技术总结
本发明提供了一种n型CuO薄膜的制备方法，包括：S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。与现有技术相比，本发明通过改变溅射过程中的参数从而对所制备薄膜的导电类型进行调控，通从而使沉积的CuO薄膜出现氧空位，呈现n型导电，所制备得到的n型CuO薄膜属于电子导电，其电子迁移率更高，导电性较好，在光照下产生的光生电子寿命长，在内建电场的作用下容易有效分离，减小了复合率；并且可与p型硅形成的异质结具有良好的整流特征，在光解水制氢中可有效地对载流子进行分离，提高效率。
技术研发人员：杨龙;谢致薇;郑之永;杨元政;陈先朝;张雅丽
受保护的技术使用者：广东工业大学
文档号码：201710166387
技术研发日：2017.03.20
技术公布日：2017.06.23