专利名称：玻璃基板的薄化方法
技术领域：
本发明是有关于一种薄化方法，且特别是有关于一种玻璃基板的薄化方法。
背景技术：
目前，平面显示器(例如，液晶平面显示器、有机电激发光显示器、电浆显示器等) 已被广泛的应用在中、小型可携式电视、移动电话、摄录放影机、笔记本电脑、桌上型显示器 以及投影电视等消费性电子或计算机产品。然而，为因应市场的需求，平面显示设备的屏幕 不断朝向大尺寸以及重量减轻的方向发展。于熟知技术中，将基板薄化是一种能使平面显示器的重量与厚度减小的方法。然 而，薄化后的基板的弯曲强度会减弱，进而降低基板的可靠度，尤其当基板尺寸偏大时，基 板的可靠度更低。如此一来，在显示面板的制作过程中，运送途中的外力破坏，而影响整体 的制程良率。因此，如何增加薄化后的基板强度成为目前显示面板制作技术中亟待解决的 课题。
发明内容
本发明提供一种玻璃基板的薄化方法，可提升薄化后的玻璃基板的强度。本发明提出一种玻璃基板的薄化方法。提供一玻璃基板。对玻璃基板进行一第一 次蚀刻制程，以薄化玻璃基板的厚度。对薄化后的玻璃基板进行一研磨制程，以再次薄化玻 璃基板的厚度，并于玻璃基板上形成一第一处理表面，其中第一处理表面的中心线平均粗
糙度aa)范围介于loo埃(至
300埃〔I )之间。对玻璃基板的第一处理表面进行一第二次蚀刻制程，以形成一第二处理
表面，其中第二处理表面的中心线平均粗糙度范围介于10埃(A )至50埃〔\ )之间。在本发明的一实施例中，上述对薄化后的玻璃基板进行研磨制程之后，玻璃基板 的强度范围介于55 Nt至65 Nt之间。在本发明的一实施例中，上述对玻璃基板的第一处理表面进行第二次蚀刻制程之 后，玻璃基板的强度介于70 Nt至80 Nt之间。在本发明的一实施例中，上述第一次蚀刻制程的蚀刻速率介于0. 05 μ m/s至 0. 1 μ m/s 之间。在本发明的一实施例中，上述第二次蚀刻制程的蚀刻速率介于0. 05 μ m/s至 0. 1 μ m/s 之间。在本发明的一实施例中，上述研磨制程包括化学机械研磨制程(chemi ca 1 mechanical polishing, CMP)或电化学抛光(Electrochemical Polish，ECP)。 在本发明的一实施例中，上述第一次蚀刻制程包括等向性蚀刻制程或是非等向性 蚀刻制程。 在本发明的一实施例中，上述第二次蚀刻制程包括等向性蚀刻制程或是非等向性蚀刻制程。在本发明的一实施例中，上述经过该研磨制程之后，玻璃基板具有一范围介于400 微米至1000微米的厚度。基于上述，由于本发明的玻璃基板的薄化方法是于进行完第一次蚀刻制程以及研 磨制程之后，透过第二次蚀刻制程来分散玻璃基板表面上的应力，因此可有效避免产生应 力集中的问题，进而可提升薄化后之玻璃基板的强度。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。
图1是本发明的一实施例的一种玻璃基板的薄化方法的流程示意图。图2A为图1步骤SlO时的剖面示意图。图2B为图1步骤S20时的剖面示意图。图2C为图1步骤S30时的剖面示意图。图2D为图1步骤S40时的剖面示意图。其中:100a、100b、100c、100d 玻璃基板；102 第一处理表面；104 第二处理表
面；Dl 第一厚度；D2 第二厚度；D3 第三厚度；D4 第四厚度；SlO S40 步骤。
具体实施例方式图1是本发明的一实施例的一种玻璃基板的薄化方法的流程示意图。图2A至图 2D为图1的玻璃基板的薄化方法各步骤时的剖面示意图。在此必须说明的是，下述实施例 中的组件标号与部分内容，采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技 术内容的说明。请先参考图1与图2A，本实施例的玻璃基板的薄化方法包括以下步骤，首 先，步骤S10，提供一玻璃基板100a，其中玻璃基板IOOa具有一第一厚度Dl，且第一厚度Dl 例如是介于0. 4毫米至1毫米之间，但并限于此。接着，请参考图1与图2B，步骤S20，对玻璃基板IOOa进行一第一次蚀刻制程，以 薄化玻璃基板IOOa的第一厚度D1，而形成一具有一第二厚度D2的玻璃基板100b，其中第 二厚度D2例如是介于0. 4毫米至1毫米之间且小于第一厚度D1。此外，在本实施的第一 次蚀刻制程中，对玻璃基板IOOa的蚀刻速率例如是以0. 05 μ m/s至0. 1 μ m/s之间当作范 例，但不限于上述的蚀刻速率。第一次蚀刻制程例如是等向性蚀刻制程或是非等向性蚀刻 制程。然后，请参考图1与图2C，步骤S30，对薄化后的玻璃基板IOOb进行一研磨制程， 以再次薄化玻璃基板IOOb的第二厚度D2，而形成一具有一第三厚度D3的玻璃基板100c， 并于玻璃基板IOOc上形成一第一处理表面102。在本实施例中，第一处理表面102的中心
线平均粗糙度范围例如是介于100埃(\ )至300埃〔\ )之间，而玻璃基板IOOc的强度范围
介于55 Nt至65 Nt之间。此外，本实施例的研磨制程可包括化学机械研磨制程(chemical mechanical polishing, CMP)或电化学抛光(Electrochemical Polish，ECP)。最后，请参考图1与图2D，步骤S40，对玻璃基板IOOc的第一处理表面102进行一 第二次蚀刻制程，以形成一具有一第二处理表面104的玻璃基板100d。其中，第二处理表面104的中心线平均粗糙度范围例如是介于10埃4 )至50埃4 )之间，且玻璃基板IOOd的
