B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法

文档序号:1888814阅读:333来源:国知局
专利名称:B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及压电陶瓷材料,具体是B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
压电陶瓷在信息、激光、导航、电子技术、通讯、计量检测、精密加工和传感技术等高技术领域应用广泛。但是目前实用的压电陶瓷绝大部分是锆钛酸铅(PZT)或以为锆钛酸铅为基的材料,这些材料中氧化铅含量约占70%左右,由于铅的污染问题,国际上正积极通过法律、法规、政府指令等形式对含铅的电子产品加以禁止。因此,研究高性能、低成本、实用型无铅压电、铁电材料的任务十分迫切。目前研究的无铅压电陶瓷体系中,钙钛矿结构的(Na1/2Bi1/2)Ti03(简称NBT)被认为是一种很有希望的无铅压电材料。NBT陶瓷具有许多很好的特性,如居里温度高(!>320°C),铁电性强匕=38 MC/cm2),压电系数大也為3约50%),热释电性能与PZT相当,声学性能好,介电常数小,烧结温度低。但BNT陶瓷矫顽场高,在铁电相区电导率高,NaO易吸水,烧结温区狭窄,导致了陶瓷的致密性和化学物理性能稳定性欠佳。针对这些问题,国内外的研究者对BNT基陶瓷的改性做了大量的研究工作,但随NBT基压电陶瓷性能的改善,伴随退极化温度的降低,其综合性能与铅基压电陶瓷还有很大差距,远远满足不了实际应用的要求。此外,无铅压电陶瓷体系中的铌酸钾钠(Ka5Naa5NbO3, KNN)系压电陶瓷因具有介电常数小、压电性能高、频率常数大、密度小、居里温度高及组成元素对人体友好等特点,被认为是很有前途替代PZT 的无铅压电材料之一。自从2004年日本的学者Y.Saito在nature发表论文报道了 Ka 5Naa5NbO3压电陶瓷压电常数J33达416 pC/N,引起了全世界研究Ka5Naa5NbO3基无铅压电陶瓷的热潮。但论文报道的性能是利用模板晶粒生长(TGG)特殊技术工艺法制备的取向织构的KNN基压电陶瓷,这种制备工艺条件要求苛刻,难以实现大规模生产。一般来说Ka5Naa5NbO3基无铅压电陶瓷烧结过程中Na易挥发,采用传统工艺制备的铌酸钾钠陶瓷的致密性差,需要采用热压,等静压与等离子烧结等特殊制备方法,这些新工艺因成本高、工艺复杂难以满足生产实际需要。同时Ka5Naa5NbO3体系中原料Nb2O5含量高,价格昂贵,不利于实用化。基于对铅基材料的广泛研究,人们认为铅与压电铁电性的起源密切相关,由于Bi具有与Pb类似的特性,即Bi在元素周期表上与Pb相邻,具有相同的电子分布、相近的离子半径和分子量,同时Bi的氧化物无毒,故铋基压电铁电材料成为无铅压电铁电材料研究的热点。由于简单的化合物BiMeOJg难合成,并且在常压下不稳定。这样使得研究者把目光投向B位复合离子BiMeMe' O3体系,研究发现这类材料大都具有畸变的钙钛矿结构。但现有文献还未有报道B位复合Bi (Lil72Mel72)O3基无铅压电陶瓷及制备方法的报道。

发明内容
本发明的目的是提供一种矫顽场低,易于极化,致密度高的、压电性能好的新型B位复合Bi基无铅压电陶瓷及其制备方法。实现本发明目的的技术方案是:B位Bi基无铅压电陶瓷用下述通式:
(l-x-y) Bi (Li1/2Me1/2) O3-XBaTiO3-J^ (Na1/2Bi1/2) TiO3 +^MaOb 来表示,其中表示
摩尔分数,0<x〈l.0,0<F〈1,0彡z彡0.1,Me为五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+f+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。五价元素Me为Nb、Sb、Ta、V、W、Mn和Bi中的一种或多种;一种或多种氧化物MaOb的 M 选自 La、Sm、Mn、Ce、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ge、Sc、L1、Na、K、Ca、Sr、Mg、Mn、Fe、Co、Cr和Sn的一种或多种。所述的新型B位复合 Bi基无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:包括下述步骤:
(1)将原料按照Bi (Lil72Mel72) 03> BaTiO3^ (Na1/2Bi1/2)TiO3> (Kl72Bil72)TiO3 化学配比配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚(加盖)中以600-1000° C焙烧1-8小时;获得粉末;
(2)将步骤(I)获得的粉末和MaOb原料按照方程式(In)Bi (Lil72Mel72)O3-XBaTiO3-J^(Nal72Bil72)Ti03+^Ma0b配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚(加盖)中以600-1000° C焙烧1-8小时;焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨6-12小时,干燥后获得粉末;
(3 )将步骤(2 )获得的粉末加入5% (重量百分比)浓度的PVA溶液造粒,在50-200MPa压力下压制成型;
(4)成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结,烧结温度980-1200°C,保温时间1-8小时;然后热压烧结,烧结温度600-900° C,保温时间10分钟-3小时;
(5)烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约Imm的薄片,披银电极,然后在硅油中极化,极化电场3000-8000V/mm,温度30-100° C,时间5-30分钟。与已有技术相比,本发明的特色体现在:
