一种阵列基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的阵列基板如图1所示包括显示区域10以及用于设置驱动部件的外围区域11。其中，显示区域10内设置有横纵交叉的栅线Gate和数据线Data。外围区域11设置有由多个级联的移位寄存器单元RS构成的G0A(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)电路，用于对栅线Gate进行逐行扫描。
[0003]现有的外围区域11中设置有很多数据引线，具体的，每一级移位寄存器单元RS可以通过第一数据引线21与栅线Gate相连接。此外，为了保证移位寄存器单元RS能够正常工作，移位寄存器单元RS还需要通过多条第三数据引线23分别与不同的第二数据引线22相连接，以接收时钟信号(CLK或CLKB)、电压控制信号(VDD或VSS)等。
[0004]然而，随着显示器的分辨率越来越高，边框越来越窄，上述外围区域11的布线空间会越来越小，且移位寄存器单元RS的输出端与其相连接的栅线Gate之间具有一定的高度差。因此，为了在将移位寄存器单元RS与栅线Gate连接的同时，避免同层且相邻的第一数据引线21之间发生相交，需要减小第一数据引线21的线宽，且该第一数据引线21需要设置较多的拐角(图1中的A处)。这样一来，布线密集区域的电路中产生的静电容易会通过上述拐角发生静电释放(英文全称:Electro-Static Discharge，英文简称:ESD)。而静电释放现象会导致电子元件发生静电击穿，使得线宽较细的数据引线发生断路或短路，造成元件损坏，从而降低产品质量。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能够在布线密集的区域减小数据引线布线密集，并降低拐角静电释放的几率。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括显示区域和外围区域，所述外围区域设置有第一数据引线以及至少两个级联的移位寄存器单元，所述移位寄存器单元通过所述第一数据引线与所述显示区域中的栅线相连接;相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值。
[0008]优选的，所述外围区域包括远离所述显示区域的第一外围子区域以及靠近所述显示区域的第二外围子区域;所述移位寄存器单元位于所述第一外围区域中，所述第一数据引线贯穿所述第一外围子区域以及所述第二外围子区域，且至少一条所述第一数据引线在所述第二外围子区域设置有拐角。
[0009]优选的，所述第二外围子区域的面积为所述外围区域面积的30%?60%。
[0010]优选的，至少一条所述第一数据引线在所述第二外围子区域最多具有两个拐角。
[0011]进一步优选的，所述相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值为 3μηι ?4ym0
[0012]优选的，至少一条第一数据引线在所述第一外围子区域和/或所述第二外围子区域呈直线。
[0013]优选的，所述第一外围区域还包括多条与所述第一数据引线交叉设置的第二数据引线，所述第二数据引线用于向所述移位寄存器单元提供控制信号；显示区域还包括与所述栅线平行的公共电极线，所述第一外围子区域中距离所述显示区域最近的一条第二数据引线为公共电极供电线，用于与所述公共电极线相连接。
[0014]优选的，所述第一外围子区域还包括第三数据引线，所述第二数据引线通过所述第三数据引线向所述移位寄存器单元提供控制信号。
[0015]优选的，所述第一数据引线与栅线同层同材料。
[0016]优选的，所述第一数据引线与所述第三数据引线同层同材料。
[0017]优选的，所述第一数据引线上的拐角为直角。
[0018]优选的，所述显示区域还包括与所述栅线交叉设置的数据线，所述第二数据引线与所述数据线同层同材料。
[0019]优选的，所述第二数据引线与所述数据线平行。
[0020]本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。
[0021]本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括:在显示区域形成多条栅线;在外围区域形成第一数据引线以及至少两个级联的移位寄存器单元;其中，所述移位寄存器单元通过所述第一数据引线与所述显示区域中的栅线相连接;相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值。
[0022]本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板包括显示区域和外围区域。其中，外围区域设置有第一数据引线以及至少两个级联的移位寄存器单元，移位寄存器单元通过第一数据引线与显示区域中的栅线相连接;相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值。
