提供的一种带发光控制功能的主动发光显示器件像素电路 图；
[0035] 图8为本发明实施例提供的一种带补偿电路的主动发光显示器件像素电路图；
[0036] 图9为本发明实施例提供的一种带LTPSAMOLED阀值电压补偿功能的主动发光显 示器件像素电路图；
[0037] 图10为本发明实施例提供的附图9像素电路的时序图；
[0038] 图11为双管交替驱动方式电路的电路图；
[0039] 图12为本发明实施例提供的一种双管交替驱动方式电路的像素电路图。
【具体实施方式】
[0040] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进 一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施 例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的 所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041] 下面介绍的是本发明的多个实施例中的一部份，旨在提供对本发明的基本了解， 并不旨在确认本发明的关键或决定性要素或限定所要保护的范围。根据本发明的技术方 案，在不变更本发明的实质精神下，可以相互替换而得到其他的实现方式。如源漏极只是作 为电极的区分，物理上是对称结构，可调换。另如非晶硅薄膜晶体管源漏两极与栅极之间存 在的电容，在本电路基础上，在任何晶体管的栅源之间或栅漏之间加任意大小电容的电路 均包括在本电路发明的范围内。再如，电容的串并联后仍为电容，晶体管的串并后仍为晶体 管电路特性等，任何电路若等效电路与本发明电路相同，仍在本电路的发明范围之内。
[0042] 下面以PMOS管的AMOLED的像素电路为例来说明本发明的发明构思。设电源阳 极电压未经过走线衰减时的电压值为v dd(l，经过走线衰减后为Vddi，即Vddi= V dd(l_I (display content)*R(x，y)。其中，I为随整体显示内容变动的工作电流，R为随显示区域变动的电阻 值。
[0043] 现有的像素驱动电路方案如图1所示，当栅极信号到来的时候，（即数据写入阶 段）状态写入晶体管T1打开，数据信号V data写入存储电容Cs，状态写入晶体管T1关闭后， 显示状态被锁存在存储电容Cs内，此时，锁存的电压与阳极电压源经过走线衰减后的电压 V ddi分别是驱动晶体管T4(原申请文件图1中的T2)的栅极电压和源极电压。驱动管T4的 栅源电压决定了通过0LED的电流。此时电路中栅源电压差为：
[0044] Vgs = Vdata_Vddi= Vdata_Vdd(l+I (display content) *R(x, y)，此电压（即驱动晶体管 的栅源电压差）受整体显示内容和显示区域的影响，导致了显示不均一性和色彩还原性差 的问题。
[0045] 因此，现有像素电路中存在着驱动晶体管的栅源电压差受整体显示内容和显示区 域的影响，导致显示不均一性和色彩还原性差的问题。
[0046] 为了使驱动晶体管的栅源电压差不受整体显示内容和显示区域的影响，本发明的 解决方案中将V data_Vdd(l作为PM0S驱动管的目标控制电压，本发明的像素驱动电路方案如图 2所示，在像素电路中增加一条独立电源V dd(l，Vdd(l不给显示像素提供驱动电流，因此V ddQ在 整个像素电路驱动过程中没有电压降，在显示区域内电压值相同。存储电容Cs原来接阳极 电压固定电位V ddi的一端，改为通过两个晶体管T2和T3开关分别连接到V _和V ddi。存储 电容Cs状态更新时（如数据写入阶段），使T2打开，T3关闭，存储电容Cs的电压差（即存 储电容Cs所存储的电压）为Vdata-Vdd(l。存储电容Cs状态保持状态时（如发光阶段），使T3 打开，T2关闭。存储电容Cs的电压差仍为Vdata-Vdd(l，因存储电容Cs -端通过晶体管T3接 阳极电压的固定电位为Vddi，因此，存储电容Cs另一端的电压为Vdata-V dd(l+Vddi。驱动晶体管 T4的栅源电压为存储电容另一端的电压减去阳极电压，SP
[0047] Vgs= (Vdata-VddQ+Vddi)_Vddi=Vdata-VddQ;因此，本发明的驱动办法能使驱动晶体管 T4得到固定的栅源驱动电压Vgs=Vdata -Vdd(l。因此，与现有技术相比，本发明通过在像素 电路中增加一条不给显示像素提供驱动电流的独立电源VddO,将存储电容Cs原来接阳极 电压固定电位Vddi的一端，通过两个晶体管开关T2和T3分别连接到V_和Vddi，实现了像 素电路中的驱动晶体管T4的栅源电压差不受整体显示内容和显示区域的影响，解决了现 有像素电路中存在的驱动晶体管T4的栅源电压差受整体显示内容和显示区域的影响，导 致显示不均一性和色彩还原性差的问题。本发明提出的解决方案能能独立稳定的驱动每一 个显示像素的显示，大大提高了显示均一性和显示色彩的还原性。
