表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器、半导体封装及印刷配线板的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器、半导体封装 用电路形成基板、半导体封装及印刷配线板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 关于印刷配线基板及半导体封装基板的电路形成法，减成法为主流，但随着近年 来进一步的微细配线化，M-SAP (改进半加成法，Modified Semi-Additive Process)、或使 用铜箔的表面轮廓的半加成法等新颖的工法兴起。
[0003] 这些新颖的电路形成法中，作为后者的使用铜箔的表面轮廓的半加成法的一例， 可列举如下。即，首先，将积层在树脂基材的铜箔进行整面蚀刻，利用激光等对转印有铜箔 表面轮廓的蚀刻基材面进行开孔，设置用以使开孔部导通的无电解镀铜层，利用干膜被覆 无电解镀铜表面，通过UV曝光及显影而将电路形成部的干膜去除，对未被干膜覆盖的无电 解镀铜面实施电镀铜，将干膜进行剥离，最后利用含有硫酸、双氧水的蚀刻液等对无电解镀 铜层进行蚀刻（快速蚀刻、迅速蚀刻），由此形成微细电路。此外，在本制程例中，用以无电 解镀铜的触媒处理、用以使铜表面洁净化的酸洗处理等各种各样，其记载省略（日本专利 文献1、日本专利文献2)。
[0004] [现有技术文献]
[0005] [日本专利文献]
[0006] [日本专利文献1]日本特开2006-196863号公报 [0007][日本专利文献2]日本特开2007-242975号公报
【发明内容】
[0008] [发明要解决的问题]
[0009] 在使用铜箔表面的轮廓的半加成法中，通常对积层在树脂的铜箔进行蚀刻。然而， 就蚀刻而言，所使用的药液、排水处理等花费成本，进而对环境的负荷也较大。进而，在利用 蚀刻将铜箔去除的情况下，虽也取决于基材种类及蚀刻条件，但也有损伤铜箔表面的轮廓 之虞。因此，利用蚀刻的铜箔去除欠佳。
[0010] [解决问题的技术手段]
[0011] 本发明人等进行努力研宄，结果发现，对于具有表面凹凸或粗化粒子的铜箔而言， 在该铜箔设置脱模层而使将铜箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理剥离，由此在将铜箔 自树脂基材进行去除的步骤中，无需进行蚀刻，不会损伤转印在树脂基材的表面的铜箔表 面的轮廓，可以良好的成本将铜箔去除。
[0012] 基于以上见解而完成的本发明在一个态样是一种表面处理铜箔，其具备：铜箔，其 是不具有粗化粒子，且依据JIS B0601 (1994年）所测得的Rz为0. 1~5. 0 μ m的具有表面 凹凸的铜箔；与脱模层，其是设置在所述铜箔的具有表面凹凸的面的脱模层，且使从所述脱 模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离。
[0013] 本发明在另一个态样是一种表面处理铜箔，其具备：铜箔，其具有粗化粒子；与脱 模层，其设置在所述铜箔的粗化粒子面，且使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时 的所述树脂基材可剥离。
[0014] 在本发明的表面处理铜箔的一个实施方式中，从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树 脂基材时，将所述树脂基材进行剥离时的剥离强度为200gf/cm以下。
[0015] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述脱模层是将下式所示的硅烷 化合物、其水解生成物、该水解生成物的缩合物单独使用或组合多种使用而成，
[0016] [化 1]
[0017]
[0018] (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，R3及R4分别独立 为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中的烃基，或者为一个 以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基）。
[0019] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述脱模层是使用分子内具有2 个以下的巯基的化合物而成。
[0020] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述脱模层是将下式所示的铝酸 酯化合物、钛酸酯化合物、锆酸酯化合物、这些的水解生成物、该水解生成物的缩合物单独 使用或组合多种使用而成，
