输出的减薄液能够在重力的作用下进行流动，并在流动的过程中对待减薄表面进行减薄。由于减薄液从出液口输出时的初速度较小，所以，该减薄液对待减薄表面的冲击力较小，实现了在对待减薄结构进行减薄的过程中，提高了该待减薄表面的平整度。
[0065]进一步的，静电场能够对该待减薄表面的减薄液起到吸附作用，待减薄表面的减薄液在重力和静电场的作用下，能够减小流动的速度，进一步的减小了减薄液对待减薄表面的冲击力，且增加了待减薄表面减薄液的厚度，从而增大了待减薄表面的减薄液的体积，在减薄液为HF且待减薄结构的材质为S12时，减小了减薄过程中生成的氟硅酸的浓度，防止了由于氟硅酸浓度较大而析出晶体，对待减薄表面造成污染。
[0066]如图7所示，本发明实施例提供了一种减薄装置的使用方法，该减薄装置的使用方法可以用于如图1、图2、图3或图4所示的减薄装置0，该减薄装置可以包括:出液组件、承载组件和静电场组件，该减薄装置的使用方法可以包括:
[0067]步骤701、将待减薄结构承载在承载组件的承载面上，承载面与水平面存在倾角。
[0068]步骤702、控制出液组件向待减薄结构的待减薄表面输出减薄液，出液组件的出液口位于承载面较高的一端，出液口的出液方向平行于承载面。
[0069]步骤703、控制静电场组件形成静电场，静电场的电场源位于承载面未承载有待减薄结构的一侧，待减薄表面的减薄液位于静电场内。
[0070]综上所述，本发明提供的减薄装置的使用方法中，将待减薄结构承载在承载面上，并控制出液组件向待减薄表面输出减薄液，控制静电场组件形成静电场，且静电场的电场源位于承载面未承载有待减薄结构的一侧，使得输出至待减薄表面的减薄液位于静电场内。当待减薄结构置于承载面上时，该待减薄结构的待减薄表面与水平面存在倾角，该出液组件输出的减薄液能够在重力的作用下进行流动，并在流动的过程中对待减薄表面进行减薄。由于减薄液从出液口输出时的初速度较小，所以，该减薄液对待减薄表面的冲击力较小，实现了在对待减薄结构进行减薄的过程中，提高了该待减薄表面的平整度。
[0071]进一步的，静电场能够对该待减薄表面的减薄液起到吸附作用，待减薄表面的减薄液在重力和静电场的作用下，能够减小流动的速度，进一步的减小了减薄液对待减薄表面的冲击力，且增加了待减薄表面减薄液的厚度，从而增大了待减薄表面的减薄液的体积，在减薄液为HF且待减薄结构的材质为S12时，减小了减薄过程中生成的氟硅酸的浓度，防止了由于氟硅酸浓度较大而析出晶体，对待减薄表面造成污染。
[0072]可选的，减薄装置还包括:回收组件，回收组件的进液口位于承载面较低的一端，在步骤702之后，该减薄装置的使用方法还可以包括:
[0073]控制回收组件收集流过待减薄表面的减薄液；
[0074]控制回收组件将收集到的减薄液传输至出液组件。
[0075]可选的，在步骤702之前，该减薄装置的使用方法还可以包括:控制出液组件检测待输出的减薄液的浓度；
[0076]步骤702可以包括:在待输出的减薄液的浓度大于预设浓度时，控制回收组件将收集到的减薄液传输至出液组件。
[0077]可选的，承载组件可以为棱台，减薄装置还可以包括:旋转组件，旋转组件包括:旋转轴，旋转轴的轴线穿过承载组件，且垂直于承载组件的底面，在步骤701之后，该减薄装置的使用方法还可以包括:通过控制旋转组件，控制承载组件沿旋转轴的轴线旋转。
[0078]综上所述，本发明提供的减薄装置的使用方法中，将待减薄结构承载在承载面上，并控制出液组件向待减薄表面输出减薄液，控制静电场组件形成静电场，且静电场的电场源位于承载面未承载有待减薄结构的一侧，使得输出至待减薄表面的减薄液位于静电场内。当待减薄结构置于承载面上时，该待减薄结构的待减薄表面与水平面存在倾角，该出液组件输出的减薄液能够在重力的作用下进行流动，并在流动的过程中对待减薄表面进行减薄。由于减薄液从出液口输出时的初速度较小，所以，该减薄液对待减薄表面的冲击力较小，实现了在对待减薄结构进行减薄的过程中，提高了该待减薄表面的平整度。
[0079]进一步的，静电场能够对该待减薄表面的减薄液起到吸附作用，待减薄表面的减薄液在重力和静电场的作用下，能够减小流动的速度，进一步的减小了减薄液对待减薄表面的冲击力，且增加了待减薄表面减薄液的厚度，从而增大了待减薄表面的减薄液的体积，在减薄液为HF且待减薄结构的材质为S12时，减小了减薄过程中生成的氟硅酸的浓度，防止了由于氟硅酸浓度较大而析出晶体，对待减薄表面造成污染。
