阵列基板及显示屏的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是一种阵列基板及显示屏。

背景技术：

显示屏包括显示区(AA区)以及非显示区(非AA区)，为了达到某些功能，会要求显示屏的显示区或非显示区能够弯折。例如为了实现窄边框化，将非显示区弯折到屏体的背面，从而减少边框宽度。

但是，目前的显示屏，在弯折过程中，金属走线易断裂，从而造成屏体不良。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种能够有效防止金属走线断裂的阵列基板。

一种阵列基板，包括：

无机膜层，表面设有若干个第一凹槽；

以及金属走线，位于所述第一凹槽内。

上述阵列基板，无机膜层表面设有若干个第一凹槽，金属走线位于第一凹槽内，使得金属走线处的无机膜层变薄，弯曲应力减小；另一方面，第一凹槽能部分释放阵列基板弯折时的弯曲应力；从而有效防止无机膜层因弯折而断裂，进而有效防止金属走线的断裂，提高阵列基板的可靠性。

在其中一个实施例中，所述第一凹槽的深度大于所述金属走线的厚度，且小于所述无机膜层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一凹槽的截面呈半圆状。

在其中一个实施例中，还包括填充于所述第一凹槽内且形成于所述金属走线表面的应力缓冲层。

在其中一个实施例中，所述应力缓冲层为光敏胶层或亚克力层。

在其中一个实施例中，所述无机膜层包括栅绝缘层、电介质层以及层间绝缘层，所述电介质层位于所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间；所述第一凹槽位于所述层间绝缘层的远离所述电介质层的表面；所述栅绝缘层的靠近所述电介质层的表面设有若干个第二凹槽，所述阵列基板还包括位于所述第二凹槽内的辅助金属走线层。

在其中一个实施例中，所述无机膜层上设有若干个凹坑，所述凹坑与所述第一凹槽具有间隔。

在其中一个实施例中，所述凹坑与所述第一凹槽的间距大于10微米。

在其中一个实施例中，还包括填充于所述凹坑内的填充层。

本实用新型还提供一种显示屏。

一种显示屏，包括本实用新型提供的阵列基板。

上述显示屏包括本实用新型提供的阵列基板，阵列基板的结构可以有效防止金属走线的断裂，从而能够更好的保证讯号的传递，延长显示屏的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的阵列基板的俯视图。

图2为图1所示阵列基板的非显示区沿A-A向的截面示意图。

图3为图2所示阵列基板的非显示区弯曲时沿B-B向的截面示意图。

图4为本实用新型实施例二的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图5为图4所示的阵列基板的非显示区弯曲时沿C-C向的截面示意图。

图6为本实用新型实施例三的阵列基板的非显示区的截面示意图。

图7为本实用新型实施例四的阵列基板的非显示区的截面示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1至图3所示，本实用新型实施例一提供的阵列基板200，包括显示区210(即AA区)，以及位于显示区210外侧的非显示区220(即非AA区)。

其中，显示区210(即AA区)为阵列基板100中与像素单元对应的区域，在显示区210中设有薄膜晶体管以及电容器等用于驱动像素单元的电子元件。非显示区220(即非AA区)位于显示区210的一个侧边的外侧。当然，非显示区220也可以仅存在于显示区210的任何一个或多个侧边的外侧。

阵列基板200包括无机膜层以及金属走线。其中，无机膜层表面设有若干个第一凹槽，金属走线位于第一凹槽内。具体的，在阵列基板200的显示区210上的无机膜层表面和非显示区220上的无机膜层表面均可以设置第一凹槽，使得位于显示区210和非显示区220上的金属走线均可以位于第一凹槽内。

第一凹槽使得金属走线处的无机膜层变薄，弯曲应力减小；另一方面，第一凹槽能释放阵列基板200弯折时的弯曲应力，从而有效防止无机膜层因弯折而断裂，进而有效防止金属走线的断裂，提高阵列基板200的可靠性。

