用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法，尤其涉及一种利用 光阻层形成绝缘基板的盲孔的制造方法。
【背景技术】
[0002] 以往通常利用物理钻孔的方式在用于电子装置的玻璃基板上形成盲孔，但这种方 法会产生许多粉尘颗粒，而造成后续加工制程上的困难，例如产生油墨涂料无法涂布上去 等问题。因此，近年来已改用化学蚀刻的方式在玻璃基板上形成盲孔。
[0003] 为了选择性地在玻璃基板上的特定区域蚀刻出盲孔，通常会先在玻璃基板上贴附 一抗蚀膜，再利用激光切割出玻璃基板上的待蚀刻区域，接着将玻璃基板浸于蚀刻溶液中， 以在玻璃基板上的待蚀刻区域中形成盲孔。然而，抗蚀膜与玻璃基板之间的贴附性不佳，常 使得蚀刻溶液流进抗蚀膜与玻璃基板之间，进而产生明显的侧蚀现象。据此，目前亟需一种 用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法，以解决传统制造方法所面临的问题。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种可改善蚀刻液的侧蚀现象的用于电子装置的绝缘基板 的盲孔的制造方法。
[0005] -种用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法。此制造方法包含以下步骤：形 成图案化光阻层于绝缘基板上；图案化光阻层具有开口，且开口暴露一部份绝缘基板；进 行湿蚀刻制程，以移除暴露的绝缘基板，且于开口内形成盲孔。
[0006] 在其中一实施例中，上述绝缘基板为玻璃基板。
[0007] 在其中一实施例中，形成上述图案化光阻层于绝缘基板上包含以下步骤。形成光 阻层于绝缘基板上；覆盖光罩于光阻层上；以及进行光刻工艺，以形成图案化光阻层。
[0008] 在其中一实施例中，上述光阻层的材料为正光阻，且光罩为明光罩。
[0009] 在其中一实施例中，上述光阻层的材料为负光阻，且光罩为暗光罩。
[0010] 在其中一实施例中，进行上述湿蚀刻制程包含将覆盖有图案化光阻层的绝缘基板 浸于含氢氟酸（HF)的蚀刻溶液中。
[0011] 在其中一实施例中，上述氢氟酸（HF)于蚀刻溶液中的浓度为10~15v/v%，较佳 为 12v/v% 〇
[0012] 在其中一实施例中，上述蚀刻溶液更包含氢氯酸（HC1)。
[0013] 在其中一实施例中，上述氢氯酸（HC1)于蚀刻溶液中的浓度为7~8v/v%。
[0014] 在其中一实施例中，上述盲孔的形状包含长方形、方形、圆形、椭圆形、菱形或多边 形。
[0015] 在其中一实施例中，上述盲孔具有边缘区，且边缘区具有弧边，其中弧边由下而上 具有第一倾斜角、第二倾斜角及第三倾斜角。
[0016] 在其中一实施例中，上述第一倾斜角呈10~20度，第二倾斜角呈40~55度，且 第三倾斜角大于55度。
[0017] 由于该用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法，其利用光阻层在绝缘基板上 形成盲孔，其可明显改善蚀刻液的侧蚀现象及降低盲孔边缘的残留宽度，进而提升利用湿 蚀刻法形成盲孔的精密程度。
【附图说明】
[0018] 图1A~1C为一实施例的在绝缘基板上形成盲孔的各阶段剖面图；以及
[0019] 图2为图1C中区域A的局部放大图。
[0020] 主要元件符号说明
[0021] 110:绝缘基板
[0022] 120:图案化光阻层
[0023] 122:开口
[0024] 112:盲孔
[0025] A:区域
[0026] wl :残留宽度
[0027] w2 :侧蚀宽度
[0028] 1 :第一倾斜角
[0029] 2 :第二倾斜角
[0030] 3 :第三倾斜角
【具体实施方式】
[0031] 接着以实施例并配合附图以详细说明本发明，在附图或描述中，相似或相同的部 分使用相同的符号或编号。在附图中，实施例的形状或厚度可能扩大，以简化或方便标示， 而附图中元件的部分将以文字描述。可了解的是，未示出或未描述的元件可为本领域普通 技术人员所知的各种样式。本实施方式为本发明的理想化实施例（及中间结构）以示意性 的横截面来说明，且本领域技术人员可预期本实施方式中制造方法、形状及/或公差的合 理改变。因此，不应将本发明的实施例理解为限制本发明所请求的范围。
[0032] 图1A~1C为一实施例的在绝缘基板上形成盲孔的各阶段剖面图。在图1A中，图 案化光阻层120形成于绝缘基板110上，且图案化光阻层120具有开口 122,以暴露一部份 的绝缘基板110。根据本发明的实施例，绝缘基板110为玻璃基板，例如钠玻璃、铝硅酸玻 璃、无碱玻璃或其类，但不以此为限制。根据本发明的实施例，绝缘基板110为用于指纹辨 识装置的玻璃盖板（cover glass)。根据本发明的实施例，图案化光阻层120具有开口 122 的形状包含长方形、方形、圆形、椭圆形、菱形或多边形。
[0033] 在本发明的实施例中，形成图案化光阻层120于绝缘基板110上包含以下步骤：形 成光阻层（未示出）于绝缘基板110上。覆盖光罩（未绘示）于光阻层上。接着进行光刻 工艺，以形成图案化光阻层120。根据本发明的实施例，上述光阻层的材料为正光阻，且光罩 为明光罩。根据本发明的实施例，上述光阻层的材料为负光阻，且光罩为暗光罩。
[0034] 接着，进行湿蚀刻制程，以移除暴露的绝缘基板110,且于开口 122内形成盲孔 112,如图1B所示。根据本发明的实施例，进行湿蚀刻制程包含将覆盖有图案化光阻层120 的绝缘基板110浸于含氢氟酸（HF)的蚀刻溶液中。根据本发明的实施例，上述氢氟酸（HF) 于蚀刻溶液中的浓度为10~15v/v%，较佳为12v/v%。在本发明的实施例中，蚀刻溶液更 包含氢氯酸（HC1)。根据本发明的实施例，上述氢氯酸