本发明涉及PCB加工技术领域，具体涉及一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法。
背景技术：
随着电子产品的功能多样性发展，PCB承载的性能也越来越多，如PCB上RF线设计、局部插件信号传输、局部高电压设计等，此种类型设计需求PCB局部或者整面图形孤立（孤立图形设计，是指空旷区布双线、双PAD、双孔或者其它异形图形，图形间没有足够的间距保证补偿）。因图形分布不均，导致在图形电镀时不同区域电流密度难以一致，蚀刻图形均匀性、图形公差等控制困难，甚至导致夹膜、孔小、喇叭孔等品质不良。
为了改善孤立图形电镀难的问题，提升电镀效率，提高孤立图形设计的PCB电镀品质，成立“PCB孤立图形蚀刻方法”的专项研究势在必行。
结合线路板领域的传统工艺，通过将PCB孤立图形设计分类调整补偿参数，优化各种设计的流程制作方式，达到降低工时成本、品质成本，保持生产顺畅，控制产品良率的目的，从而提高企业利润以及提升公司综合竞争力，占领并扩大市场占有率。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种适用于具有局部孤立图形设计的、铜厚2OZ-3OZ的PCB的二次干膜蚀刻方法，而铜厚度越大，则电镀成品铜厚越大（部分电镀孔铜厚度越大），造成蚀刻差异就越大，为了维持生产品质，必须对工艺和参数进行改进。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，包括如下步骤：
a.图形转移；将处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层，在紫外光照射下，将菲林上的线路图形转移至铜面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被膜保护的不需要的铜箔，将在随后的蚀刻工艺中被蚀刻掉，经过蚀刻后再褪去抗蚀膜，即得到所需裸铜电路图形。
b.图形电镀；
c.图形蚀刻；
d.第二次图形转移；
e.第二次蚀刻；
其中，所述的c步骤包括碱性蚀刻，非孤立图形区完全蚀刻不留残铜；
所述的d步骤包括如下步骤：贴一层干膜：干膜厚度25-35um；第一次压模：压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃；贴一层干膜：干膜厚度25-35um；第二次压模：压膜速度1.8±0.5m/min，压膜温度100±5℃；曝光：孤立图形开窗单边补偿1.2-1.5mil（开窗则指在需要焊接或散热的地方把铜箔裸露在绿油层或阻焊层外），非孤立图形区不开窗，曝光尺6格满，台面真空-300至-370mmHg；显影：显影点控制55±5%。
所述e步骤为酸性蚀刻，参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2，蚀刻次数1次。
补偿: PCB在运输、放置、生产过程中，因为温湿度、机器、人为、等各种因素造成PCB本身涨缩。在此情况下，如果不修改工具（钻孔、菲林、网板等）的涨缩值（即补偿值），实际工具资料跟PCB本身就会有偏差，生产出的PCB不符合实际需求。所以需要应用补偿值，尽可能的让PCB符合实际应用需求。
本发明具有如下有益效果：
正常完成第一次图形转移+图形电镀，碱性蚀刻控制非孤立图形区蚀刻干净，孤立图形区再通过压两次干膜的方式进行第二次图形转移+酸性蚀刻，将残留的基铜蚀刻掉。优选生产参数，杜绝在碱性蚀刻时过多蚀刻出现锡陷落、线宽超公差、蚀刻因子不达标等问题，在铜厚2OZ-3OZ的情况下，保证产品符合客户设计，同时保证产品品质要求，提高产品良率。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
实施例1
一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，包括如下步骤：
a.图形转移；
b.图形电镀；
c.图形蚀刻；
d.第二次图形转移；
e.第二次蚀刻；
其中，所述的c步骤包括碱性蚀刻，非孤立图形区完全蚀刻不留残铜；
所述的d步骤包括如下步骤：贴一层干膜：干膜厚度30um；第一次压模：压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃；贴一层干膜：干膜厚度30um；第二次压模：压膜速度1.8±0.5m/min，压膜温度100±5℃；曝光：孤立图形开窗单边补偿1.2mil（开窗则指在需要焊接或散热的地方把铜箔裸露在绿油层或阻焊层外），非孤立图形区不开窗，曝光尺6格满，台面真空-340mmHg；显影：显影点控制55±5%。
所述e步骤为酸性蚀刻，参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2，蚀刻次数1次。
通过应用本蚀刻方法，夹膜、孔小、喇叭孔等品质不良率降低约90%，提升生产效率，提高产品达交率。
实施例2
一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，包括如下步骤：
a.图形转移；
b.图形电镀；
c.图形蚀刻；
d.第二次图形转移；
e.第二次蚀刻；
其中，所述的c步骤包括碱性蚀刻，非孤立图形区完全蚀刻不留残铜；
所述的d步骤包括如下步骤：贴一层干膜：干膜厚度35um；第一次压模：压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃；贴一层干膜：干膜厚度25um；第二次压模：压膜速度1.8±0.5m/min，压膜温度100±5℃；曝光：孤立图形开窗单边补偿1.3mil（开窗则指在需要焊接或散热的地方把铜箔裸露在绿油层或阻焊层外），非孤立图形区不开窗，曝光尺6格满，台面真空-300mmHg；显影：显影点控制55±5%。
所述e步骤为酸性蚀刻，参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2，蚀刻次数1次。
通过应用本蚀刻方法，夹膜、孔小、喇叭孔等品质不良率降低约90%，提升生产效率，提高产品达交率。
实施例3
一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，包括如下步骤：
a.图形转移；
b.图形电镀；
c.图形蚀刻；
d.第二次图形转移；
e.第二次蚀刻；
其中，所述的c步骤包括碱性蚀刻，非孤立图形区完全蚀刻不留残铜；
所述的d步骤包括如下步骤：贴一层干膜：干膜厚度31um；第一次压模：压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃；贴一层干膜：干膜厚度30um；第二次压模：压膜速度1.8±0.5m/min，压膜温度100±5℃；曝光：孤立图形开窗单边补偿1.5mil（开窗则指在需要焊接或散热的地方把铜箔裸露在绿油层或阻焊层外），非孤立图形区不开窗，曝光尺6格满，台面真空-370mmHg；显影：显影点控制55±5%。
所述e步骤为酸性蚀刻，参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2，蚀刻次数1次。通过应用本蚀刻方法，夹膜、孔小、喇叭孔等品质不良率降低约90%，提升生产效率，提高产品达交率。