本实用新型涉及电路板的零部件，特别是涉及一种校正网络用低温压合微波基板。
背景技术：
每根天线的射频(RF)端需要两套电路来分别完成信号的发送和接收，由于硬件方面的工艺误差，加上放大器的非线性失真，很难实现射频端的两套电路具有完全一致的特性。另外，每个射频电路的特征响应也随着器件差异、工作频率、时间以及外部环境(如温度、湿度等)的变化而变化。这样，从对基带信号的影响上看，发送通道和接收通道等效地对信道乘以不同的系数，导致了信道的互易性受损。为了消除各个射频接收和发送通道之间的偏差对信道的影响，保证RF通道的互易性，需要采用射频通路的校准技术。射频通路校准的主要目的是保证多个射频拉远单元(RRU)的RF发送通道幅度和相位的一致性。
由于天线自身设计要求，天线体积大小决定校正网络板体积偏小。体积偏小导致对基材自身的损耗要求也偏小，且成为校正网络板的硬指标要求。高频微波基板的自身介质的选择直接影响高频微波基板。传统生产工艺为PTFE、玻纤、反转铜箔复合材料组成高频微波基板。由于PTFE自身粘附惰性要求生产工艺中需要进行长时间的高温压合才能够满足铜箔与PTFE间的粘附效果。传统生产工艺中长时间的高温压合，会使PTFE自身变质，最终影响PTFE优质的介质损耗，至使传统生产工艺高频微波基板在校正网络基板应用上，一次合格率偏低。
技术实现要素：
针对上述现有技术现状，本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种校正网络用低温压合微波基板，其能有效的减少因高温带来的PTFE变质问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型所提供的一种校正网络用低温压合微波基板，包括：
玻纤布；
两层PTFE薄膜，两层PTFE薄膜分别固定在所述玻纤布的两侧面上；以及
两层反转铜箔，两层反转铜箔分别通过FEP膜固定在两层所述PTFE薄膜与所述玻纤布背对的侧面上。
在其中一个实施例中，所述FEP膜的厚度为0.015～0.025mm。
在其中一个实施例中，所述反转铜箔的粗造度为2～3um。
在其中一个实施例中，所述反转铜箔、所述FEP膜、所述PTFE薄膜及所述玻纤布采用热压工艺组合在一起。
与现有技术相比，本实用新型提供的校正网络用低温压合微波基板，反转铜箔与PTFE薄膜通过FEP膜进行粘附，FEP具有与PTFE相似的特性，而FEP的结晶熔化点为304℃，通过实验验证反转铜箔与PTFE之间可在320摄氏度左右通过高压起到粘附作用，从而将原本的380℃以上的压合温度调整至320℃左右，实现了原材料的低损耗性能最大保留，最终实现了满足客户对此项产品性能要求。
本实用新型附加技术特征所具有的有益效果将在本说明书具体实施方式部分进行说明。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的校正网络用低温压合微波基板的结构示意图。
附图标记说明：1、反转铜箔；2、FEP膜；3、玻纤布；4、PTFE薄膜。
具体实施方式
下面参考附图并结合实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。
参见图1，本实用新型其中一个实施例中的校正网络用低温压合微波基板包括两层反转铜箔1、两层FEP膜2、两层PTFE薄膜4及玻纤布3，其中，两层PTFE薄膜4分别固定在玻纤布3的两侧面上。玻纤布3和PTFE薄膜4为介质材料，PTFE薄膜4的介电性能和耐高低温性能优良。
两层反转铜箔1分别通过FEP膜2固定在两层所述PTFE薄膜4与所述玻纤布3背对的侧面上。本实用新型实施例的校正网络用低温压合微波基板，反转铜箔与PTFE薄膜通过FEP膜进行粘附，FEP具有与PTFE相似的特性，而FEP的结晶熔化点为304℃，通过实验验证反转铜箔与PTFE之间可在320摄氏度左右通过高压起到粘附作用，从而将原本的380℃以上的压合温度调整至320℃左右，实现了原材料的低损耗性能最大保留，最终实现了满足客户对此项产品性能要求。
较优地，所述FEP膜的厚度为0.015～0.025mm，进一步地，所述FEP膜的厚度为0.02mm。此厚度可以减少FEP含量，因为较多的FEP含量将会导致在高压下出现过量流胶，过量的流胶将影响产品质量及一致性。
较优地，所述反转铜箔1的粗造度为2～3um，优选地，反转铜箔1的粗造度为2.5um。本实施例中的校正网络用低温压合微波基板，将反转铜箔降低至2～3um，降低之后将对PCB基板生产过程中的线路制作精度大大提高，从而保证产品高PIM值精度要求。
优选地，所述反转铜箔1、所述FEP膜2、所述PTFE薄膜4及所述玻纤布3采用热压工艺组合在一起，可以提高附着力。
综上，本实用新型实施例的校正网络用低温压合微波基板，通过采用与PTFE相似特性的FEP膜作为粘接膜，且FEP膜熔点低，实现了原材料的低损耗性能最大保留，最终实现了满足客户对此项产品性能要求。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。