专利名称：一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及电子显示领域，更具体的说，涉及一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法。
背景技术：
液晶显示装置包括背光模组和液晶面板，液晶面板由相互对置的阵列基板和彩膜基板组成，对于TFT结构的液晶面板，阵列基板上设有多个TFT(如图I所示)、多个透明电极层和多条纵横交错的扫描线和数据线，每个TFT包括跟扫描线连接的闸极、跟数据线连接的源极，以及跟透明电极层连接的漏极，为了保障TFT在一个扫描周期内能维持液晶分子偏转，一般会在透明电极层下方设置一层存储电极层，两者之间形成存储电容，可以在TFT导通时候存储电荷，并在TFT截止直至下一次导通的期间提供电量，维持液晶分子偏转。现 有的存储电容中，存储电极层和透明电极层之间隔有绝缘层、保护层等非金属膜层，存储电容较小，不利储存电量。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种存储电容更大的阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法。本发明的目的是通过以下技术方案来实现的一种阵列基板，包括存储电极层，所述存储电极层表面依次铺设有绝缘层和透明电极层。优选的，所述阵列基板包括与存储电极层并列设置的闸极电极层，所述闸极电极层上方依次设有绝缘层和有源层，所述有源层上方铺设有源极电极层和漏极电极层，所述漏极电极层的一端跟所述透明电极层的一端电连接。此为一种具体的漏极电极层跟透明电极层的配合结构，漏极电极层位于透明电极层的上方，两者在边缘处交叠形成电连接。优选的，所述有源层包括依次铺设在绝缘层上的a-Si层和n+a-Si层，所述n+a-Si层上面铺设有源极电极层和所述漏极电极层，所述源极电极层和漏极电极层之间设有导电沟道，所述导电沟道贯穿所述n+a-Si层，所述源极电极层、漏极电极层、导电沟道及所述透明电极层表面铺设有保护层。此为一种具体的TFT结构。优选的，所述透明电极层为氧化铟锡材料的透明电极层。此为一种具体的透明电极层材料。一种液晶显示装置，包括上述的一种阵列基板。一种阵列基板的制造方法，包括步骤A :在玻璃基材上形成TFT的闸极电极层，以及存储电极层，然后在闸极电极层和存储电极层上面铺设绝缘层；B :在存储电极层对应区域的绝缘层上形成透明电极层。C :制作完成TFT的源极电极层、漏极电极层、导电沟道。
优选的，所述步骤B中包括以下步骤BI :在绝缘层上依次铺设a-Si层和n+a-Si层；B2 :在n+a-Si层上铺设光刻胶，通过曝光显影，去除存储电极层对应区域的光刻胶；B3 :蚀刻掉存储电极层对应区域的的a-Si层和n+a_Si层；B4:在光刻胶及存储电极层对应区 域的绝缘层表面铺设透明导电材料，然后剥离剩余的光刻胶及其表面的透明导电材料，剩余的透明导电材料在存储电极层对应区域的绝缘层上形成所述透明电极层。采用该技术方案，透明电极层无须采用曝光、显影的方式来制造，充分利用上一道工序残留的光刻胶作为掩体，在剥离光刻胶的时候自然剥离其表面的透明导电材料，残留的透明导电材料自然形成所需的透明电极层；这样就节省了一道光罩制程，有利于提高生产效率，降低制造成本。优选的，所述步骤B中包括以下步骤BI :在绝缘层上铺设透明导电材料；B2 :在透明导电材料上铺设光刻胶，通过曝光显影，形成透明电极图案；B3 :蚀刻掉透明电极图案以外的透明导电材料；B4 :在透明电极图案和绝缘层表面依次铺设a-Si层和n+a-Si层B5:剥离剩余的光刻胶，裸露的透明导电材料形成所述透明电极层。此为另一种透明电极层的制造方法，利用曝光显影方式形成透明电极层，并利用残留的光刻胶作为掩体，直接形成TFT的a-Si层和n+a-Si层，取消了 a_Si层和n+a-Si层单独的光罩制程，有利于提高生产效率，降低制造成本。优选的，所述步骤C中包括以下步骤Cl :在阵列基板表面铺设金属导电层，覆盖透明电极层和n+a-Si层；C2 :在金属导电层表面铺设光刻胶，通过曝光、显影形成TFT的源极图案和漏极图案，所述漏极图案覆盖所述透明电极层的一端；C3 :蚀刻金属导电层，形成TFT的源极电极层和漏极电极层；C4 :完全蚀刻掉源极电极层和漏极电极层之间裸露的n+a-Si层材料，形成导电沟道；C5 在所述源极电极层、漏极电极层、导电沟道和透明电极层表面铺设保护层。此为一种具体的源极电极层和漏极电极层制造方法，由于漏极图案覆盖所述透明电极层的一端，依次剥离漏极图案后，形成的漏极电极层自然会跟透明电极层交叠，形成电连接。优选的，所述透明电极层采用氧化铟锡材料。此为一种具体的透明电极层材料。本发明公开了一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法，本发明中存储电极层和透明电极层之间仅隔有绝缘层，相比间隔有绝缘层、保护层等多层非金属膜层的结构，提高了存储电容的容量。
