[0163] 具体地,本发明能够通过在用于电互连透明公共电极层(Vcom ΙΤ0)和形成在显示 面板的非有效区域处的公共电压金属线的跳接钝化孔区域中,在返工工艺中使用返工掩模 来防止跳接像素电极图案和透明公共电极层的去除,以便在返工工艺之后维持在跳接钝化 孔区域中的跳接像素电极图案与公共电极层之间的电连接。
[0164] 结果,本发明能够防止由于像素电极返工工艺而导致的操作故障或闪烁故障,从 而根据返工工艺来提高基板制造生产量。
[0165] 为了确定根据本发明的实施方式的阵列基板在被返工之后的故障,已经进行了实 际的测试。如从示出测试的结果的以下表所指出的,在如图6的(A)至(C)所示出的不使 用返工掩模的返工工艺中,在约1800个样本之中的50至60个样本示出了操作故障或垫故 障的发生。然而,在如图7的(A)中及其后所示出的根据本发明的实施方式的使用返工掩 模的返工工艺中,在1557个样本之中的仅一个样本示出了故障的发生,这暗示根据返工的 故障率的显著降低。
[0166] 表 1
[0167]
[0168] 尽管已经出于说明性目的描述了本发明的示例性实施方式,但是本领域的技术人 员将了解的是,在不脱离如随附权利要求中所公开的本发明的范围和精神的情况下,各种 修改、添加以及替换是可能的。因此,为了简洁和清楚,已经对本公开内容的示例性实施方 式进行了描述。将基于随附权利要求以这样一种方式解释本发明的范围,即,包括在等同于 权利要求的范围内的所有技术构思都属于本发明。
[0169] 相关申请的交叉引用
[0170] 本申请要求在2014年4月29日提交的韩国专利申请No. 10-2014-0051477的优 先权,该韩国专利申请从而通过引用并入以用于所有目的,好像被在本文中完全地阐述。
【主权项】
1. 一种方法,该方法包括以下步骤: 形成显示装置,该显示装置包括: 在所述显示装置中的公共电压金属线,该公共电压金属线在所述显示装置的下钝化层 和上钝化层两者中的第一孔区域之下; 公共电极层,该公共电极层在所述显示装置中被形成在所述下钝化层上方并且在所述 上钝化层中的第二孔区域之下;以及 跳接像素电极图案,该跳接像素电极图案通过所述第二孔区域连接到所述公共电极层 并且通过所述第一孔区域连接到所述公共电压金属线; 去除所述跳接像素电极图案的一部分,保留在所述上钝化层中的所述第二孔区域中的 残余像素电极图案;以及 形成将所述公共电压金属线连接到所述残余像素电极图案的返工像素电极层。2. 根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述跳接像素电极图案的一部分的步骤包 括以下步骤: 形成覆盖所述跳接像素电极图案的光致抗蚀剂层; 将返工掩模定位在所述显示装置上,所述返工掩模包括与所述残余像素电极图案相对 应的返工像素电极图案;以及 对所述光致抗蚀剂层进行显影; 去除除了所述光致抗蚀剂层的与所述返工像素电极图案相对应的部分之外的所述光 致抗蚀剂层。3. 根据权利要求2所述的方法,其中,去除所述光致抗蚀剂层的步骤包括以下步骤: 使除了所述光致抗蚀剂层的与所述返工像素电极图案相对应的所述部分之外的所述 光致抗蚀剂层暴露于紫外光;以及 蚀刻除了所述光致抗蚀剂层的与所述返工像素电极图案相对应的所述部分之外的所 述光致抗蚀剂层。4. 根据权利要求3所述的方法,所述方法进一步包括:去除保留在所述返工像素电极 图案上的残余光致抗蚀剂层。5. 根据权利要求4所述的方法,其中,通过湿法蚀刻去除所述残余光致抗蚀剂层。6. 根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述跳接像素电极图案的一部分的步骤包 括: 使用返工掩模,该返工掩模防止在所述第二孔的区域中的所述跳接像素电极图案和所 述公共电极层在所述跳接像素电极图案的表面被蚀刻时被蚀刻。7. 根据权利要求6所述的方法,其中,所述返工掩模包括阻挡光透射到所述第二孔的 区域的光阻挡图案。8. 根据权利要求1所述的方法,其中,在与栅金属层相同的层中形成所述公共电压金 属线,并且通过打开所述下钝化层、所述上钝化层以及栅绝缘层而形成所述第一孔;并且 其中,在与所述显示装置的薄膜晶体管的源/漏金属层相同的层中形成所述公共电压 金属线。9. 