[0048] 以上为原理性说明。
[0049] 此外，现有的各种补偿及优化功能的主动发光像素电路，虽然通过补偿电路或优 化功能补偿或消除了驱动晶体管的阈值电压，使经过发光器件的驱动电流不受驱动晶体管 的阈值电压的影响。但是这些像素电路仍旧存在着驱动晶体管的栅源电压差受整体显示内 容和显示区域的影响，导致均一性差和色彩还原性差的问题。
[0050] 例如，框架结构图如图3所示（原申请文件的图4)的带补偿及优化功能的主动发 光像素电路中，栅信号Gate到来时T1打开后，数据信号Data经过补偿及优化后写入存储 电容Cs，Cs与驱动晶体管的源极之间的电压差控制显示器件电流的大小，电流的大小仍然 会受显示内容的电压降影响，出现显示均一性差和色彩还原性差的问题。
[0051] 具体的，以图3为例的带补偿和优化功能的像素电路中，包括补偿电路，用于补偿 驱动晶体管T4的阈值电压，使经过发光器件0LED的驱动电流不受驱动晶体管T4的阈值电 压的影响。补偿电路与第一电压信号V ddi、存储电容Cs、驱动晶体管T4、发光器件0LED连 接，栅信号Gate控制晶体管T1打开后，数据信号Data经补偿电路的补偿及优化后写入存 储电容Cs，设V data经补偿电路补偿后为Vdata'，则图3中驱动晶体管栅源电压差为：
[0052] Vgs = Vdata，_Vddi= Vdata，-Vdd(l+I (display content) *R(x, y)。因存储电容 Cs 与驱 动晶体管T4的源极之间的电压差为驱动晶体管T4的栅源电压差，因驱动电流的计算公式 为：Zoledm 了(匕、')因此，驱动晶体管T4的栅源电压差控制显示器件电流的大 小时，电流的大小仍然会受显示内容电压降影响。
[0053] 基于上述原理，本发明可适用于各种带补偿及优化功能的主动发光像素电路中， 将本发明的上述工作原理应用在这些像素电路中，也能实现这些像素电路因驱动晶体管的 栅源电压差不受整体显示内容和显示区域的影响。
[0054] 图4(原申请文件的图5)为本发明应用于传统带补偿和优化电路的实施例的像素 电路原理图，设v data经补偿电路优化后为vdata'。在像素电路中增加一条独立电源Vdd(l，V ddQ不 给显示像素提供驱动电流，因此vdd(l在像素电路中没有电压降，在显示区域内电压值相同。 存储电容Cs原来接阳极电压固定电位V ddi的一端，改为通过两个晶体管T2和T3开关分别 连接到Vdd〇和V ddi。存储电容Cs状态更新时，T2打开，T3关闭，电容的电压差为Vdata'-V ddQ。 存储电容Cs状态保持状态时，T3打开，T2关闭，存储电容Cs的电压差仍为Vdata' -Vdd(l，因 存储电容Cs -端通过晶体管T3接接阳极电压源的固定电位为Vddi，因此，存储电容Cs另一 端的电压为Vdata' -Vdd(l+Vddi。驱动晶体管的栅源电压为存储电容Cs另一端的电压减去阳极 电压，即Vgs = (Vdata' -Vdd(1+Vddi)-Vddi= Vdata' -Vdd(1，因此，本发明的驱动办法能使驱动晶体管 T4得到固定的栅源驱动电压Vgs = Vdata' -Vdd(l，因此，通过在像素电路中增加一条不给显 示像素提供驱动电流的独立电源Vdd(l，将存储电容Cs原来接固定电位V ddi的一端，通过两个 晶体管开关T2和T3分别连接到Vdd(l和Vddi，实现了像素电路中的驱动晶体管的栅源电压 差不受整体显示内容和显示区域的影响。可见，此解决方案能独立稳定的驱动每一个像素 的显示，大大提高了显示均一性和显示色彩的还原性。
[0055] 上述为本发明应用于各种带补偿及优化功能的主动发光像素电路的原理性说明， 其他的电流驱动主动发光显示器件，通过存储电容保存信号状态的各种电路，皆可采用本 发明的方案，原理相同，在此亦不再赘述。
[0056] 基于上述原理性说明，将原申请文件中（例如原图2)的给发光器件OLED提供电 流的阳极电压源或阴极电压源（V ddi)作为第一电压信号，将原申请文件中（例如原图2)不 给发光器件OLED提供电流的独立电源（Vdd(l)作为第二电压信号，将晶体管T3和T2分别作 为第一晶体管和第二晶体管，根据上述原理，得到本发明实施例提供的一种主动发光显示 器件像素电路，下面以PMOS主动发光显示器件像素电路为例进行说明。
[0057] 如图5所示的一种主动发光显示器件像素电路，至少包括状态写入晶体管T1，状 态存储电容Cs，驱动晶体管T4,发光器件OLED，状态存储电容Cs的一端通过第一晶体管T3 与第一电压信号相连接、通过第二晶体管T2与第二电压信号相连接