强度介于70 Nt至80 Nt之间。此外，在本实施例的第二次蚀刻制程中，对玻璃基板IOOc的 蚀刻速率例如是以0. 05 μ m/s至0. 1 μ m/s之间当作范例，但不限于上述的蚀刻速率。第二 次蚀刻制程例如包括等向性蚀刻制程或是非等向性蚀刻制程。此时，玻璃基板IOOd具有一 范围介于400微米至1000微米的第四厚度D4。至此，以完成薄化玻璃基板IOOa的制程。由于本实施例的玻璃基板的薄化方法是于进行完研磨制程后，再对中心线平均粗
糙度介于100埃4 )至300埃(i )之间的第一处理表面102进行第二次蚀刻制程，以形成
中心线平均粗糙度介于10埃(A)至50埃〔\)之间的第二处理表面104。如此一来，可有
效地分散研磨制程后分布于第一处理表面102上的应力，意即应力可平均地分布于第二处 理表面104上，可以避免应力集中而导致玻璃基板IOOc强度不足的问题。换言之，本实施 例可透过第二次蚀刻制程来有效避免产生应力集中于经由研磨制程后所形成的第一处理 表面102上的问题，进而可提升薄化后的玻璃基板IOOd的强度。此外，本实施例所采用的薄化方法亦可用于显示面板上，意即可对显示面板的基 板的外表面进行薄化制程，来减少显示面板整体的厚度，并提升显示面板整体的结构强度。在此必须说明的是，图1以及图2A至图2D所绘示的制程仅是作为举例说明之用， 本领域的技术人员当可依据实际状况调整、省略或增加可能的步骤，以符合制程需求，此处 不再逐一赘述。综上所述，由于本发明的玻璃基板的薄化方法是于进行完第一次蚀刻制程以及研 磨制程之后，透过第二次蚀刻制程来分散玻璃基板表面上的应力，因此可有效避免产生应 力集中的问题，进而可提升薄化后的玻璃基板的强度。虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域 中具有通常知识者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明 的保护范围当视所附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种玻璃基板的薄化方法，其特征在于，包括提供一玻璃基板；对该玻璃基板进行一第一次蚀刻制程，以薄化该玻璃基板的厚度；对薄化后的该玻璃基板进行一研磨制程，以再次薄化该玻璃基板的厚度，并于该玻璃 基板上形成一第一处理表面，其中该第一处理表面的中心线平均粗糙度范围介于100埃至 300埃之间；以及对该玻璃基板的该第一处理表面进行一第二次蚀刻制程，以形成一第二处理表面，其 中该第二处理表面的中心线平均粗糙度范围介于10埃至50埃之间。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中对薄化后的该玻璃 基板进行该研磨制程之后，该玻璃基板的强度范围介于阳Nt至65 Nt之间。
3.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中对该玻璃基板的该 第一处理表面进行该第二次蚀刻制程之后，该玻璃基板的强度介于70 Nt至80 Nt之间。
4.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中该第一次蚀刻制程 的蚀刻速率介于0. 05 μ m/s至0. 1 μ m/s之间。
5.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中该第二次蚀刻制程 的蚀刻速率介于0. 05 μ m/s至0. 1 μ m/s之间。
6.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中该研磨制 程包括化学机械研磨制程(chemical mechanical polishing, CMP)或电化学抛光 (Electrochemical Polish, ECP)。
7.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中该第一次蚀刻制程 包括等向性蚀刻制程或是非等向性蚀刻制程。
8.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中该第二次蚀刻制程 包括等向性蚀刻制程或是非等向性蚀刻制程。
9.根据权利要求1所述的玻璃基板的薄化方法，其特征在于其中经过该研磨制程之 后，该玻璃基板具有一范围介于400微米至1000微米的厚度。
全文摘要
一种玻璃基板的薄化方法，包括下列步骤。提供一玻璃基板。对玻璃基板进行一第一次蚀刻制程，以薄化玻璃基板的厚度。对薄化后的玻璃基板进行一研磨制程，以再次薄化玻璃基板的厚度，并于玻璃基板上形成一第一处理表面。第一处理表面的中心线平均粗糙度(Ra)范围介于100埃至300埃之间。对玻璃基板的第一处理表面进行一第二次蚀刻制程，以形成一第二处理表面。第二处理表面的中心线平均粗糙度范围介于10埃至50埃之间。
文档编号B24B37/04GK102101755SQ20111000236
公开日2011年6月22日 申请日期2011年1月7日 优先权日2011年1月7日
发明者郑志伟, 陈钟明 申请人:中华映管股份有限公司, 福州华映视讯有限公司