图I是现有的一种阵列基板的结构示意图2是本发明阵列基板的结构示意图；图3是本发明实施例步骤a效果图；图4是本发明实施例步骤b效果图；图5是本发明实施例步骤c效果图；图6是本发明实施例步骤d效果图；图7是本发明实施例步骤e溅镀透明电极层的效果图；图8是本发明实施例步骤e剥离光刻胶后的透明电极层的效果图；图9是本发明实施例步骤f效果图；图10是本发明实施例步骤g效果图；图11是本发明实施例步骤h效果图；图12是本发明实施例步骤i效果图；其中:100、玻璃基材;200、绝缘层;300、a-Si层;400、n+a-Si层；510、闸极电极层；520、存储电极层；600、金属导电层；610、源极电极层；620、漏极电极层；700、保护层；800、透明电极层。
具体实施例方式本发明公开了一种液晶显示装置，包括背光模组和液晶面板，液晶面板由相互対置的阵列基板和彩膜基板组成，本发明所述的阵列基板上设有多个TFT、多个透明电极层和多条纵横交错的扫描线和数据线，每个TFT包括跟扫描线连接的闸极电极层、跟数据线连接的源极电极层，以及跟透明电极层连接的漏极电极层。所述阵列基板还包括存储电极层，所述存储电极层表面依次铺设有绝缘层和透明电极层。如图2所示，阵列基板的存储电极层520和闸极电极层510都设置在玻璃基材100上，闸极电极层510上面依次铺设有绝缘层200，a-Si层300和n+a-Si层400，n+a-Si层400上面铺设有源极电极层610和漏极电极层620，所述源极电极层610和漏极电极层620之间设有导电沟道，导电沟道贯穿n+a-Si层400 ;存储电极层520上铺设有绝缘层200和透明电极层800，漏极电极层620铺设在透明电极层800上方，并跟透明电极层800的一端交叠，实现电连接。源极电极层610、漏极电极层620、导电沟道及透明电极层800表面铺设有保护层700。透明电极层800可以选用氧化铟锡等透明导电材料制成。本发明中存储电极层520和透明电极层800之间仅隔有绝缘层200，相比多层非金属介质的结构，提高了存储电容的容量。下面结合附图和较佳的实施例对本发明的阵列基板的制作方法作进一步说明。实施例一一种阵列基板的制造方法，包括步骤a :如图3所示，用溅镀方式在玻璃基材100上沉积金属层，再经过涂胶曝光显影的成像方法制作成闸极电极层510和存储电极层520，溅镀的金属层材料为高导电率金属，如A1、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti等，所述闸极电极层510和存储电极层520均可以采用湿法刻蚀方法形成相应图案；b :如图4所示，化学气相沉积(CVD)方式在闸极电极层510和存储电极层520上依次沉积绝缘层200、有源层(依次为a-Si层300和n+a-Si层400);、
c :如图5所示，在有源层表面(即在n+a-Si层400上)铺设光刻胶(图5的PR所示)，通过曝光显影，去除存储电极层520对应区域的光刻胶；d :用干法等离子刻蚀(刻蚀主要气体为F的化合气体)的方法去除存储电极层520对应区域的有源层，留下绝缘层200 (参见图6);e :直接用溅镀的方式沉积透明电极层800 (其材料可以为IT0、IZ0等类似材料)，剥离光刻胶后，TFT有源层上方的透明电极层800将自动去除，留下存储电极层520区域上方和TFT像素处的透明电极层800 (参见图7、8);f :用溅镀方式铺设金属导电层600，覆盖透明电极层800和TFT有源层，其材料为高导电率金属，如Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti等(参见图9)；g :如图10所不,在金属导电层600表面铺设光刻胶(图9的PR所不),通过曝光、 显影形成TFT的源极图案和漏极图案，所述漏极图案覆盖所述透明电极层800的一端；h :采用湿法刻蚀方法处理金属导电层600，形成TFT的源极电极层610和漏极电极层620 (参见图11)；i :采用干法刻蚀的方法切断有源层的n+a-Si层400，形成导电沟道(参见图12);j :最后用CVD方法沉积一层保护层700 (passivation),覆盖源极电极层610、漏极电极层620、导电沟道和透明电极层800 (参见图2)。采用该技术方案，透明电极层无须采用曝光、显影的方式来制造，充分利用上一道工序残留的光刻胶作为掩体，在剥离光刻胶的时候自然剥离其表面的透明导电材料，残留的透明导电材料自然形成所需的透明电极层；这样就节省了一道光罩制程，只需采用3道光罩就能生产出阵列基板，有利于提高生产效率，降低制造成本。当然本发明中的TFT部分的结构也可以选用现有的技术来制作。实施例二一种阵列基板的制造方法，包括步骤a :在绝缘层200上直接用溅镀的方式沉积透明电极层800 (其材料可以为IT0、IZO等类似材料)；b :在透明导电材料上铺设光刻胶，通过曝光显影，形成存储电极层520区域上方和TFT像素处的透明电极图案；c :蚀刻掉透明电极图案以外的透明导电材料；d :在存储电极层520区域上方和TFT像素处的透明电极图案和绝缘层200表面铺设有源层(依次铺设a-Si层300和n+a-Si层400);e :剥离剩余的光刻胶，裸露的透明导电材料形成所述透明电极层800 ；f :用溅镀方式铺设金属导电层600，覆盖透明电极层800和TFT有源层，其材料为高导电率金属，如A1、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti等；g:在金属导电层600表面铺设光刻胶，通过曝光、显影形成TFT的源极图案和漏极图案，所述漏极图案覆盖所述透明电极层800的一端；h :采用湿法刻蚀方法处理金属导电层600，形成TFT的源极电极层610和漏极电极层620 ；i :采用干法刻蚀的方法切断有源层的n+a-Si层400，形成导电沟道；j :最后用CVD方法沉积一层保护层700 (passivation),覆盖源极电极层610、漏极电极层620、导电沟道和透明电极层800。