以下以非显示区为例进行详细说明。

本实施例中，非显示区220向垂直且远离无机膜层221具有第一凹槽2211的表面的方向弯折。具体的，如图1所示，非显示区220的弯折线如图中虚线所示，非显示区220沿弯折线弯折，且非显示区220的弯折方向指向图1所示非显示区220的表面的反方向。

本实施例中，非显示区220的弯折线平行于显示区210和非显示区220邻接的侧边，且位于非显示区220的靠近中间的位置。当然，非显示区220的弯折线不限于此，还可以沿其他方向或位于其他位置，如与本实施例中的弯折线呈一定角度倾斜或平移。

本实施例中，第一凹槽2211沿垂直于非显示区220弯折线的方向延伸，且经过非显示区220的弯折线。如此，第一凹槽2211能释放更多的弯曲应力，从而更有效的防止无机膜层221因弯折而断裂，进而更有效的防止金属走线223的断裂。若第一凹槽2211不经过非显示区220的弯折线，则非显示区220弯折时，第一凹槽2211处不弯折，自然无弯曲应力，也就无需第一凹槽2211释放弯曲应力，即失去了设置第一凹槽2211的作用，因此必须保证第一凹槽2211经过非显示区220的弯折线，才能有效防止无机膜层221因弯折而断裂。

当然，第一凹槽2211不限于沿垂直于非显示区220的弯折线的方向延伸，还可以沿其他方向延伸或沿曲线延伸。

本实施例中，第一凹槽2211的深度大于所述金属走线的厚度，且小于所述无机膜层的厚度，使得第一凹槽2211处的无机膜层221的厚度满足无机膜层221弯曲时的应力不至使无机膜层221断裂。

本实施例中，第一凹槽2211的截面呈半圆状。半圆状的凹槽为刻蚀工艺的自然形状，无需特殊设计，工艺简单。当然，第一凹槽2211的截面不限于呈半圆状，还可以呈长方形、梯形等其它形状。

本实施例中，第一凹槽2211的深度相同，制造简单。需要说明的是，第一凹槽2211的深度可以根据弯曲位置处弯曲应力的不同进行设置，弯曲应力较大的位置第一凹槽2211的深度较深，弯曲应力较小的位置第一凹槽2211的深度较浅，即第一凹槽2211的深度可以不完全相同。

如图4和图5所示，本实用新型实施例二提供的阵列基板，与阵列基板200不同的是，非显示区230还包括填充于第一凹槽2311内且形成于金属走线233表面的应力缓冲层235。

应力缓冲层235可以释放非显示区230弯折时的弯曲应力，从而有效防止无机膜层231因弯折而断裂，进而有效防止金属走线233的断裂。

本实施例中，应力缓冲层235为有机缓冲层。具体的，应力缓冲层235由光敏胶或亚克力等柔性材料形成。

如图6所示，本实用新型实施例三提供的阵列基板，与阵列基板200不同的是，无机膜层241上设有若干个凹坑2413，凹坑2413与第一凹槽2411具有间隔。

凹坑2413可以在不改变无机膜层241厚度的情况下，增加了无机膜层241的应力释放空间，防止无机膜层241的应力集中现象，从而防止无机膜层241的断裂，进而有效防止金属走线243断裂。

进一步的，凹坑2413与第一凹槽2411具有间隔，从而防止相邻的金属走线243短路。

优选的，本实施例中，凹坑2413与第一凹槽2411的间距大于10微米。

本实施例中，凹坑2413位于两个第一凹槽2411的中间位置。需要说明的是，凹坑2413的位置不限于此，也可以刻根据弯曲应力设置凹坑2413偏向某一个第一凹槽的位置，还可以位于第一凹槽2411的下方或其他位置。当金属走线243上方还设有无机膜层时，还可以在第一凹槽2411的上方设置凹坑2413。

本实施例中，每两个第一凹槽2411之间设有一个凹坑2413。当然，凹坑2413的个数不限于此，还可以在每两个第一凹槽2411之间设置多个凹坑，或者每隔两个第一凹槽2411设置一个凹坑，亦或者在第一凹槽2411的下方设置多个凹坑。

