第一扫描线14和发射控制线15对应的位置上被图案化以沿第一方向(参照图3)延伸。第二扫描线24、第一扫描线14和发射控制线15的一部分变成开关TFT T2至T7的栅电极G2至G7。
[0117]存储电容器Cst的第一电极51与驱动TFT Tl的有源层Al的沟道区叠置作为浮置电极。即，存储电容器Cst的第一电极51起驱动TFT Tl的驱动栅电极Gl的作用。
[0118]通过使用第一金属图案层241和存储电容器Cst的第一电极51作为掩模将杂质注入到有源层Al至A7中，因此，形成源电极SI至S7以及漏电极Dl至D7。杂质可根据使用的TFT的类型来改变，即，它们可以是N型杂质或P型杂质。
[0119]图5C是示出第三掩模工艺的剖视图。
[0120]参照图5C和图3，在基板100的整个表面上形成第二绝缘层103，形成第二金属层(未示出)并将第二金属层图案化以形成第二金属图案层242和存储电容器Cst的第二电极52。因此，第二金属图案层242和存储电容器Cst的第二电极52可由相同的材料形成在彼此相同的层面上。
[0121]第二绝缘层103是第二栅绝缘层并且可由有机电绝缘材料和/或无机电绝缘材料形成。作为实施例，第二绝缘层103可由SiNx、Si02、氧化铪或氧化铝形成。第二绝缘层103的一部分形成布置在第一金属图案层241上的中间绝缘层103a，第二绝缘层103的另一部分形成布置在存储电容器Cst的第一电极51上的介电层103b。
[0122]第二金属层可包括一种或更多种下面的材料:钼(Mo)、招(Al)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、络(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu) ο
[0123]第二金属图案层242沿第一方向(参照图3)延伸并可具有与第一金属图案层241基本上相同的图案。金属图案层242包括在与将形成第一接触孔的位置对应的位置处的第一孔242h。第二绝缘层103的上表面通过第一孔242h而被暴露。存储电容器Cst的第二电极52与第一电极51叠置作为浮置电极。
[0124]图f5D是示出第四掩模工艺的剖视图。
[0125]参照图和图3，在基板100的整个表面上形成第三绝缘层104，形成通孔104h和第一接触孔Cntl至第八接触孔Cnt8。
[0126]第三绝缘层104是由有机电绝缘材料和/或无机电绝缘材料形成的层间绝缘层。根据本实施例，第三绝缘层104可包括Si02、SiNx、氮氧化硅(S1N)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(T12)、氧化钽(Ta2O5)、氧化給(HfO2)或氧化错(ZrO2)。
[0127]当形成通孔104h时，去除中间绝缘层103a的通过第一孔242h暴露的部分，因此，在中间绝缘层103a中形成暴露第一金属图案层241的上表面的第二孔103h。第一孔242h和第二孔103h彼此叠置，第一孔242h和第二孔103h的中心基本上对准。第一孔242h和第二孔103h具有彼此基本上相同的尺寸并形成第一接触孔Cntl。
[0128]在第三绝缘层104中的通孔104h的尺寸大于第一接触孔Cntl的尺寸。例如，第三绝缘层104的通孔104h的内径W2大于第一接触孔Cntl的外径W1，从而可通过通孔104h来暴露第二金属图案层242的上表面。
[0129]第二接触孔Cnt2暴露第一初始化TFT T4的初始化源电极S4，第三接触孔Cnt3暴露存储电容器Cst的第一电极51，第四接触孔Cnt4暴露数据传输源电极S2，第五接触孔Cnt5暴露第一发射控制源电极S5、第六接触孔Cnt6暴露第二发射控制漏电极D6、第七接触孔Cnt7暴露第二初始化漏电极D7。第八接触孔Cnt8暴露存储电容器Cst的第二电极52。
[0130]图5E是示出第五掩模工艺的剖视图。
[0131]参照图5E和图3，形成第三金属层(未示出)并将第三金属层图案化以形成第三金属图案层243、数据线16、驱动电压线26、连接线27以及第一覆盖金属CMl和第二覆盖金属CM2。因此，第三金属图案层243、数据线16、驱动电压线26、连接线27以及第一覆盖金属CMl和第二覆盖金属CM2由相同的材料形成在相同的层面上。
[0132]第三金属层可包括下面的材料的两个金属层或更多个金属层:A1、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W、Cu 以及它们的合金。
[0133]第三金属图案层243是岛型图案并且接触通过第一接触孔Cntl和通孔104h暴露的第一金属图案层241和第二金属图案层242以使第一金属图案层241和第二金属图案层242彼此电连接。例如，第三金属图案层243接触第一金属图案层241的上表面的一部分和第二金属图案层242的侧表面和上表面。
[0134]第一金属图案层241和第二金属图案层242具有沿第一方向延伸的相同的图案并且经由第三金属图案层243彼此电连接。具有第一金属图案层241和第二金属图案层242的多层的(例如，双层的)结构的第一扫描线14和第二扫描线24以及发射控制线15中的每条的电阻小于单个金属图案层的电阻，因此，由于电阻的减小而可减小或防止显示装置的RC延时。