1.本发明的陶瓷组成是一种环境友好型压电陶瓷,能实现对部分现有的铅基压电陶瓷的替代。由于添加的铋在元素周期表上与铅相邻,具有相同的电子分布、相近的离子半径和分子量,因而无铅压电陶瓷的压电性主要来源于Bi3+离子。因此B位复合Bi基无铅压电陶瓷较现有产品更具有优良的压电性能。本发明可采用传统压电陶瓷制备技术,原料从工业用原料中获得,制备工艺简单、稳定,具有实用性。2.本发明采用分别合成组元方法和重复焙烧改善成分均匀性,采用高能球磨提高球磨效果,采用埋粉烧结与热压烧结改善微观结构,降低烧结温度,提高烧结致密度,优化压电性能,满足不同应用的需要。
具体实施例方式通过下面给出的实施例,可以进一步清楚的了解本发明的内容,但它们不是对本发明的限定。
实施例1:
制备成分为:(11-7) Bi (Lil72Mel72) O3-XBaTiO3-J^ (Na1/2Bi1/2) TiO3 +^MaOb,其中x=0.90,J-=0.06,^=0.01,Me=90%Nb+10%Ta,M=80%Er+20%Sc.的 B 位复合 Bi 基化合物组成的无铅压电陶瓷
制备方法包括如下步骤:
以分析纯Bi203、Na2CO3^ BaCO3> Li2CO3^ Nb2O5, Ta2O5和TiO2为原料,分别按照以下化学
式:
Bi (Lil72 (Nb0 9Ta01) 1/2) 03> BaTiO3^ (Nal72Bil72)TiO3
进行配料,以无水乙醇为介质高能球磨湿磨10小时,80 1:烘干后在750°C保温2小时预合成Bi (Lil72 (Nba9Taai) 1/2)03,在950°C保温2小时预合成BaTiO3,在850°C保温2小时预合成(Na1/2Bi1/2) TiO3瓷料。合成的Bi (Lil72 (Nba9Taai) 1/2) O3、BaTiO3、(Na1/2Bi1/2) TiO3 瓷料、Er203、Sc2O3 再根据方程式:(l-z-7) Bi (Lil72Mel72) O3-XBaTiO3-J^(Nal72Bil72) TiO3 +^MaOb 配料,以无水乙醇为介质经二次高能球磨湿磨8小时,干燥后在氧化铝坩埚中以900° C焙烧2小时;焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨12小时,烘干后过300目筛,获得粉末;然后加5%浓度的PVA溶液作为粘结剂,在120 MPa压 力下压制成素坯,成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结,烧结温度1100° C,保温时间5小时;然后热压烧结,烧结温度900° C,保温时间45分钟。烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约Imm的薄片,披银电极,然后在硅油中极化,极化电场6000V/mm,温度50° C,时间15分钟。保持电场冷却至室温后撤去电场,取出样品。样品按IRE标准对制成的压电陶瓷进行压电性能测量:
性能测量结果如下j_
权利要求
1.一种B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷,其特征是:组成通式为(In) Bi(Lil72Mel72)O3-XBaTiO3-J^(Nal72Bil72)TiO3 +^MaOb,式中 Me 为一种或多种五价金属元素;Ma0b为一种或多种氧化物,其中M为+f+6价且能与氧形成固态氧化物的元素和z表示陶瓷体系中摩尔含量,其中0CK1.0,0〈 j- <1.0,0 ^ 0.l,x+ 7〈1,所述的五价元素为Nb、Sb、Ta、V、W、Mn和Bi中的一种或多种;所述陶瓷由以下方法制得:(1)将原料按照Bi (Lil72Mel72) 03>BaTiO3^ (Na1/2Bi1/2)TiO3> (Kl72Bil72)TiO3 进行配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚中以600-1000° C焙烧1-8小时,获得粉末; (2)将步骤(I)获得的粉末和MaOb原料按照上述组成通式进行配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚中以600-1000° C焙烧1-8小时;焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨6-12小时,干燥后获得粉末; (3)将步骤(2)获得的粉末加入重量百分比5%浓度的PVA溶液造粒,在50-200MPa压力下压制成型; (4)成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结,烧结温度980-1200°C,保温时间1-8小时;然后热压烧结,烧结温度600-900° C,保温时间10分钟-3小时; (5)烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约Imm的薄片,披银电极,然后在硅油中极化,极化电场3000-8000V/mm,温度30-100° C,时间5-30分钟。
2.如权利要求1所述的无铅压电陶瓷,其特征是:所述的+广+6价且能与氧形成固态氧化物的元素为 La、Sm、Mn、Ce、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ge、Sc、L1、Na、K、Ca、Sr、Mg、Mn、Fe、Co、Cr和Sn中的一种或多种。
全文摘要
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z表示摩尔分数,0<x<1.0,0<y<1,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
文档编号C04B35/622GK103159475SQ20131008134
公开日2013年6月19日 申请日期2011年6月16日 优先权日2011年6月16日
发明者杨华斌, 周昌荣, 成钧, 周沁, 袁昌来, 陈国华 申请人:桂林电子科技大学
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1