根据权利要求1所述的方法,其中,待返工的所述显示装置通过没有用于所述下钝 化层的图案化的下钝化层PASl掩模的工艺来制造。10. 根据权利要求1所述的方法,其中,所述下钝化层具有包括第一无机钝化层PASl和 有机钝化层PAC的多层结构。11. 一种用于显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括: 顺序地形成在所述显示装置的薄膜晶体管区域中的下钝化层、公共电极层、上钝化层 以及跳接像素电极图案; 用于电互连所述显示装置的所述公共电极层和公共电压金属线的跳接钝化孔;以及 在所述跳接钝化孔的区域中顺序地形成在所述下钝化层上的公共电极层、残余像素电 极图案以及返工像素电极图案。12. 根据权利要求11所述的阵列基板,其中,所述残余像素电极图案通过返工掩模来 形成,所述返工掩模防止在所述跳接钝化孔的区域中的电极层在返工期间被蚀刻。13. 根据权利要求11所述的阵列基板,其中,所述返工像素电极图案被形成为电互连 通过第一接触孔而暴露的所述公共电压金属线与通过第二接触孔而暴露的所述残余像素 电极图案和所述公共电极层,其中,所述第一接触孔通过部分地打开所述上钝化层和所述 下钝化层而形成,所述第二接触孔通过部分地打开在所述跳接钝化孔的区域中的所述上钝 化层而形成。14. 根据权利要求13所述的阵列基板,其中,在与所述栅金属层相同的层中形成所述 公共电压金属线,并且通过打开所述下钝化层、所述上钝化层以及所述栅绝缘层而形成所 述第一接触孔;并且 其中,在与所述源/漏金属层相同的层中形成所述公共电压金属线。15. 根据权利要求11所述的阵列基板,其中,待返工的所述阵列基板通过没有用于所 述下钝化层的图案化的掩模的工艺来制造。16. -种显示装置,该显示装置包括: 公共电压金属线,该公共电压金属线在所述显示装置中被形成在下钝化层和上钝化层 两者中的第一孔区域之下; 公共电极层VCOM ITO,该公共电极层VCOM ITO在所述显示装置中被形成在所述下钝化 层上并且在所述上钝化层中的第二孔区域之下; 连接到所述公共电极层的残余像素电极图案,所述残余像素电极图案被形成在所述第 二孔区域中;以及 跳接像素电极图案,该跳接像素电极图案连接到所述残余像素电极图案并且通过所述 第一孔区域连接到所述公共电压金属线。17. 根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述跳接像素电极图案在所述显示装置 的多个部分之上延伸以连接所述公共电压金属线和所述残余像素电极图案。18. 根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述公共电压金属线在所述显示装置中 被形成在与栅金属层相同的层中;并且 其中,所述公共电压金属线在所述显示装置中被形成在与薄膜晶体管的源/漏金属层 相同的层中。19. 根据权利要求16所述的显示装置,所述显示装置进一步包括: 栅绝缘层,该栅绝缘层被形成在所述公共电压金属线上并且连接到所述公共电压金属 线;以及 基板,该基板被形成在所述栅绝缘层之下。
【专利摘要】显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板。本发明提供了一种返工阵列基板的方法,所述阵列基板包括顺序地形成在其中的栅金属层、栅绝缘层(G1)、半导体层、源/漏金属层、下钝化层、公共电极层、上钝化层以及像素电极层。通过使用在返工所述像素电极层时保护跳接钝化孔区域的返工掩模,所述方法能够甚至在所述像素电极返工工艺之后维持在所述跳接钝化孔区域中的所述公共电极层与所述返工像素电极图案之间的电连接,以从而减少由于所述返工工艺而导致的故障的发生和生产量的减少。
【IPC分类】H01L21/77, H01L27/12, G02F1/1343
【公开号】CN105047606
【申请号】CN201410437838
【发明人】赵哲熙, 辛基泽, 林东根, 姜芝源
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年8月29日
【公告号】US20150311237
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