[0135]数据线16和驱动电压线26沿第二方向延伸。数据线16经由第四接触孔Cnt4连接到数据传输源电极S2。驱动电压线26经由第五接触孔Cnt5连接到第一发射控制源电极S5并且经由第八接触孔Cnt8连接到存储电容器Cst的第二电极52以形成网状结构。因此，存储电容器Cst的第二电极52可将电位维持在恒定电平。
[0136]连接线27经由第二接触孔Cnt2和第三接触孔Cnt3而将第一初始化TFT T4与驱动TFT Tl彼此电连接。
[0137]第一覆盖金属CMl经由第六接触孔Cnt6连接到第二发射控制漏电极D6，第二覆盖金属CM2经由第七接触孔Cnt7连接到第二初始化漏电极D7。
[0138]图5F是示出第六掩模工艺和第七掩模工艺的剖视图。
[0139]参照图5F和图3，在基板的整个表面上形成作为平坦化层的第四绝缘层105，形成穿透第四绝缘层105的第一通路孔Vial和第二通路孔Via2(第六掩模工艺)。在与第六接触孔Cnt6对应的位置处形成第一通路孔Vial以暴露第一覆盖金属CMl，在与第七接触孔Cnt7对应的位置处形成第二通路孔Via2以暴露第二覆盖金属CM2。
[0140]以下，形成像素电极210和初始化电压线22 (第七掩模工艺)。
[0141]通过第一通路孔Vial将像素电极210连接到第一覆盖金属CM1，然后经由第一覆盖金属CMl将像素电极210连接到第二发射控制TFT T6。通过第二通路孔Via2将初始化电压线22连接到第二初始化TFT T7。
[0142]尽管未在附图中示出，但形成了暴露像素电极210的上表面的像素限定层(未示出)(第八掩模工艺)，并且在由像素限定层限定的开口中形成包括有机发射层的中间层。在基板的整个表面上形成覆盖像素I的对电极(未示出)以制造例如作为OLED显示器的显示装置。
[0143]在本实施例中，将有机发射层设置在像素电极210与对电极之间，但一个或更多个实施例不限于此。作为另一实施例，可在像素电极210与对电极之间布置液晶层以形成液晶显示器(IXD)。
[0144]图6是根据另一实施例的显示装置的剖视图。图6的剖视图与沿图3的线A-A’、B-B’和C-C’截取的横截面对应。
[0145]参照图6，第一金属图案层241、第二金属图案层242以及设置在第一金属图案层241与第二金属图案层242之间的中间绝缘层103a可具有彼此基本上相同的图案。另外，存储电容器Cst的第一电极51和第二电极52以及设置在第一电极51与第二电极52之间并且由相同的材料形成在与中间绝缘层103a相同的层面上的介电层103b可具有彼此基本上相同的图案。
[0146]与上面参照图4描述的显示装置形成对照，根据图6实施例的显示装置包括中间绝缘层103a和介电层103b被图案化的结构。通过区分制造显示装置的方法来得到图6的显示装置并将在下面描述根据本实施例的方法。
[0147]图7A至图7H是示出根据另一实施例的制造显示装置的工艺的剖视图。为了便于描述，将参照图7A至图7H和图3 —起来描述所述工艺。
[0148]图7A是第一掩模工艺的剖视图。
[0149]参照图7A和图3，在缓冲层101形成在其上的基板100上形成半导体层(未示出)并将半导体层图案化以形成有源层Al至A7。可通过使用上面描述的材料来形成半导体层。
[0150]图7B至图7E是示出第二掩模工艺的剖视图。
[0151]参照图7B，在基板100的整个表面上顺序地形成第一金属层310、第二绝缘层103以及第二金属层320。第一金属层310、第二绝缘层103和第二金属层320可由上面在先前实施例中描述的材料形成。之后，在需要图案化操作的区域上通过使用半色调掩模形成光致抗蚀剂PR。在图7B中示出的光致抗蚀剂PR中，比其他区域薄的区域与半色调掩模的半色调区域对应。
[0152]参照图7C，通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模同时图案化第一金属层310、第二绝缘层103和第二金属层320。可通过使用干法蚀刻法来执行图案化，但不限于此。作为图案化操作的结果，形成了第一金属图案层241、中间绝缘层103a、第二金属图案层242、存储电容器Cst的第一电极51和第二电极52以及介电层103b。存储电容器Cst的第一电极51形成在驱动有源层Al上并起驱动栅电极Gl的作用。
[0153]之后，执行灰化工艺(参照图7D)并通过使用剩余的光致抗蚀剂PR作为掩模执行图案化(参照图7E)。可通过使用干法蚀刻法来执行图案化，但不限于此。作为图案化操作的结果，在第二金属图案层242中形成了第一孔242h。
[0154]接下来，去除剩余的光致抗蚀剂PR，并通过使用图案化的第一金属层和第二金属层作为掩模注入杂质。可选择地，通过使用图案化的第一金属层和第二金属层作为掩模注入杂质，然后，去除剩余的光致抗蚀剂PR。当注入杂质时，可形成源电极SI至S7以及漏电极Dl至D7(参照图3)。
[0155]图7F示出第三掩模工艺。
[0156]参照图7F和图3，在基板100的整个表面上形成第三绝缘层104并将第三绝缘层104图案化以形成通孔104h和第一接触孔Cntl至第八接触孔Cnt8。
[0157]当形成通孔104h时，去除通过第一孔242h暴露的中间绝缘层103a，从而在中间绝缘层103a中形成暴露第一金属图案层241的上表面的第二孔103h。第一孔242h和第二孔1