一种液晶显示器阵列基板的制造方法

文档序号:2700243阅读:72来源:国知局
一种液晶显示器阵列基板的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种液晶显示器的阵列基板的制造方法,该方法包括:在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线;形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极和该公共电极线;在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极;形成一层钝化层覆盖整个该基板;在该钝化层上方沉积一层透明导电层,并蚀刻形成一开孔,该开孔至少与部分该公共电极线重叠;图案化该钝化层和该绝缘层,以在开孔下方形成一通孔,该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层,并暴露出部分公共电极线;移除该透明导电层;在该钝化层上方形成一公共电极,覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。
【专利说明】一种液晶显示器阵列基板的制造方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种液晶显示器,尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板的制造方法。

【背景技术】
[0002] 作为液晶显示器的显示方式,以往扭曲向列(Twisted Nematic,TN)方式一直被广 泛使用,但是该方式在显示原理上,对视场角存在限制。
[0003] 作为解决该问题的方法,横向电场方式已为众所周知,例如平面内开关(In Plane Switching, IPS)方式和边缘场开关(Fringe Field Switching,FFS)方式。该横向电场方 式在阵列基板上形成像素电极和共用电极,对该像素电极和该共用电极之间施加电压,使 之产生与该阵列基板大致平行的电场,在与该阵列基板面基本平行的面内驱动液晶分子。
[0004] 然而,现有技术的IPS或FFS型液晶显示器的阵列基板中,公共电极是通过钝化层 中的通孔与公共电极线连接的。在蚀刻该通孔的制程中,该通孔的大小难以控制,可能会使 该像素电极与该公共电极的距离较近,而在某一地方发生短路,使像素始终处于暗态,造成 显示画面中产生颜色异常。


【发明内容】

[0005] 为此,本发明提供一种液晶显示器的阵列基板的制造方法,能较好地控制钝化层 通孔的大小和位置,以避免像素电极和公共电极发生短路,避免画面中存在颜色异常。
[0006] 根据本发明的一个方面,提供一种阵列基板的制造方法,包括:在基板表面上形成 多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线;形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极和该公 共电极线;在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极;形成一层钝化层覆盖整个该基板;在 该钝化层上方沉积一层透明导电层,并蚀刻形成一开孔,该开孔至少与部分该公共电极线 重叠;图案化该钝化层和该绝缘层,以在开孔下方形成一通孔,该通孔贯穿该钝化层和该栅 极绝缘层,并暴露出部分公共电极线;移除该透明导电层;在该钝化层上方形成一公共电 极,覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。
[0007] 相较于现有技术,根据本发明提供的阵列基板的制造方法,由于利用一层透明导 电层作为钝化层的掩模,可较好地控制钝化层通孔的大小,防止公共电极和像素电极发生 短路,因此,可防止显示画面中存在颜色异常,提高产品品质。

【专利附图】

【附图说明】
[0008] 图1 一图8中为本发明提供的制造液晶显示器阵列基板的示意图。
[0009] 图9为本发明提供的液晶显示器阵列基板的俯视图。
[0010] 主要元件符号说明

【权利要求】
1. 一种液晶显示器阵列基板的制造方法,该方法包括: 在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线; 形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极、该栅极线和该公共电极线; 在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极; 形成一层钝化层覆盖整个该基板; 形成一层透明导电层覆盖该钝化层,并图案化该透明导电层以形成一开孔,该开孔至 少与部分该公共电极线重叠; 图案化该钝化层和该绝缘层,以在开孔下方形成一通孔,该通孔贯穿该钝化层和该栅 极绝缘层,并暴露出部分公共电极线; 移除该透明导电层; 在该钝化层上方形成一公共电极,覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。
2. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该开孔与该像 素电极相隔离。
3. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该透明电极层 利用该钝化层的掩模进行图案化以形成该开孔。
4. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该钝化层利用 该钝化层的掩模和该透明导电层共同作为掩模来图案化以形成该通孔。
5. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该开孔与该通 孔的大小大致相等。
6. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该透明导电层 的材质为氧化铟锡或者氧化铟锌。
7. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该像素电极和 该公共电极中的至少一种具有多个平行排列的狭缝。
8. 如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该制造方法还 包括在该栅极上方形成一层通道层。
9. 如权利要求8所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该制造方法还 包括在该通道层的两侧形成彼此分离的源极和漏极,该漏极部分覆盖该像素电极,同时形 成多条资料线。
10. 如权利要求9所述的液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于:该栅极、该源 极、该漏极和该通道层构成了薄膜晶体管。
【文档编号】G02F1/1343GK104122713SQ201310168698
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年5月9日 优先权日:2013年5月9日
【发明者】王晓倩, 王明宗, 柳智忠, 郑亦秀 申请人:深超光电(深圳)有限公司
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