封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明有关一种封装结构，尤指一种具电磁屏蔽的封装结构。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前无线通讯技术已广泛应用于各式各样的消费性电子产品以利接收或发送各种无线讯号，而为提升电性品质，多种半导体产品具有屏蔽的功能，以防止电磁干扰(ElectromagneticInterference,简称 EMI)产生。
[0003]目前的电子产品均朝向小型化及高速化的目标发展，尤其是通讯产业的发展已普遍运用整合于各类电子产品，例如移动电话(Cell phone)、膝上型电脑(laptop)等。上述的电子产品需使用高频的射频晶片，且射频晶片可能相邻设置数位集成电路、数字信号处理器(Digital Signal Processor,简称DSP)或基带晶片(Base Band),因而互相造成电磁干扰的现象，所以必需进行电磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)处理。
[0004]如图1所示，现有射频模组I是将多个电子元件11电性连接在一承载件10上，再以如环氧树脂的封装材13包覆各该电子元件11，并于该封装材13上罩设一金属薄膜12。该射频模组I藉由该金属薄膜12保护该些电子元件11免受外界EMI影响。
[0005]惟，现有射频模组I中，该金属薄膜12形成于该封装材13的外面以达防止EMI的功效，亦即该金属薄膜12与干扰源(即该电子元件11)间隔有该封装材13，所以当该电子元件11为低频元件时，即使该金属薄膜12覆盖该封装材13的上面与侧面，该金属薄膜12的屏蔽效果仍然不佳，导致该低频的电子元件11的讯号容易发生错误。
[0006]因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
【发明内容】
[0007]鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明揭露一种封装结构，能有效对该低频的电子元件产生屏蔽效果，以避免该低频的电子元件的讯号发生错误。
[0008]本发明的封装结构包括:至少一低频的电子元件；至少一屏蔽件，结合于至少一该电子元件上；以及封装材，其覆盖该电子元件与该屏蔽件。
[0009]前述的封装结构中，该电子元件为封装基板、主动元件、被动元件或导电线路。
[0010]前述的封装结构中，该低频是指3兆赫(MHz)以下。
[0011]前述的封装结构中，该电子元件为低频元件。
[0012]前述的封装结构中，该屏蔽件以结合层结合于至少一该电子元件上，使该结合层形成于该屏蔽件与该电子元件之间。
[0013]前述的封装结构中，形成该屏蔽件的材质为铁氧体软铁材。
[0014]前述的封装结构中，该屏蔽件的耐热温度为300°C。
[0015]前述的封装结构中，该屏蔽件上设有另一电子元件。
[0016]前述的封装结构中，该屏蔽件的宽度小于、大于或等于该电子元件的宽度。
[0017]前述的封装结构中，该屏蔽件完全或部分遮盖该电子元件。
[0018]前述的封装结构中，该屏蔽件的部分表面外露于该封装材。
[0019]前述的封装结构中，该封装材未形成于该屏蔽件与该电子元件之间。
[0020]另外，前述的封装结构中，还包括承载件，其承载该电子元件并电性连接该电子元件。
[0021]由上可知，本发明的封装结构中，藉由该屏蔽件直接结合于低频的电子元件上的设计，而非将屏蔽件设于封装材外面的现有技术，所以本发明的屏蔽件能有效对该低频的电子元件产生屏蔽效果，以避免该低频的电子元件的讯号发生错误。
【附图说明】
[0022]图1为现有射频模组的剖面示意图；
[0023]图2为本发明的封装结构的第一实施例的剖面示意图；其中，图2’及图2”为图2的其它实施例；
[0024]图3A至图3E为本发明的封装结构的第二实施例的不同实施例的剖面示意图；
[0025]图4为本发明的封装结构的第三实施例的剖面示意图；
[0026]图5为本发明的封装结构的第四实施例的剖面示意图；
[0027]图6为本发明的封装结构的第五实施例的剖面示意图；
[0028]图7及图7’为本发明的封装结构的第六实施例的剖面示意图；以及
[0029]图8为本发明的封装结构的第七实施例的剖面示意图。
[0030]符号说明
[0031]I射频模组
[0032]10, 20承载件
[0033]11，21，41，51，61，61，，71,80,81 电子元件
[0034]12金属薄膜
[0035]13，23，23’，23” 封装材
[0036]2，3a-3e, 4，5，6，7 封装结构
[0037]200导电元件
[0038]21a, 51a, 80a上表面
[0039]21b下表面
[0040]21c, 22c侧面
[0041]210焊线
[0042]210’焊球
[0043]22，32a_32e, 52，72 屏蔽件
[0044]22a第一表面
[0045]22b第二表面
[0046]22c, 23c侧面
[0047]220,410, 520结合层
[0048]23a表面
[0049]9电子装置
[0050]t，r，r’，r”宽度。
【具体实施方式】
[0051]以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0052]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0053]图2为本发明的封装结构2的第一实施例的剖面示意图。于本实施例中，该封装结构2为系统级封装(System in package,简称SiP)的射频(Rad1 frequency,简称RF)模组。
[0054]如图2所示，该封装结构2包括:一电子元件21、结合于该电子元件21上的一屏蔽件22、以及包覆该电子元件21与该屏蔽件22的封装材23。
[0055]所述的电子元件21为如半导体晶片的主动元件或如电阻、电容及电感的被动元件。于本实施例中，该电子元件21为低频主动元件。
[0056]所述的屏蔽件22具有相对的第一表面22a与第二表面22b，且该屏蔽件22的第一表面22a藉由一如胶材的结合层220接触结合于该电子元件21的上表面21a上，使该结合层220形成于该屏蔽件22的第一表面22a与该电子元件21之间。于本实施例中，形成该屏蔽件22的材质为铁氧体软铁材，且该屏蔽件的耐热温度可达300°C。
[0057]所述的封装材23未形成于该屏蔽件22的第一表面22a与该电子元件21之间。
[0058]于本实施例中，该封装结构2还包括一承载件20，其供承载该电子元件21，如该电子元件21以其下表面21b结合至该承载件20上。
[0059]此外，该承载件20为电路板或陶瓷板，其表面形成有电性连接该电子元件21的线路层(图略)，例如该电子元件21以多个焊线210电性连接该线路层。
[0060]又，该承载件20也可有内部线路层(图略)，且该承载件20可藉由如焊球的导电元件200外接其它电子装置9 (如电路板)。
[0061]另外，有关承载件20的种类繁多，并不限于图示。
[0062]图3A至图3E为本发明的封装结构3a，3b, 3c, 3d, 3e的第二实施例的剖面示意图。本实施例与第一实施例的差异在于屏蔽件32a，32b, 32c, 32d, 32e的各种实施例，其它结构大致相同，所以不再赘述相同处。
[0063]如图3A及图3E所示，该屏蔽件32a，32e的宽度r等于该电子元件21的宽度t。
[0064]如图3B及图3D所示，该屏蔽件32b，32d的宽度r’大于该电子元件21的宽度t。
[0065]如图3C所示，该屏蔽件32b的宽度r’小于该电子元件21的宽度t。
[0066]于本实施例