素。
[0059]图5E示出了安装至晶圆附着基板420的插入基板510，并且倒装芯片IC 410安装在晶圆附着基板以形成重构的半导体封装件。如焊接焊剂的粘性材料可用于将焊球550与它们相应的晶圆附着基板420 —起临时保持在原位。插入基板510还附着于倒装芯片IC410的后侧。图5E的结合结构被暴露于回流处理以将焊球550机械地并电连接至晶圆附着基板420的接触焊盘(图5E中未示出)。粘合剂560可以在回流处理过程中被固化，或者附加处理可以实现为固化粘合剂560，优选地，在回流处理之后。在实施方式中，可以在一个回流处理中附接插入基板510和IC 410。
[0060]图5F示出了针对丝焊的IC 410装配晶圆附着基板420和插入基板510以形成另一个类型的重构的半导体封装件。因为IC 410的活性表面面向插入基板510，所以插入基板510不连接或附着于IC 410。焊球550的大小足以将插入基板510保持在IC 410上。另外的实施方式包括铜柱或焊接圆柱代替焊球550以确保插入基板510在IC 410以上足够的高度。粘性材料可用于将焊球或铜柱550与它们的相应的晶圆附着基板420 —起保持在原位直至回流处理将焊球550永久连接至两个基板。
[0061]倒装芯片IC的图5E和丝焊IC的图5F仅为了示例性目的给出。可以和本文中描述的实施方式一起使用另一个类型的IC是IC在或者有或者没有芯片衬垫的情况下安装至引线框架。根据本文中描述的实施方式，利用一些调整，微电动机械系统(MEMS)装置和光电装置可以被集成到重构的半导体封装件中。
[0062]在图4A至图5F中示出的装配过程中，有多个回流处理。对于倒装芯片IC 410，焊料凸起430被回流连接至晶圆附着基板420 (参见图4A)，焊球550被回流连接至插入基板510 (参见图5C)，并且焊球550被回流连接至晶圆附着基板420 (参见图5E)。
[0063]根据本文中描述的实施方式，上述重构的半导体封装件可以被制备用于模具喷射(mold-1nject1n)。图7A示出固定至重构的载体720的多个装配封装件710。各个装配封装件710包括在IC的第一表面处安装至晶圆附着基板的1C，以及安装在IC的第二表面上的插入基板，其中插入基板电气并机械地连接至晶圆附着基板。装配封装件710可以包括相同类型的IC或不同类型的1C。
[0064]图7B示出重构的载体720的顶视图，其中，单独的装配封装件在重构载体720上以矩形阵列间隔开。示出的是矩形面板载体；然而，其他形状的载体也在所描述的实施方式的范围内，诸如正方形面板载体或狭长的条形载体。重构的载体720可具有适合于保持并载运装配封装件710的阵列的各种材料。载体可以包括但不限于粘合胶带、陶瓷、玻璃、塑料、半导体材料、金属、或其他材料。粘合材料可以应用至载体的表面和/或至装配封装件710的表面。粘合材料可以包括但不限于环氧树脂或粘合膜。在实施方式中，粘合胶带被用于在处理过程中维持装配封装件710的位置。粘合胶带可以是面板构造，如重构的载体720，或者其可以是用于接收装配封装件710的阵列的粘合胶带的轴辊或条带。
[0065]图8A示出附接至重构的载体720的装配封装件710。重构的载体720可以在各个装配封装件710所放置的位置做标记。做标记可以对装配封装件710在重构的载体720上的正确的位置进行光学定位。模塑膜810被按压至装配封装件710的顶部表面。膜810通常不具有切口或开口。可替代地，可以在模塑膜810上制成并隔开如820的孔，以便允许模塑料830到达装配封装件710以内，以及到达单独的装配封装件之间的位置处。在实施方式中，孔820被放置在单独的装配封装件710之间的位置处。在另一个实施方式中，模塑料830在真空下以促进模塑料830移动到达装配封装件710以内和之间的所有空隙。在装配封装件710的顶部的模塑膜810将接触焊盘保持在干净的并且没有任何模塑料830的插入基板的上表面上。同样地，装配封装件710的底部上的重构的载体720将接触焊盘保持在干净的并且没有任何模塑料830的晶圆附着基板的下表面上。