[0023]这样一来，由于相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值。从而可以降低外围区域的布线密集程度，进而降低了由拐角引发静电释放的几率，从而减小由于上述静电释放对布线密集区域中线宽较细的数据引线造成断路或短路的几率。
【附图说明】
[0024]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0026]图2a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0027]图2b为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0028]图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
[0029]图4为图2所示的阵列基板中第二外围子区域中第一数据引线的一种排布方式示意图；
[0030]图5为图2所示的阵列基板中第二外围子区域中第一数据引线的另一种排布方式示意图；
[0031 ]图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程图。
[0032]附图标记:
[0033]10-显示区域;11-外围区域；110-第一外围子区域；111-第二外围子区域;21-第一数据引线;22-第二数据引线；23-第三数据引线;31-用于将公共电极供电线与公共电极线相连接的引线;A-第二数据引线上具有拐角的位置;Data-数据线;Gate-栅线;Vcom-公共电极线;COM-公共电极供电线;RS-移位寄存器单元;H-第二外围子区域沿栅线方向的宽度。
【具体实施方式】
[0034]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035]本发明实施例提供一种阵列基板，如图2a所示，包括显示区域10和外围区域11。其中，显示区域10设置有横纵交叉的栅线Gate和数据线Data。而外围区域11设置有第一数据引线21以及至少两个级联的移位寄存器单元RS。
[0036]此外，外围区域11还可以包括多条与第一数据引线21交叉设置的第二数据引线22，例如接收时钟信号(CLK或CLKB)、电压控制信号(VDD或VSS)等。并且，该移位寄存器单元RS通过第一数据引线21与显示区域10中的栅线Gate相连接。具体的，第二数据引线22输出的信号可以通过第三数据引线23传输至移位寄存器单元RS。即，可以将该第三数据引线23设置于上述第一外围子区域110，以使得第二数据引线22通过该第三数据引线23向移位寄存器单元RS提供例如时钟信号(CLK或CLKB)、电压控制信号(VDD或VSS)等控制信号。进一步地，优选的，为了布线整齐，上述第三数据引线23可以与栅线平行，且在显示区域10包括与栅线Gate交叉设置的数据线Data时，上述第二数据引线22可以与数据线Data平行。此外，第一数据引线21、第三数据引线23可以与栅线同层同材料，第二数据引线22可以与数据线Data同层同材料，从而可以在制备栅线Gate的过程中，完成第一数据引线21和第三数据引线23的制备，在制备数据线Data的过程中，完成第二数据引线22的制备。
[0037]需要说明的是，图2a中由多个级联的移位寄存器单元RS构成的GOA电路设置于显示区域10的单侧，在此情况下，该外围区域11也设置于该显示区域10的单侧。当GOA电路如图3所示，分别设置于显示区域10的两侧时，该阵列基板包括位于显示区域10两侧的外围区域11。其中，位于两侧的外围区域11中引线的布线方式是对称结构。
[0038]基于此，相邻两条第一数据引线21之间的最小间距D大于或等于距离阈值。需要说明的是，上述距离阈值可以根据阵列基板能够接收静电释放的程度进行设定，不同型号的显示装置上述距离阈值不同，但只要能够保证当上述最小间距D大于该距离阈值时，阵列基板发生的静电释放的程度能够在接收的范围内即可。
[0039]其中，上述拐角用于改变第一数据引线21在外围区域11中的布线方向。具体的，对于分辨率较高，即高PPKPixels Per Inch，像素密度)的显示面板而言，相邻两行栅线Gate之间的间距较近，因此一个移位寄存器单元RS输出端和需要与该移位寄存器单元RS相连接的栅线Gate并不一定在同一水平线上，例如第二级移位寄存器单元RS2的输出端会与第二行栅线G2具有一定的高度差。这样一来，为了将第二级移位寄存器单元RS2的输出端与第二行栅线62通过上述第一数据引线21相连接，该第二数据引线22上需要设置至少一个拐角(图2a中的A处)
[0040]本发明实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和外围区域，其中，外围区域设置有第一数据引线以及至少两个级联的移位寄存器单元。移位寄存器单元通过第一数据引线与显示区域中的栅线相连接。相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值。
[0041]这样一来，由于相邻两条第一数据引线之间的最小间距大于或等于距离阈值。从而可以降低外围区域的布线密集程度，进而降低了由拐角引发静电释放的几率，从而减小由于上述静电释放对布线密集区域