[0080]如图8所示，本发明实施例提供了另一种减薄装置的使用方法，该减薄装置的使用方法可以用于如图1、图2、图3或图4所示的减薄装置0，该减薄装置可以包括:出液组件、承载组件和静电场组件，该减薄装置的使用方法可以包括:
[0081 ]步骤801、将待减薄结构承载在承载组件的承载面上，承载面与水平面存在倾角。
[0082]该待减薄结构可以为衬底基板，该待减薄结构上的待减薄表面可以为衬底基板的一个板面，示例的，承载组件可以为棱台，棱台的侧面为承载面。如图4所示，承载组件02可以为棱台，棱台的侧面为承载组件02的承载面。棱台可以由承载支架021和至少一个承载板022构成，承载板022设置在承载支架021上，承载支架021构成棱台的边，至少一个承载板022构成棱台的侧面。示例的，若该棱台为具有6个侧面的棱台，则该承载组件02中承载板的个数也为6。示例的，可以将该衬底基板置于承载组件的承载面上，并保证与该衬底基板上需要减薄的板面相对的板面与承载板相接触，当衬底基板置于承载面上时，该衬底基板的待减薄表面与水平面存在倾角。示例的，该承载组件可以为由承载支架和承载板组成的正棱台，可以将该衬底基板置于该正棱台的一个侧面(即一个承载板)上。
[0083]步骤802、控制出液组件检测待输出的减薄液的浓度。
[0084]示例的，可以控制出液组件实时的(或者每隔预设时间段)检测待输出的减薄液的浓度，并将该待输出的减薄液的浓度与预设浓度进行比较。需要说明的是，该预设浓度可以为工作人员预先在出液组件上设定的，大于该预设浓度的减薄液能够对该待减薄基板的待减薄表面进行有效的减薄，小于或等于该预设浓度的减薄液无法对该待减薄基板的待减薄表面进行有效的减薄。
[0085]步骤803、在待输出的减薄液的浓度大于预设浓度时，控制出液组件向待减薄结构的待减薄表面输出减薄液。
[0086]在待输出的减薄液的浓度大于预设浓度时，控制出液组件将待输出的减薄液向待减薄表面输出，在待输出的减薄液的浓度小于或等于预设浓度时，可以将待输出的减薄液通过回收组件传输至排出组件，进行减薄液的排出，保证了出液组件输出的减薄液的浓度较高，使得出液组件输出的减薄液能够对待减薄结构的待减薄表面进行有效的减薄，提高了减薄的效率。示例的，该减薄装置还可以包括排出组件，该出液组件可以通过回收组件与排出组件相连通，出液组件在检测待输出的减薄液的浓度小于或等于预设浓度时，可以将该待输出的减薄液通过回收组件传输至排出组件，进行减薄液的排出，不再利用该排出的减薄液。
[0087]示例的，出液组件的出液口位于承载面较高的一端，出液口的出液方向平行于承载面。在控制出液组件向待减薄结构的待减薄表面输出减薄液时，可以控制出液组件从出液组件的出液口向待减薄表面(即衬底基板的一个板面)输出减薄液。示例的，该衬底基板的材质可以为S12,该减薄液可以为HF，由于当衬底基板置于承载面上时，该衬底基板的待减薄表面与水平面存在倾角，所以该出液组件输出的减薄液能够在重力的作用下进行流动，并在流动的过程中对待减薄表面进行减薄。该出液组件的出液口的出液方向平行于承载面，减薄液从出液口输出时的初速度较小，所以，该减薄液对待减薄表面的冲击力较小，实现了在对待减薄结构进行减薄的过程中，提高了该待减薄表面的平整度。
[0088]步骤804、控制静电场组件形成静电场，静电场的电场源位于承载面未承载有待减薄结构的一侧，待减薄表面的减薄液位于静电场内。
[0089]可以控制静电场组件形成静电场，且静电场的电场源位于承载面未承载有衬底基板的一侧，输出至待减薄表面的减薄液能够位于该静电场内。静电场能够对该待减薄表面的减薄液起到吸附作用，待减薄表面的减薄液在重力和静电场的作用下，能够减小流动的速度，进一步的减小了减薄液对待减薄表面的冲击力。且减薄液在重力和静电场的作用下，待减薄表面减薄液的厚度较大，即待减薄表面的减薄液的体积较大，在减薄液为HF且待减薄结构的材质为S12时，减小了减薄过程中生成的氟硅酸的浓度，防止了由于氟硅酸浓度较大而析出晶体，对待减薄表面造成污染。
[0090]步骤805、通过控制旋转组件，控制承载组件沿旋转轴的轴线旋转。
[0091 ]请参考图4，减薄装置O还可以包括:旋转组件05，旋转组件05可以包括:旋转轴051，旋转轴051的轴线穿过承载组件02，且垂直于承载组件02的底面，旋转组件05用于控制承载组件02沿旋转轴051的轴线旋转。具体的，该承载组件02可以为正棱台，此时，旋转轴051的轴线与承载组件02的轴线重合。由于旋转组件05能够控制承载组件02沿旋转轴051的轴线旋转，一方面，在承载组件02旋转的过程中，工作人员可以站在同一个位置，替