[0021] [化 2]
[0022] (R1)m-M-(R2) n
[0023] (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，M为Al、Ti、Zr中 的任一种，η为0或1或2, m为1以上且M的价数以下的整数，R1的至少1个为烷氧基，此 外，m+n为M的价数，即在为Al的情况下为3,在为Ti、Zr的情况下为4)。
[0024] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在所述铜箔与所述脱模层之间设 置有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的族群中的一种以上 的层。
[0025] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在所述表面处理铜箔的表面设置 有树脂层。
[0026] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述树脂层为粘接用树脂、底漆 或半硬化状态的树脂。
[0027] 在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述表面处理铜箔的厚度为9~ 70 μ m〇
[0028] 另外，在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，本发明的表面处理铜箔可 用于印刷配线板的制造方法，该制造方法具备：从所述脱模层侧将树脂基材贴合在所述表 面处理铜箔的步骤；获得通过将所述表面处理铜箔在不进行蚀刻的情况下从所述树脂基材 剥离而在剥离面转印有所述铜箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在转印有所述表面轮廓 的树脂基材的所述剥离面侧形成电路的步骤。
[0029] 另外，在本发明的表面处理铜箔的又一个实施方式中，本发明的表面处理铜箔具 备：铜箔，其是不具有粗化粒子，且依据JIS B0601 (1994年）所测得的Rz为0. 1~5. 0 μ m 的具有表面凹凸的铜箔；与脱模层，其是设置在所述铜箔的具有表面凹凸的面的脱模层，且 使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离；或者具备：
[0030] 铜箔，其具有粗化粒子；与脱模层，其是设置在所述铜箔的粗化粒子面的脱模层， 且使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离；且
[0031] 满足以下（A)~（I)中的任一项以上。
[0032] (A)从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时，将所述树脂基材进行剥离时的 剥离强度为200gf/cm以下；
[0033] (B)所述脱模层是将下式所示的硅烷化合物、其水解生成物、该水解生成物的缩合 物单独使用或组合多种使用而成，
[0034]
[0035] (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，R3及R4分别独立 为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中的烃基，或者为一个 以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基）；
[0036] (C)所述脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而成；
[0037] (D)所述脱模层是将下式所示的铝酸酯化合物、钛酸酯化合物、锆酸酯化合物、这 些的水解生成物、该水解生成物的缩合物单独使用或组合多种使用而成，
[0038] (R1)m-M-(R2) n
[0039] (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，M为Al、Ti、Zr中 的任一种，η为0或1或2, m为1以上且M的价数以下的整数，R1的至少1个为烷氧基，此 外，m+n为M的价数，即在为Al的情况下为3,在为Ti、Zr的情况下为4);
[0040] (E)在所述铜箔与所述脱模层之间设置有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及 硅烷偶联处理层所组成的族群中的一种以上的层；
[0041] (F)在所述表面处理铜箔的表面设置有树脂层；
[0042] (G)在所述（F)中，所述树脂层为粘接用树脂、底漆或半硬化状态的树脂；
[0043] (H)所述表面处理铜箔的厚度为9~70 μ m ;
