xyth1phene):poly styrenesulfonate,PEDOT:PSS)或者P型金属氧化物纳米粒子。所述P型金属氧化物纳米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一种或者多种。优选地，所述空穴注入和空穴传输层130的厚度为10?15nm。
[0030]所述量子点发光层140的厚度为30?40nm。所述量子点发光层140包括单层或者多层量子点。
[0031 ]所述电子注入和电子传输层150的厚度可以为5?10nm。
[0032]相较于现有技术，本发明的量子点发光器件100中的电子注入和电子传输层150包括水醇溶性共轭聚合物可以溶解在极性较大的溶剂中，比如，水、甲醛等。可以避免所述电子注入和电子传输层150制备成膜时对所述量子点发光层140产生破坏，因此，可以提高所述量子点发光器件100的性能。进一步地，所述水醇溶性共轭聚合物是无毒的，在生产过程中对环境无污染，绿色环保。
[0033]下面结合图1及前面对所述量子点发光器件100的介绍，下面对本发明的量子点发光器件的制备方法进行介绍。请参阅图2，图2为本发明一较佳实施方式的量子点发光器件的制备方法的流程图。所述量子点发光器件的制备方法包括但不仅限于以下步骤。
[0034]步骤S110，提供基板110。
[0035]步骤S120，在所述基板110的表面上形成阳极120。
[0036]步骤S130，在所述阳极120远离所述基板110的表面涂布空穴注入和空穴传输材料以形成空穴注入和空穴传输层130。所述空穴注入和空穴传输层130可以由如下方式形成:采用旋涂等方法，在所述阳极120远离所述基板110的表面涂布空穴注入和空穴传输材料，以形成所述空穴注入和空穴传输层130。
[0037]步骤S140，在所述空穴注入和空穴传输层130远离所述阳极120的表面涂布量子点发光材料以形成量子点发光层140。所述量子点发光层140可以由如下方式形成:采用旋涂等方法，在所述空穴注入和空穴传输层130远离所述阳极120的表面涂布量子点发光材料，以形成所述量子点发光层140。
[0038]步骤S150，在所述量子点发光层140远离所述空穴注入和空穴传输层130的表面涂布电子注入和电子传输材料以形成电子注入和电子传输层150，其中，所述电子注入和电子传输层150包括水醇溶性共轭聚合物。所述电子注入和电子传输层150可以通过如下方式形成:采用旋涂等方法，在所述量子点发光层140远离所述空穴注入和空穴产生层130的表面涂布电子注入和电子传输材料，以形成所述电子注入和电子传输层150。
[0039]步骤S160，在所述电子注入和电子传输层150远离所述量子点发光层140的表面沉积金属以形成阴极160。所述阴极160的制备方法可以由如下方式形成:采用蒸镀等方法在所述电子注入和电子传输层150远离所述量子点发光层140的表面形成金属，比如，铝，以制备出所述阴极160。所述阴极160的厚度为lOOnm?150nmo
[0040]本发明还提供了一种液晶显示装置10，请参阅图3，所述液晶显示装置10包括前述介绍的量子点发光器件100，在此不再赘述。所述液晶显示装置10可以包括但不仅限于为智能手机、互联网设备(Mobile Internet Device，MID)，电子书，便携式播放站(PlayStat1n Portable，PSP)或者个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等便携式电子设备，也可以为显示器等。
[0041 ]以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括基板、阳极、空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，所述阳极设置在所述基板上，所述阳极与所述阴极设置在所述基板的同侧，且所述阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入和空穴传输层、所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层夹设在所述阳极和所述阴极之间，所述空穴注入和空穴传输层的一面与所述阳极相连，所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层依次层叠设置在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的一面，且所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的一面与所述阴极相连，所述阳极用于提供空穴，所述阴极用于提供电子，所述空穴注入和空穴传输层用于将所述空穴传输至所述量子点发光层，所述电子注入和电子传输层用于将所述电子传输至所述量子点发光层，所述空穴和所述电子在所述量子点发光层中复合以发光，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述水醇溶性共轭聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。3.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述阳极包括氧化铟锡。4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴传输层包括PEDOT: PSS或者P型金属氧化物纳米粒子，其中，所述P型金属氧化物纳米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一种或者多种。5.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴传输层的厚度为10?15nm。6.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为30?40nmo7.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括单层或者多层量子点。8.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述阴极包括铝，所述阴极的厚度为100?150nm。9.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述量子点发光器件的制备方法包括: 提供基板； 在所述基板的表面上形成阳极； 在所述阳极远离所述基板的表面涂布空穴注入和空穴传输材料以形成空穴注入和空穴传输层； 在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的表面涂布量子点发光材料以形成量子点发光层； 在所述量子点发光层远离所述空穴注入和空穴传输层的表面涂布电子注入和电子传输材料以形成电子注入和电子传输层，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物； 在所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的表面沉积金属以形成阴极。10.—种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括如权利要求1至8任意一项所述的量子点发光器件。
【专利摘要】本发明提供一种量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置。量子点发光器件包括基板、阳极、空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，阳极设置在基板上，阳极与阴极设置在基板的同侧，且相对且间隔设置，空穴注入和空穴传输层、量子点发光层及电子注入和电子传输层依次夹设在阳极和阴极之间，空穴注入和空穴传输层的一面与阳极相连，阳极提供空穴，阴极提供电子，空穴注入和空穴传输层将空穴传输至量子点发光层，电子注入和电子传输层将电子传输至量子点发光层，空穴和电子在量子点发光层中复合以发光，其中，电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/56, H01L51/00, G02F1/1333
【公开号】CN105470387
【申请号】CN201610048567
【发明人】徐超
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2016年1月25日