本实施例中，凹坑2413呈槽状。当然，凹坑2413不限于槽状，还可以呈圆柱状或倒锥形等。

具体的，本实施例中，凹坑2413的横截面呈三角形。当然，凹坑2413的截面不限于三角形，还可以是梯形或长方形等。

本实施例中，凹坑2413内填充有用以缓冲无机膜层弯曲应力的填充层247。

填充层247由软质地材料形成，如有机材料等。填充层247可以释放无机膜层241的弯曲应力，进一步防止无机膜层241因弯折而断裂，进而有效防止金属走线243的断裂。

如图7所述，本实用新型实施例四提供的阵列基板，与本实用新型实施例三提供的阵列基板不同的是，非显示区250还包括辅助金属走线层259。

具体的，无机膜层251包括栅绝缘层2512(GI层)、电介质层2514(CI)以及层间绝缘层2516(ILD层)。其中，电介质层2514位于栅绝缘层2512和层间绝缘层2516之间。第一凹槽2511位于层间绝缘层2516的远离电介质层2514的表面。栅绝缘层2512的靠近电介质层2514的表面，设有若干个第二凹槽2515，辅助金属走线层259位于第二凹槽2515内。

优选的，本实施例中，第二凹槽2515之间也设有若干个凹坑2513，即栅绝缘层2512的靠近电介质层2514的表面上设有若干个凹坑2513。为了防止沉积电介质层2514时，电介质层2514的材料沉积在栅绝缘层2512上的凹坑2513中，在栅绝缘层2512上的凹坑2513中填充用于缓冲无机膜层251弯曲应力的填充层257，填充层257由软质地材料形成，如有机材料等。填充层257可以释放无机膜层251的弯曲应力，进一步防止无机膜层251因弯折而断裂，进而有效防止金属走线253的断裂。

优选的，本实施例中，第一凹槽2511之间也设有若干个凹坑2513，即层间绝缘层2516的远离电介质层2514的表面上设有若干个凹坑2513。更进一步的，层间绝缘层2516上的凹坑2513中也可以填充填充层257，以更好的释放无机膜层251的弯曲应力，进一步防止无机膜层251因弯折而断裂，进而更有效的防止金属走线253的断裂。

需要说明的是，层间绝缘层2516上的凹坑2513中也可以不填充填充层257，而栅绝缘层2512上的凹坑2513中必须填充填充层257，从而可以避免电介质层2514的材料沉积在栅绝缘层2512上的凹坑2513中。

优选的，显示区中无机膜层和金属走线的结构与非显示区中无机膜层和金属走线的结构相同。从而可以通过同一步工艺形成显示区和非显示区的无机膜层和金属走线。

当然，若显示区无需弯折时，也可以仅将非显示区的无机膜层和金属走线设置成本发明所提供的无机膜层和金属走线的结构。

进一步的，当显示区和非显示区的弯折情况不同时，还可以根据显示区和非显示区的弯折情况，将其对应的无机膜层和金属走线设置成本发明提供的任一种无机膜层和外围技术走线的结构。

本实用新型提供一种显示屏，包括本实用新型提供的阵列基板。

需要说明的是，显示屏除了阵列基板，还包括其它器件，其它器件的具体结构以及器件之间的连接关系均可以采用本领域技术人员所公知的结构，此处不再赘述。

本实用新型提供的阵列基板的结构可以有效防止金属走线的断裂，从而能够更好的保证讯号的传递，延长显示屏的使用寿命。

上述阵列基板，无机膜层表面设有若干个第一凹槽，金属走线位于第一凹槽内，使得金属走线处的无机膜层变薄，弯曲应力减小；另一方面，第一凹槽能部分释放阵列基板弯折时的弯曲应力；从而有效防止无机膜层因弯折而断裂，进而有效防止金属走线的断裂，提高阵列基板的可靠性。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。