5-HT3AR抑制剂Ondansetron的新用途
【专利摘要】本发明涉及5-HT3AR抑制剂Ondansetron的新用途。本发明将不同剂量的Ondansetron在BmKI注射前30分钟注入大鼠鞘内L5-L6骶骨间隙，研究不同剂量Ondansetron在实验性自发痛、阵发性痛觉大发作、双侧机械痛敏和单侧热痛敏等现象中的缓解作用。该项发明建立在实验性动物炎症痛模型上，为研究5-HT3AR信号途径相关的镇痛分子机制及研发新型镇痛药物提供了依据。
【专利说明】5-HT3AR抑制剂Ondansetron的新用途
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种5-HT3AR抑制剂Ondansetron的新用途。
【背景技术】
[0002]疼痛在广义上可分为急性痛和慢性痛。前者是躯体不可缺少的一种保护机制，后者则由外伤、感染、炎症和肿瘤等各种病因引起，因其病程长，恢复慢，发病机制复杂等，已成为当前危害人们健康的重要原因。由于慢性痛在临床上缺乏有效的缓解策略，现有的药物如吗啡、非留体类抗炎药等存在镇痛效果不佳、成瘾以及毒副作用等问题。因此，阐明其分子机理并寻找有效的镇痛策略，已成为生命医学领域的重点。
[0003]为了模拟人类慢性痛的临床症状，研究者们建立了若干不同类型的炎症痛和神经病理痛实验动物模型。如:福尔马林模型(Formalin Model),角叉菜胶模型(CarrageenanModel),完全弗氏佐剂模型(CFA Model)，蜂毒模型(BeeVenom Test)等。尽管慢性痛的病因非常复杂，但其临床症状主要都表现为自发痛(spontaneous pain),痛觉过敏(hyperalgesia)和触诱发痛(allodynia)。自发痛指无外来刺激自发产生痛；痛觉过敏定义为机体对伤害性刺激产生夸大的痛反应；而触诱发痛则指非伤害性轻触刺激可产生疼痛感受。发生于损伤区的痛敏称为原发性痛敏(primary hyperalgesia),包括机械和热痛敏；机体损伤对侧的痛觉过敏称为镜像痛敏(mirror image hyperalgesia)。可是上述模型都不能有效的模拟临床疼痛的全部征状，因此寻找新型天然刺激物，更加准确有效模拟临床痛征状，建立同时呈现临 床持续自发痛和痛觉过敏相关反应的动物模型便成为疼痛研究的紧迫需要。
[0004]5-羟色胺(5-HT)是一种具有复杂功能的神经递质，其参与痛的调制备受关注。5-HT是伤害性感觉信息在脊髓水平传递的重要调节因子。调控外周伤害性信息向中枢传递的主要结构是脑干下行抑制系统，该系统由中脑导水管周围灰质(PAG)、脑干中缝核群及与其相邻的部分网状结构的核团组成。下行抑制系统中的5-HT与脊髓背角向丘脑投射的神经元、中间神经元和初级传入终末之间形成复杂的联系，发挥调节伤害性信息传递的作用。
[0005]5-HT的作用由其众多的受体亚型介导。迄今为止已发现7类5-HT受体，进而可细分为16种不同的亚型。5-HT3受体是5-HT受体家族中唯一的配体门控离子通道受体，它是由487个氨基酸残基组成的五聚体，在中枢和外周组织都有分布，在中枢集中分布在低位脑干的各个核团和脊髓的胶状质，皮质和边缘系统的海马等。5-HT3受体的激活可影响机体的多种功能，如引起血管舒张；通过激活肺和颈总动脉的化学反射性来调节呼吸功能；参与调节胃肠道平滑肌的紧张性以及通过腺体分泌参与人类的痛觉形成等。
[0006]Ondansetron的分子式为C17H18N40，其盐酸二水合物为白色结晶性固体，熔点为178.5~179.5°C。它是一种高度选择性的5-HT3受体拮抗剂，一般认为化疗药物和放射治疗可造成小肠释放5-HT，经由5-HT3受体激活迷走神经的传入支，触发呕吐反射，因此其在临床上的用途主要是抑制由化疗和放疗引起的恶心呕吐。由于越来越多的证据表明5-HT3受体在痛觉的中枢调控中发挥着不可替代的作用，因此Ondansetron在各种病理进程(炎症痛等)中的作用正处于广泛的分析和研究，其作为一种新型镇痛的药物的潜力非常巨大，那么在蝎蛰痛炎症模型中，Ondansetron是否能通过抑制5-HT3受体来影响疼痛症状，是否能为治疗蝎蛰痛提供新的药物靶点，这些都有较高的研究价值。
【发明内容】
[0007]本发明的目的之一在于提供一种5-HT3AR抑制剂Ondansetron在制备抑制BmK I诱导的双侧机械痛敏药物中的应用。
[0008]本发明的目的之二在于提供一种5-HT3AR抑制剂Ondansetron在制备BmK I诱导的单侧热痛敏药物中的应用。
[0009]本发明将Ondansetron在BmK I足底注射前30分钟鞘内注入大鼠脊髓L5-L6间隙，观察Ondansetron对于大鼠自发痛、大发作、双侧机械痛敏及热痛敏的缓解情况。结果证明:大鼠的自发缩足反射次数、痛觉大发作次数均可被两种剂量的Ondansetron所抑制。诱发痛方面，两种剂量的Ondansetron均可剂量相关性地抑制BmK I诱导的镜像机械痛敏和单侧热痛敏，而不影响对侧热痛阈。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为大鼠鞘内注射不同剂量Ondansetron后缓解自发缩足反应持续时程。