此为本发明阵列基板的另一种制造方法，利用曝光显影方式形成透明电极层，并利用残留的光刻胶作为掩体，直接形成TFT的有源层(a-Si层和n+a-Si层)，取消了 a_Si层和n+a-Si层单独的光罩制程，有利于提高生产效率，降低制造成本。当然本发明中的TFT部分的结构也可以选用现有的技术来制作。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在 不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种阵列基板，包括存储电极层，其特征在于，所述存储电极层表面依次铺设有绝缘层和透明电极层。
2.如权利要求I所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括与存储电极层并列设置的闸极电极层，所述闸极电极层上方依次设有绝缘层和有源层，所述有源层上方铺设有源极电极层和漏极电极层，所述漏极电极层的一端跟所述透明电极层的一端电连接。
3.如权利要求I所述的一种阵列基板，其特征在于，所述有源层包括依次铺设在绝缘层上的a-Si层和n+a-Si层，所述n+a-Si层上面铺设有源极电极层和所述漏极电极层，所述源极电极层和漏极电极层之间设有导电沟道，所述导电沟道贯穿所述n+a-Si层，所述源极电极层、漏极电极层、导电沟道及所述透明电极层表面铺设有保护层。
4.如权利要求I 3任一所述的一种阵列基板，其特征在于，所述透明电极层为氧化铟锡材料的透明电极层。
5.一种液晶显示装置，包括如权利要求I 4任一所述的一种阵列基板。
6.一种阵列基板的制造方法，包括步骤 A :在玻璃基材上形成TFT的闸极电极层，以及存储电极层，然后在闸极电极层和存储电极层上面铺设绝缘层； B :在存储电极层对应区域的绝缘层上形成透明电极层。
C :制作完成TFT的源极电极层、漏极电极层、导电沟道。
7.如权利要求6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤B中包括以下步骤 BI :在绝缘层上依次铺设a-Si层和n+a-Si层； B2 :在n+a-Si层上铺设光刻胶，通过曝光显影，去除存储电极层对应区域的光刻胶； B3 :蚀刻掉存储电极层对应区域的的a-Si层和n+a-Si层； B4:在光刻胶及存储电极层对应区域的绝缘层表面铺设透明导电材料，然后剥离剩余的光刻胶及其表面的透明导电材料，剩余的透明导电材料在存储电极层对应区域的绝缘层上形成所述透明电极层。
8.如权利要求6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤B中包括以下步骤 BI :在绝缘层上铺设透明导电材料； B2 :在透明导电材料上铺设光刻胶，通过曝光显影，形成透明电极图案； B3 :蚀刻掉透明电极图案以外的透明导电材料； B4 :在透明电极图案和绝缘层表面依次铺设a-Si层和n+a-Si层； B5 :剥离剩余的光刻胶，裸露的透明导电材料形成所述透明电极层。
9.如权利要求7或8所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤C中包括以下步骤 Cl :在阵列基板表面铺设金属导电层，覆盖透明电极层和n+a-Si层； C2 :在金属导电层表面铺设光刻胶，通过曝光、显影形成TFT的源极图案和漏极图案，所述漏极图案覆盖所述透明电极层的一端； C3 :蚀刻金属导电层，形成TFT的源极电极层和漏极电极层；C4 :完全蚀刻掉源极电极层和漏极电极层之间裸露的n+a-Si层材料，形成导电沟道； C5 :在所述源极电极层、漏极电极层、导电沟道和透明电极层表面铺设保护层。
10.如权利要求6 9任一所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透明电极层采用氧化铟锡材料。·
全文摘要
本发明公开一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括存储电极层，所述存储电极层表面依次铺设有绝缘层和透明电极层。本发明中存储电极层和透明电极层之间仅隔有绝缘层，相比多层非金属介质的结构，提高了存储电容的容量。
文档编号G02F1/1368GK102749776SQ20121022379
公开日2012年10月24日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日
发明者覃事建 申请人:深圳市华星光电技术有限公司