五面出光的led封装结构及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法，属于半导体技术领域。
【背景技术】
[0002]随着倒装芯片技术的日益成熟，针对倒装芯片结构的封装也多种多样，行业内多以模顶的方式进行封装。如图1所示，此封装方式需要将倒装芯片la固晶到陶瓷、氮化铝或硅基板2a上，再将混合有荧光粉的硅胶3a模顶到基板2a上，完成器件的封装。其工艺负责、成本较高、器件尺寸也较大。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种五面出光的LED封装结构及其制备方法，器件尺寸可以做的很小，封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
[0004]按照本发明提供的技术方案，所述五面出光的LED封装结构，包括倒装芯片，倒装芯片的正面具有芯片焊盘；其特征是:所述倒装芯片的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶。
[0005]进一步，在所述混有荧光粉的硅胶上表面还设有硅胶层。
[0006]所述五面出光的LED封装结构的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤:
步骤1:将倒装芯片排列到耐高温载膜上；
步骤2:将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片(1)的耐高温载膜(5)上，循环喷涂3~10次，喷涂压力为0.5~2kg/cm2,喷粉流量为l~10ml/s ;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1?10% ；
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜于80~150°C烘烤1~3小时；
步骤4:利用高速砂轮切割机在耐高温载膜上按照横向和纵向进行切割，将多余的硅胶切割去除。
[0007]进一步的，所述步骤2中，喷涂厚度为0.1-0.5mm。
[0008]本发明所述五面出光的LED封装结构及其制备方法，通过特有工艺方法将混有荧光粉的硅胶喷涂在倒装芯片表面，通过改变喷涂压力、气流和烘烤工艺，在芯片四周形成硅胶的五面包裹，封装器件五面发光，因没有基板限制，器件尺寸可以做的很小，封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
【附图说明】
[0009]图1为现有技术中倒装芯片采用模顶封装的示意图。
[0010]图2为本发明所述五面出光的LED封装结一种实施例的不意图。
[0011]图3为本发明所述五面出光的LED封装结另一种实施例的不意图。
[0012]图4为将倒装芯片排列到耐高温载膜上的示意图。
[0013]图5为在耐高温载膜上喷涂混合荧光粉的硅胶的示意图。
[0014]图6为耐高温载膜切割去除多余硅胶后的示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合具体附图对本发明作进一步说明。
[0016]如图2所示:本发明所述五面出光的LED封装结构包括倒装芯片1，倒装芯片1的正面具有芯片焊盘2，倒装芯片1的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶3。
[0017]如图3所示，在所述混有荧光粉的硅胶3上表面还设有硅胶层4。
[0018]实施例一:一种五面出光的LED封装结构的制备方法，包括以下工艺步骤:
步骤1:如图4所示，利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5 ;
步骤2:如图5所示，利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上，需要循环喷涂3次，喷涂压力为0.5kg/cm2，喷粉流量为lml/s，可以获得较均匀的荧光粉覆盖层，喷涂厚度为0.1mm ;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1% ;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤1小时，烘烤温度为150°C ；
步骤4:如图6所示，利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切害J，将多余的硅胶切割去除，形成独立的器件结构。
[0019]实施例二:一种五面出光的LED封装结构的制备方法，包括以下工艺步骤:
步骤1:如图4所示，利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5 ;
步骤2:如图5所示，利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上，需要循环喷涂10次，喷涂压力为2kg/cm2，喷粉流量为lOml/s，可以获得较均匀的荧光粉覆盖层，喷涂厚度为0.5mm ;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为10% ；
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤3小时，烘烤温度为80°C;步骤4:如图6所示，利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切害J，将多余的硅胶切割去除，形成独立的器件结构。
[0020]实施例三:一种五面出光的LED封装结构的制备方法，包括以下工艺步骤:
步骤1:如图4所示，利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5 ;
步骤2:如图5所示，利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上，需要循环喷涂5次，喷涂压力为lkg/cm2，喷粉流量为5ml/s，可以获得较均匀的荧光粉覆盖层，喷涂厚度为0.2mm ;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为5% ;
步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤2小时，烘烤温度为100。。；
步骤4:如图6所示，利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切害J，将多余的硅胶切割去除，形成独立的器件结构。
[0021]本发明通过高压喷涂工艺方法，将混有荧光粉的硅胶喷涂在倒装芯片表面，通过改变喷涂压力、气流和烘烤工艺，在芯片四周形成硅胶的五面包裹，封装器件五面发光，因没有基板限制，封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内，实现真正意义上的芯片级封装。
【主权项】
1.一种五面出光的LED封装结构，包括倒装芯片(1)，倒装芯片(1)的正面具有芯片焊盘(2);其特征是:所述倒装芯片(1)的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶(3)。2.如权利要求1所述的五面出光的LED封装结构，其特征是:在所述混有荧光粉的硅胶(3 )上表面还设有硅胶层(4 )。3.—种五面出光的LED封装结构的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤: 步骤1:将倒装芯片(1)排列到耐高温载膜上(5); 步骤2:将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片(1)的耐高温载膜(5)上，循环喷涂3~10次，喷涂压力为0.5~2kg/cm2,喷粉流量为l~10ml/s ;所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1?10% ； 步骤3:将步骤2处理后的耐高温载膜(5)于80~150°C烘烤1~3小时； 步骤4:利用高速砂轮切割机在耐高温载膜(5)上按照横向和纵向进行切割，将多余的硅胶切割去除。4.如权利要求3所述的五面出光的LED封装结构的制备方法，其特征是:所述步骤2中，喷涂厚度为0.1-0.5mm。
【专利摘要】本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法，包括倒装芯片，倒装芯片的正面具有芯片焊盘；其特征是：所述倒装芯片的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶。在所述混有荧光粉的硅胶上表面还设有硅胶层。所述五面出光的LED封装结构的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤：将倒装芯片排列到耐高温载膜上；将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片的耐高温载膜上，循环喷涂3~10次；所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1～10%；将步骤2处理后的耐高温载膜于80~150℃烘烤1~3小时；利用高速砂轮切割机在耐高温载膜上按照横向和纵向进行切割，将多余的硅胶切割去除。本发明的器件尺寸可以做的很小，封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。
【IPC分类】H01L33/54, H01L33/00, H01L33/50
【公开号】CN105374923
【申请号】CN201510714432
【发明人】黄慧诗, 周锋, 张秀敏
【申请人】江苏新广联半导体有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年10月28日