述提供清洗液，清洗液是丙酮。
[0064]所述S190步骤刻蚀单晶硅层，所用气体是CF6，当然也可以增加辅助气体。
[0065]所述S250步骤，提供牺牲层蚀刻液，对于S130步骤所镀的牺牲层是Al的话，提供蚀刻液是盐酸、氢氧化钠中的一种;对于S130步骤所镀的牺牲层是Cu的话，提供蚀刻液是盐酸和三氯化铁的水溶液。
[0066]再次参考图4，是本实施例的SllO至S150步骤的示意图，在玻璃基底101上面镀附着层102，在附着层102上面镀牺牲层103，在牺牲层103上面镀单晶硅层104，在单晶硅层104上面涂布光固胶105，成为第一半成品100供下一步骤加工；再次参考图5，是本实施例的S160至S180步骤的示意图，提供紫外线光源999，提供第一淹模板901，将第一半成品100的光固胶涂层曝光，提供显影液，显影，提供纯净水，清洗，第一半成品100的光固胶105只留下用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，成为第二半成品200供下一步骤加工;再次参考图6，是本实施例的S190步骤的示意图，S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即刻蚀掉镂空区域301及各个单位防伪材料之外的周边区域，露出部分牺牲层103，成为第三半成品300供下一步骤加工;再次参考图7，是本实施例的S200步骤的示意图，提供清洗液，清洗掉第三半成品300用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，在牺牲层103上只留下无定形模块001，成为第四半成品400供下一步骤加工;再次参考图8，是本实施例的S210步骤的示意图，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物501，实际上牺牲层的表面也必须一起涂布工艺上才能实施，本实施例采用喷涂方式，在单晶硅层很薄的情况下，也可以采用悬涂，镂空区域也可以涂满，选择悬涂与喷涂只是等同替换没有实质，只要将镂空区域填满，没有什么区别，成为第五半成品500供下一步骤加工;再次参考图12，是本实施例的S220至S240步骤的示意图，是本实施例的S220至S240步骤的示意图，提供第二淹模板902，将第五半成品500的混合物涂层曝光，显影，用纯净水清洗，至此，牺牲层103上只留下多个单位防伪材料000，成为第六半成品600供下一步骤加工;再次参考图13，是本实施例的S250步骤的示意图，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层，至此，一组多个单位防伪材料000就制备出来，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤，就可以应用于工业中了。
[0067]本实施例未设置流程图，可以参考图14，只是没有刮胶步骤。
【主权项】
1.一种防伪材料，其特征在于:该防伪材料包括片状的单晶硅模块，单晶硅模块具有镂空区域，该防伪材料还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域。2.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述的紫外荧光模块，是指在单位防伪材料中，由紫外荧光材料构成的各个子模块的总和，各个子模块之间离散分布，所述紫外荧光模块可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串；所述的单晶硅模块，是指在单位防伪材料中，由单晶硅材料构成的各个子模块的总和，各个子模块之间离散分布，所述单晶硅模块可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串。3.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述紫外荧光模块底面与单晶硅模块底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块与单晶硅模块厚度一致。4.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述紫外荧光模块底面与单晶硅模块底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块比单晶硅模块厚度大。5.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述紫外荧光模块是紫外荧光粉均匀固化在光固胶之中的结构;所述紫外荧光材料是外荧光粉与光固胶的均匀混合物。6.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:在可见光下，紫外荧光模块设置成无色或白色，在紫外光照射下，紫外荧光模块是彩色的，面且不同的紫外荧光模块子模块可以设置成不同的颜色，单晶硅模块设置成无色。7.根据权利要求1所述的防伪材料，其特征在于:所述片状结构的厚度为2至10微米之间。8.一种防伪材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: SI 10，提供玻璃基底； S120，在玻璃基底上面镀附着层； S130，在附着层上面镀牺牲层； S140，在牺牲层上面镀单晶硅层； S150，在单晶硅层上面涂布光固胶； S160，提供紫外线光源，提供第一淹模板，将S150步骤涂布的光固胶涂层曝光； S170，提供显影液，显影； S180，提供纯净水，清洗； S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层； S200，提供清洗液，清洗； S210，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物； S220，提供第二淹模板，将S200步骤涂布的混合物涂层曝光； S230，显影； S240，用纯净水清洗； S250，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层； S260，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤； 其中，S170步骤，所述提供显影液，显影液是四甲基加水;所述显影，用显影液固化部分光固胶;S180步骤，清洗，用纯净水清洗掉S170显影步骤未固化部分光固胶;所述S200步骤所述提供清洗液，清洗液是丙酮。9.根据权利要求8所述一种防伪材料的制备方法，其特征在于:所述S150步骤，还包括提供悬涂装备步骤，用悬涂方法涂布。10.根据权利要求8所述一种防伪材料的制备方法，其特征在于:所述S210步骤，还包括提供喷涂装备步骤，用喷涂方法涂布。11.根据权利要求10所述一种防伪材料的制备方法，其特征在于:还包括S215步骤，刮胶，提供刮胶装备，将单晶硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去。12.根据权利要求8所述一种防伪材料的制备方法，其特征在于:所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S170步骤提到的固化部分光固胶是指，曝光或未曝光的部分光固胶，具体地，对于正光固胶曝光的部分光固胶不固化，未曝光的部分光固胶固化;对应地，对于负光固胶曝光的部分光固胶固化，未曝光的部分光固胶不固化。13.根据权利要求8所述一种防伪材料的制备方法，其特征在于:所述SllO提供玻璃基底，还包括把玻璃片切成方形或长方形，以及倒角、抛光、清洗、干燥步骤，供玻璃基底的厚度介于0.3至0.5毫米之间。14.根据权利要求8所述一种防伪材料的制备方法，其特征在于:所述S190步骤刻蚀单晶硅层，所用气体是CF6。
【专利摘要】本发明涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪材料及其制备方法，该防伪材料，其特征在于：该防伪材料包括片状的单晶硅模块，单晶硅模块具有镂空区域，该防伪材料还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域；制备方法包括：在玻璃基底上面镀附着层，在附着层上面镀牺牲层，在牺牲层上面镀单晶硅层，在单晶硅层上面涂布光固胶，提供紫外线光源，提供第一淹模板，曝光，显影，清洗，刻蚀单晶硅层，提供清洗液，清洗，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物，提供第二淹模板，曝光，显影清洗，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层清洗，过滤；本发明提供一种具有多材质、双重防伪的防伪材料及其制备方法。
【IPC分类】B42D25/42, B42D25/445, G09F3/02, B42D25/40, B42D25/36
【公开号】CN105538948
【申请号】CN201510889804
【发明人】翟兴
【申请人】深圳市天兴诚科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月5日