述不透明图案在所述第二条状电极的线宽方向上的连续长度大于等于目标值+波动值。在形成钝化层时，使所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。优选的，在形成钝化层时，通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。
[0044]以图2所示的阵列基板为例，其制造方法可以参考以下步骤:
[0045]S1、在透明基板上制作栅金属薄膜，通过构图工艺至少形成栅线和栅极的图案2和不透明图案9。
[0046]S2、在所述至少形成栅线和栅极的图案2和不透明图案9的透明基板上制作栅绝缘薄膜，通过构图工艺形成栅绝缘层3。
[0047]S3、在所述形成栅绝缘层3的透明基板上制作半导体薄膜，并通过构图工艺形成有源层4。
[0048]S4、在所述形成有源层4的透明基板上制作透明导电薄膜，通过构图工艺形成公共电极。
[0049]S5、在所述形成公共电极的透明基板上制作第一钝化层薄膜，通过构图工艺形成第一钝化层。
[0050]S6、在所述形成第一钝化层的透明基板上制作源漏金属薄膜，通过构图工艺至少形成数据线、源极、漏极的图案5。
[0051]S7、在所述至少形成所述源漏极金属层5的透明基板上制作钝化层薄膜，并通过构图工艺形成带有过孔的钝化层6。
[0052]S8、在所述形成钝化层6的透明基板上制作透明导电薄膜，通过构图工艺形成第一条状电极7和第二条状电极8，所述第一条状电极7通过所述钝化层6上的过孔与漏极相连。
[0053]对于图3所示的阵列基板的制作方法可以参考上述图2所示的制作方法，只需将上述步骤S1、S6和S7按照下述步骤Ql、Q6和Q7进行，其他步骤可以参考实图2中的相应步骤。
[0054]Q1、在透明基板上制作栅金属薄膜，通过构图工艺至少形成栅线和栅极的图案2。
[0055]Q6、在所述形成第一钝化层的透明基板上制作源漏金属薄膜，通过构图工艺至少形成数据线、源极、漏极的图案5和不透明图案9。
[0056]Q7、在所述至少形成所述源漏极金属层5的透明基板上制作钝化层薄膜，然后通过构图工艺将所述线宽测量区B1-B2内的钝化层刻蚀掉并在像素区域内形成带有过孔的钝化层6。
[0057]本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案；分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极；在所述线宽测量区内形成所述第二条状电极之前，还在所述线宽测量区形成不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方，所述不透明图案在所述第二条状电极的线宽方向上的连续长度大于等于目标值+波动值；在形成钝化层时，所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。
[0058]具体的，其制作方法可以参考图2或图3所示的阵列基板的制作方法。
[0059]参考图2所示的阵列基板的制作方法时，只需将步骤SI修改为步骤SI*、在透明基板上制作栅金属薄膜，通过构图工艺至少形成栅线和栅极的图案2 ;并在步骤S8之前进行步骤S7*、在所述形成钝化层6的透明基板上制作由不透明材料构成的薄膜，通过构图工艺在所述线宽测量区形成不透明图案9。
[0060]参考图3所示的阵列基板的制作方法时，只需将步骤Q6修改为步骤Q6*、在所述形成第一钝化层的透明基板上制作源漏金属薄膜，通过构图工艺至少形成数据线、源极、漏极的图案5 ;并在步骤S8之前进行步骤S7*、在透明基板上制作由不透明材料构成的薄膜，通过构图工艺在所述线宽测量区形成不透明图案9。
[0061]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板，其中，所述阵列基板可以是上述的任一种TFT-1XD阵列基板。所述显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相机、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
[0062]本发明实施例还提供了一种线宽测量方法，如图3所示，所述方法包括:测量获得线宽测量区任一第二条状电极的宽度值CD1，所述第二条状电极的上侧边界到其下侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值CD2以及所述第二条状电极的下侧边界到其上侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值CD3 ;所述CD2和CD3若满足以下条件:目标值-波动值<CD2〈目标值+波动值且目标值-波动值<CD3〈目标值+波动值，则所述CDl准确，确定其为线宽测量准确值；若不满足，则所述CDl不准确，重新测量所述第二条状电极的线宽，直至测量到所述线宽测量准确值。
[0063]所述目标值是指设计时条状电极加上所述条状电极的沟道的宽度值，所述波动值是指制作出来的条状电极与设计的条状电极之间的宽度最大波动值。若测量时的边界正确，则CD测量设备测得的CD2和CD3理论上等于所述目标值，即测得的CD2和CD3应该在目标值+波动值和目标值-波动值之间。故在这里应用限制条件:目标值-波动值〈⑶2〈目标值+波动值且目标值-波动值<CD3〈目标值+波动值，若测的结果满足限制条件，则证明测量时选择的边界线没有问题，测得的CDl准确，确定其为线宽测量准确值。若测得的结果不满足限制条件，则所述CDl不准确，重新测量所述第二条状电极的线宽，直至测量到所述线宽测量准确值。
[0064]本发明实施例还提供了一种线宽测量装置，如图4所示，所述线宽测量装置包括:测量单元401和比较处理单元402。
[0065]所述测量单元401用于测量获得线宽测量区任一第二条状电极的宽度值CD1，所述第二条状电极的上侧边界到其下侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值CD2以及所述第二条状电极的下侧边界到其上侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值CD3 ；比较处理单元402，用于在所述测量单元401测得的CD2和CD3满足以下条件:目标值-波动值<CD2〈目标值+波动值且目标值-波动值<CD3〈目标值+波动值时，确定所述CDl为线宽测量准确值；在所述CD2和CD3不满足所述条件时，确定所述CDl不准确。
[0066]本发明实施例提供的线宽测量方法和装置，通过增加对CD2和CD3的限制条件，来确定测量时选择的边界线是否有问题，从而判断测得的线宽CDl是否准确，进而增加线宽测量的准确性。
[0067]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括:透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括:设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；其特征在于，还包括: 设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内； 所述钝化层至少覆盖所述像素区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述不透明图案与所述栅线和栅极的图案同层设置；或，所述不透明图案与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于， 所述不透明图案覆盖整个所述线宽测量区。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层只覆盖所述像素区域。
5.—种阵列基板的制造方法，包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案；分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极；其特征在于， 在所述线宽测量区内形成所述第二条状电极之前，还在所述线宽测量区形成不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内； 在形成钝化层时，所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成钝化层时，通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。
7.—种阵列基板的制造方法，包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案；分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极；其特征在于， 在形成所述栅金属层的栅线和栅极的图案的同时在所述线宽测量区形成不透明图案；或在形成所述源漏金属层的数据线、源极、漏极的图案的同时在所述线宽测量区形成不透明图案；所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内； 在形成钝化层时，所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，包括: 在形成钝化层时，通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。
9.一种显示装置，其特征在于，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为上述权利要求1?4任意一项所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及液晶显示器领域，可以测量获得准确的条状电极的线宽。所述阵列基板包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；还包括：设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。
【IPC分类】G02F1-1343, G02F1-1362, H01L21-77, G02F1-13, G01B21-02, H01L27-02
【公开号】CN104730789
【申请号】CN201510128786
【发明人】刘耀, 孙亮, 丁向前, 李梁梁, 白金超
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2012年11月21日