利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法与流程

技术总结
本发明涉及利用锡金属靶在玻璃衬底上形成锡氧化物层的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法。本发明提供利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，该方法包括以下步骤：通过利用锡金属靶的溅射在玻璃衬底上形成锡氧化物缓冲层(SnO2)；以及通过利用锡金属靶的溅射在锡氧化物缓冲层上形成锡氧化物半导体层(SnO2‑x)(0<x≤0.01)。

技术研发人员：车国麟;任志淳
受保护的技术使用者：瑞福龙株式会社
文档号码：201580002767
技术研发日：2015.11.25
技术公布日：2017.05.10