[0044] (I)可用于印刷配线板的制造方法，该制造方法具备：从所述脱模层侧将树脂基 材贴合在所述表面处理铜箔的步骤；获得通过将所述表面处理铜箔在不进行蚀刻的情况下 从所述树脂基材剥离而在剥离面转印有所述铜箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在转印 有所述表面轮廓的树脂基材的所述剥离面侧形成电路的步骤。
[0045] 本发明在另一个态样是一种覆铜积层板，其具备：本发明的表面处理铜箔、与设置 在所述表面处理铜箔的脱模层侧的树脂基材。
[0046] 本发明的覆铜积层板的所述树脂基材为预浸体，或含有热硬化性树脂。
[0047] 本发明在又一个态样是一种印刷配线板，其使用本发明的表面处理铜箔。
[0048] 本发明在又一个态样是一种印刷配线板，其是使用本发明的表面处理铜箔而制 造。
[0049] 本发明在又一个态样是一种半导体封装，其具备本发明的印刷配线板。
[0050] 本发明在又一个态样是一种电子机器，其使用本发明的印刷配线板或半导体封 装。
[0051] 本发明在又一个态样是一种印刷配线板的制造方法，其具备：从所述脱模层侧将 树脂基材贴合在本发明的表面处理铜箔的步骤；通过将所述表面处理铜箔在不进行蚀刻的 情况下从所述树脂基材剥离，而获得在剥离面转印有所述铜箔的表面轮廓的树脂基材的步 骤；及在转印有所述表面轮廓的树脂基材的所述剥离面侧形成电路的步骤。
[0052] 另外，本发明在又一个态样是一种树脂基材，其是从所述脱模层侧将树脂基材贴 合在本发明的表面处理铜箔后，通过将所述表面处理铜箔在不进行蚀刻的情况下从所述树 脂基材剥离而在剥离面转印有所述铜箔的表面轮廓的树脂基材。
[0053] [发明的效果]
[0054] 本发明提供一种向铜箔贴合树脂基材后，将铜箔自树脂基材去除时，无需进行蚀 亥IJ，不会损伤转印在树脂基材的表面的铜箔表面的轮廓，可以良好的成本将铜箔去除的表 面处理铜箔。
【附图说明】
[0055] 图1是表示使用铜箔的轮廓的半加成法的概略例。
【具体实施方式】
[0056] 本发明的表面处理铜箔具备：铜箔，其是不具有粗化粒子，且依据JIS B0601 (1994 年）所测得的Rz为〇. 1~5. 0 μ m的具有表面凹凸的铜箔；与脱模层，其是设置在铜箔的具 有表面凹凸的面的脱模层，且使从脱模层侧向铜箔贴合树脂基材时的树脂基材可剥离。此 外，脱模层也可设置在铜箔的两面。另外，关于贴合，也可进行压接而进行贴合。
[0057] 本发明的表面处理铜箔在另一个态样具备：铜箔，其具有粗化粒子；与脱模层，其 设置在所述铜箔的粗化面，且使从脱模层侧向铜箔贴合树脂基材时的树脂基材可剥离。此 外，脱模层也可设置在铜箔的两面。
[0058] 铜箔（也称为生箔）也可由电解铜箔或压延铜箔中的任一种形成。铜箔的厚度没 有特别限定，例如可设为5~105 μπι。另外，就自树脂基材的剥离变容易的方面而言，表面 处理铜箔的厚度优选9~70 μ m，更优选12~35 μ m，进而更优选18~35 μ m。
[0059] 作为铜箔（生箔）的制造方法，没有特别限定，例如在制造普通电解生箔的情况 下，可将电解条件设为下述。
[0060] 普通电解生箔的电解条件：
[0061] Cu :80 ~120g/L
[0062] H2SO4:80 ~ 120g/L
[0063] 氯化物离子（CD :30~IOOppm
[0064] 均化剂（胶）：0· 1 ~IOppm
[0065] 电解液温度：50~65 °C
[0066] 电解时间：10~300秒（根据所析出的铜厚、电流密度进行调整）
[0067] 电流密度：50 ~150A/dm2
[0068] 电解液线速：1. 5~5m/sec
[0069] 另外，在制作两面平坦电解生箔的情况下，可将电解条件设为下述。
[0070] 两面平坦电解生箔的电解条件
[0071] 铜：80 ~120g/L
[0072] 硫酸：80 ~120g/L
[0073] 氯：30 ~IOOppm
[0074] 均化剂1 (双（3磺丙基）二硫化物）：10~30ppm
[0075] 均化剂2 (胺化合物）：10~30ppm
[0076] 电解液温度：50~65 °C
[0077] 电解时间：0. 5~10分钟（根据所析出的铜厚、电流密度进行调整）
[0078] 电流密度：70 ~100A/dm2
[0079] 电解液线速：1. 5~5m/sec
[0080] 所述胺化合物可使用以下的化学式的胺化合物。
[0081] [化 3]
[0082]
[0083] (所述化学式中，&及1?2为选自由羟烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃 基、烷基所组成的族群中者）。
[0084] 本发明中自铜箔将树脂基材进行「剥离」，意指通过剥离等而自铜箔将树脂基材物 理剥离而并非通过利用蚀刻等的化学处理而自树脂