阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示
目.0
【背景技术】
[0002]显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板以及阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中阵列基板的制造过程中需要进行多次构图工艺，制作流程较为复杂。
[0003]相关技术中有一种阵列基板，为了防止背光侧的光线照射在有源层上对有源层产生影响，该阵列基板的有源层和衬底基板之间设置有遮光层(Light Shield，LS)图案，该遮光层的图案通常由金属钼制成，该阵列基板的形成过程为:首先在衬底基板上通过构图工艺形成遮光层的图案，再通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Depos it 1n，PECVD)工艺在形成有遮光层的图案的衬底基板上形成预设膜层结构(预设膜层结构可以包括缓冲层、有源层等膜层)，之后通过构图工艺在衬底基板上的有源层上形成有源层图案，有源层图案的形状与遮光层的图案的形状基本一致。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:在通过PECVD工艺形成预设膜层结构时，需要将阵列基板放入PECVD设备中，而衬底基板上若存在大面积金属层，可能损坏PECVD设备，因而必须先通过构图工艺将遮光层处理成遮光层的图案之后，才能在阵列基板上形成缓冲层、有源层等膜层，如此增加了一次构图工艺，制作过程较为复杂，且增加了成本。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中阵列基板的制作过程较为复杂、成本较高的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下:
[0006]根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层，所述金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物；
[0008]在形成有所述遮光层的衬底基板上形成预设膜层；
[0009]通过一次构图工艺形成所述遮光层的图案和所述预设膜层的图案。
[0010]可选地，所述在形成有所述遮光层的衬底基板上形成预设膜层的步骤，包括:
[0011 ]通过等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺在形成有所述遮光层的衬底基板上形成所述预设膜层。
[0012]可选地，所述预设膜层包括缓冲层和有源层。
[0013]可选地，所述在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层的步骤，包括:
[0014]在所述衬底基板上形成金属层；
[0015]对所述金属层进行黑化处理，得到所述由金属黑化物构成的遮光层。
[0016]可选地，所述在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层的步骤，包括:
[0017]通过由所述金属黑化物构成的待成膜材料在所述衬底基板上形成所述遮光层。
[0018]可选地，所述金属黑化物包括:钼的氧化物、钼的氮化物、钼的氮氧化合物、铜的氧化物、铜的氮化物和铜的氮氧化合物中的至少一种。
[0019]可选地，所述金属黑化物包括:钼系合金的氧化物、钼系合金的氮化物、钼系合金的氮氧化合物、铜系合金的氧化物、铜系合金的氮化物和铜系合金的氮氧化合物中的至少一种。
[0020]可选地，所述在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层的步骤之前，所述方法还包括:
[0021]在所述衬底基板上形成由金属构成的底层遮光层；
[0022]所述通过一次构图工艺形成所述遮光层的图案和所述预设膜层的图案的步骤，包括:
[0023]通过一次构图工艺形成所述底层遮光层的图案、所述遮光层的图案和所述预设膜层的图案。
[0024]根据本发明的第二方面，提供一种采用第一方面提供的方法制造的阵列基板，所述阵列基板包括:
[0025]衬底基板；
[0026]设置在所述衬底基板上且由金属黑化物构成的遮光层的图案，所述金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物；
[0027]设置在所述遮光层的图案上的预设膜层的图案，所述预设膜层的图案与所述遮光层的图案一致。
[0028]可选地，所述遮光层的图案与所述衬底基板之间还形成有底层遮光层的图案，所述底层遮光层的图案与所述遮光层的图案一致。
[0029]根据本发明的第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面提供的阵列基板。
[0030]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0031]通过使用金属黑化物形成遮光层，金属黑化物的导电性能较差，因而可以在形成有遮光层的衬底基板上继续形成预设膜层，之后再通过一次构图工艺形成遮光层的图案和预设膜层的图案。本发明的技术方法节省了一次构图工艺步骤，解决了相关技术中阵列基板的制作过程较为复杂、成本较高的问题，达到了使阵列基板的制造过程较为简便、节省成本的效果。同时，提高了遮光层的遮光性，改善了阵列基板的性能。
【附图说明】
[0032]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本发明实施例示出的一种阵列基板的制造方法的流程图；
[0034]图2-1是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
[0035]图2_2和图2_3是图2_1所不实施例中形成遮光层的流程图；
[0036]图2-4是图2-1所不实施例中一次构图工艺的流程图；
[0037]图2-5至图2-7是图2-4所示构图工艺中阵列基板的结构示意图；
[0038]图2-8是图2_1所不实施例中进彳丁后续工艺的流程图；
[0039]图2-9至图2-15是图2-8所不流程中阵列基板的结构不意图；
[0040]图3是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
[0041 ]图4-1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0042]图4-2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
[0043]通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
【具体实施方式】
[0044]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0045]图1是本发明实施例示出的一种阵列基板的制造方法的流程图，本实施例以该方法应用于制造阵列基板来举例说明。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0046]在步骤101中，在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层，金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物。
[0047]在步骤102中，在形成有遮光层的衬底基板上形成预设膜层。
[0048]在步骤103中，通过一次构图工艺形成遮光层的图案和预设膜层的图案。
[0049]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过使用金属黑化物形成遮光层，金属黑化物的导电性能较差，因而可以在形成有遮光层的衬底基板上继续形成预设膜层，之后再通过一次构图工艺形成遮光层的图案和预设膜层的图案。本发明的技术方法节省了一次构图工艺步骤，解决了相关技术中阵列基板的制作过程较为复杂、成本较高的问题，达到了使阵列基板的制造过程较为简便、节省成本的效果。同时，提高了遮光层的遮光性，改善了阵列基板的性能。
[0050]图2-1是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图，本实施例以该方法应用于制造阵列基板来举例说明。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0051]在步骤201中，在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层，金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物。
[0052]在使用本发明实施例提供的阵列基板的制造方法时，首先可以在衬底基板上形成由金属黑化物构成的遮光层，金属黑化物为对金属进行黑化处理后的产物。
[0053]根据形成方式的不同，本步骤可以包含下面两种情况:
[0054]第一种情况，如图2-2所示:
[0055]在子步骤2011中，在衬底基板上形成金属层。
[0056]在本情况中，首先可以在衬底基板上形成金属层，该金属层可以为钼金属层、铜金属层、钼系合金的金属层或铜系合金的金属层等。示例性的，可以通过溅镀、蒸镀等方式形成金属层。
[0057]在子步骤2012中，对金属层进行黑化处理，得到由金属黑化物构成的遮光层。
[0058]在衬底基板上形成金属层之后，可以对金属层进行黑化处理，得到由金属黑化物构成的遮光层。在对金属层进行黑化处理时，根据金属层的不同，黑化处理的方法可能也不同，具体可以参考相关技术，在此不再赘述。示例性的，在金属层为钼金属层时，可以向衬底基板