1.一种利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，包括以下步骤：
通过利用锡金属靶的第一溅射在玻璃衬底上形成锡氧化物缓冲层(SnO2)；以及
通过利用所述锡金属靶的第二溅射在所述锡氧化物缓冲层上形成锡氧化物半导体层(SnO2-x)(0<x≤0.01)。
2.根据权利要求1所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，其中，
在所述形成锡氧化物缓冲层的步骤中，所述第一溅射在5至20mTorr的压力下并在混合氧气和惰性气体的气氛中执行。
3.根据权利要求2所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，其中，
在所述形成锡氧化物半导体层的步骤中，所述第二溅射在0.1至3mTorr的压力下并在混合氧气和惰性气体的气氛中执行。
4.根据权利要求3所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，其中，
在所述形成锡氧化物缓冲层的步骤中的氧气供给量大于在所述形成锡氧化物半导体层的步骤中的氧气供给量。
5.根据权利要求3所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，其中，
所述锡氧化物半导体层的氧气组分比是0.0000001≤x≤0.0001。
6.根据权利要求3所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，在所述形成锡氧化物半导体层的步骤之后，还包括以下步骤：
在300至450℃的氧气气氛中执行30至90分钟的热处理。
7.根据权利要求1所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，其中，
所述第一溅射和所述第二溅射是反应性溅射(reactive sputtering)。
8.根据权利要求1所述的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，其中，
所述锡氧化物半导体层形成得比锡氧化物缓冲层薄。