[0066]图8B示出了移除模塑膜810和重构的载体720。粘合胶带类型的重构的载体720可以通过机械去胶带或者将紫外光施加于重构的载体720以去激活胶带的粘合特性来进行移除。焊球840附接至晶圆附着基板的底面上的接触焊盘，以形成各个装配封装件710的球栅格阵列(BGA)。将焊剂施加于晶圆附着基板的接触焊盘以将焊球840保持在原位直至回流完成。重构的半导体封装件的实施方式可以应用于大多数类型的半导体封装件，例如但不限于细间距球栅格阵列(FBGA)、针栅阵列(PGA)、列栅格阵列(CGA)、平面栅格阵列(LGA)、Z-互联阵列以及其他。
[0067]另一个实施方式包括使用在图8A中示出的重构的载体720作为焊接模版。重构的载体720可以由聚合物或感光成像材料制成，其可以在暴露于紫外(UV)光时被图案化。包含与晶圆附着基板的底表面上的接触焊盘相匹配的多个开口的焊接掩模被放置在重构的载体720上。紫外光使得重构的载体720通过焊接掩膜中的开口暴露。移除重构的载体720的暴露的区域。焊球被放置在接触焊盘上的开口内。回流处理将焊球机械地和电连接至它们相应的接触焊盘。另一个实施方式提供一种焊膏(焊料和焊剂的混合物)，使用焊接敷帖器丝网印刷成开口。回流处理使得焊膏回流并且将产生的焊球或凸块连接至它们相应的接触焊盘。重构的载体720可以在回流处理之后移除，或者其可以保持在晶圆附着基板的底侧上。
[0068]图8C示出装配的和模塑的封装件被分离成单独的重构的半导体封装件800。分离可以通过切割、锯切、激光切片或者切割模塑料的任何其他方法来实现。通过实践本文中描述的，仅穿过模塑料时发生分离。当插入基板和晶圆附着基板大小近似相同并且模塑料延伸超出基板的外周时，不会切割穿过插入基板或晶圆附着基板。安装至它们相应的晶圆附着基板的插入基板彼此分离以形成封装件之间的间隙(参见图7A至图SB)。因此，没有切割到任何一个基板，并且因此，分离处理没有浪费基板材料。并且，沿着基板的边缘模塑将增加最终封装件的保护。
[0069]图9A示出图中示出的处理的变型，其中粘合剂560被应用至IC410的后侧。当将插入基板510安装至晶圆附着基板420时，粘合剂560还附着于插入基板510。图9A示出IC和插入基板之间没有粘合剂的情况。作为替代，模塑料830填充IC与插入基板之间的间隙。真空模塑处理有助于确保模塑料到达封装件以内的所有空隙。
[0070]图9B示出在图9A中示出的相同的装置和处理，除了用模塑料830代替IC和晶圆附着基板之间的毛细底部填充材料之外。真空模塑处理有助于确保模塑料到达封装件以内的所有空隙。
[0071]图1OA是根据本文中描述的实施方式的封装件半导体上的插入式封装件的装置1000的示意图。插入基板1090通过焊球1270a安装至晶圆附着基板1030。焊球1270a通过接触焊盘1300b被连接到插入基板1090的底面1120b，并且焊球1270a通过接触焊盘1300a被连接到晶圆附着基板1030的顶面1060a。倒装芯片集成电路1150通过接触焊盘1300d被连接至晶圆附着基板1030的顶面1060a。模塑料1240填充插入基板1090和晶圆附着基板1030之间的所有的空隙，并且沿着连接的插入基板1090和晶圆附着基板1030的边缘进行填充。外部焊球1270b通过接触焊盘1300c附接至晶圆附着基板1030的底面1060b。如表面安装装置1210和倒装芯片装置1180的另外的装置通过接触焊盘1300被连接到插入基板1090的顶面1120a。
[0072]图1OB是连接至晶圆附着基板1020的倒装芯片IC 1030和通过焊球1040连接至晶圆附着基板1020的插入基板1010的不意图。封装1050填?两插入基板1010和晶圆附着基板1020之间和IC四周。封装1050还填充在两个基板的侧面周围。然而，插入基板1010小于晶圆附着基板。在图1OC中，示出类似的倒装芯片封装件，其中插入基板1010大于晶圆附着基板1020。尽管未示出，但图1OB和图1OC的倒装芯片封装件具有连接至晶圆附着基板1020的底面的焊球，如在先前的附图中示出的。
[0073]图1OD是多个晶圆附着基板1020的示意图，该多个晶圆附着基板具有连