[0011]图2为大鼠鞘内注射不同剂量Ondansetron后缓解BmK I注射2小时内痛觉大发作总次数。
[0012]图3为不同剂量Ondansetron缓解注射侧机械痛敏持续时程。
[0013]图4为不同剂量Ondansetron缓解注射对侧机械痛敏持续时程。
[0014]图5为不同剂量Ondansetron缓解注射侧热痛敏持续时程。
[0015]图6为不同剂量Ondansetron缓解注射对侧热痛敏持续时程。
【具体实施方式】
[0016]BmK I 蝎蜇痛模型建立实验请参见 Bai ZT, LiuT, JiangF, ChengM, Pang XY, HuaLMj Shi Jj Zhou JJj Shu XQj Zhang JWj Ji YH.Phenotypes and peripheral mechanismsunderlying inflammatory pain-related behaviors induced by BmK I，a modulator ofsodium channels.Exp.Neurol., 226 (2010) 159 - 172.实施例一:不同剂量Ondansetron缓解大鼠自发缩足及痛觉大发作反应的观察在铺有一面玻璃镜的桌上放一高75 cm支架，架上置一 20X20X30cm3透明有机玻璃盒子，自桌上的镜中观察大鼠足底给药后的反应。药物注射前，将大鼠提前30分钟置于盒中适应实验环境。足底注射BmK I后，动物放回检测盒，持续观测自发痛行为。以每5分钟自发抬足次数、撕叫等痛觉大发作次数来评价伤害性自发痛反应。Ondansetron的给药方式为BmK I注射前30分钟分别在大鼠鞘内注射浓度为5ug/ul或10ug/ul的IOul药品。Ondansetron对大鼠自发痛及痛觉大发作行为的缓解情况详见图1~图2。
[0017]结果发现，大鼠的自发缩足反射次数、痛觉大发作次数均可被上述两种剂量的Ondansetron所抑制。Ondansetron对大鼠自发痛的抑制时间持续至少2 h。自发痛相关反应可很好的模拟临床急性痛症状，阵发性痛觉大发作行为可以很好的模拟临床阵发性痛觉发作症状。
[0018]实施例二:不同剂量Ondansetron缓解大鼠双侧机械痛敏反应的观察
实例一中自发痛基本消失后，将大鼠置于在钢丝网格(Icm2)上的有机玻璃盒(20 X 20 X 30 cm3)中。用一系列 Von Frey 纤维(58011, Stoelting C0., USA)(从 0.6 至Ij 26g)来测量机械缩足反射阈值。当大鼠注射侧后足接触地面并正常负重时即可测量。从网格下刺激动物注射侧后肢足底中心皮肤，每根纤维弯曲至适当程度停留2-3秒，两次测量间隔10秒。Von Frey纤维的刺激强度由小到大。如果没有缩足反射，使用更大克数的纤维继续测量，测量最大值为26 g。取能引起50%缩足反应的最小克数值为机械缩足反射阈值。机械痛阈值取毒素注射后4小时、8小时的时间点进行采集。Ondansetron对大鼠双侧机械痛敏的缓解情况详见图3~图4。
[0019]结果发现,两种剂量的Ondansetron均可剂量依赖性地抑制BmK I诱导的双侧机械痛敏。诱发的双侧机械痛敏可很好的模拟临床镜像痛的症状。
[0020]实施例三:不同剂量Ondansetron缓解大鼠热痛敏反应的观察
将一个20X20X30 cm3的有机玻璃罩放置在一块厚度为2毫米的玻璃板上,大鼠置于其中，玻璃下方是热痛刺激仪的卤素灯照射头(150 W，24 V，西安风岚器械厂出品，RTY-3型)。照射头距玻璃板的下表面调至3 cm，照射光圈直径调至3 mm照射在玻璃板下方。热刺激直接施加在大鼠后足足心。测量自动切断时间为20秒，以免损伤组织。同一位点重复测量5次。同一位点测量每两次间隔至少10分钟，不同位点测量每两次间隔5分钟。测三次，取平均值作为热缩足反射阈值。热痛阈值取毒素注射后4小时、8小时的时间点进行采集。Ondansetron对大鼠热痛敏的缓解情况详见图5~图6。
[0021]结果发现，两种剂量的Ondansetron均可剂量相关性地抑制BmK I诱导的单侧热痛敏，而不影响对侧热痛阈。诱发的热痛敏可以很好的模拟临床热痛觉过敏症状。
【权利要求】
1.5-HT3AR抑制剂Ondansetron在制备抑制BmK I诱导的双侧机械痛敏药物中的应用。
2.5-HT3AR抑制 剂Ondansetron在制备BmK I诱导的单侧热痛敏药物中的应用。
【文档编号】A61P29/00GK103989674SQ201410193628
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】吉永华, 傅晋, 焦云露, 李正威, 杨清湖 申请人:上海大学