1.一种高通量杂化微波合成法制备多晶材料的方法,其特征在于,能制备AxWO3多晶材料和RTiO3多晶材料中的至少任意一种材料或任意多种材料,具体如下:
AxWO3多晶材料的制备方法,采用高通量杂化微波合成法,包括如下步骤:
① 初始原料的准备和预成型工艺:
a.采用纯的WO3、Na2WO4·2H2O 和W粉作为初始反应原料,根据下述反应方程式:
Na2WO4+WO3+W=NaxWO3
的反应物参加化学反应的比例对进行配比,在惰性气体环境下的手操箱中,将不同配比的反应原料用玛瑙研钵进行研磨和充分混合,得到混合原料粉体;
b. 采用纯的CaO、WO3和W粉作为初始反应原料,根据下述反应方程式:
x CaO +WO3+W = CaxWO3
的反应物参加化学反应的比例对进行配比,在惰性气体环境下的手操箱中,将不同配比的反应原料用玛瑙研钵进行研磨和充分混合,得到混合原料粉体;
c. 采用无定形的B粉和纯的WO3作为初始反应原料,根据下述反应方程式:
x B + WO3 = BxWO3
的反应物参加化学反应的比例对进行配比,在惰性气体环境下的手操箱中,将不同配比的反应原料用玛瑙研钵进行研磨和充分混合,得到混合原料粉体;
② 素坯成型:
将在所述步骤a,b或c中充分混合的混合原料粉体分别放入模具中,然后在10~15 MPa的压力下等静压成型,制备出AxWO3原料片素坯,其中A=Na、Ca或B;
③ AxWO3多晶材料的高通量微波制备工艺:
ⅰ. 采用微波加热系统和气氛控制系统,将在所述步骤②中制备的AxWO3原料片素坯置于小号坩埚中,然后在小号坩埚内的AxWO3原料片素坯上覆盖碳化硅粉末,再将置有AxWO3原料片素坯的小号坩埚置于中号坩埚中,同样在两个坩埚间的空隙处填满碳化硅粉末,形成样品室单元,最后将置有AxWO3原料片素坯的中号坩埚整齐排列在氧化铝反应舟中,形成样品室单元阵列,并将载有样品室单元阵列的氧化铝反应舟置于微波加热系统的微波炉腔内,采用气氛控制系统,能在高温固态反应过程中保持各样品室单元处于稳定的非氧化气氛环境下,使微波加热系统至少能在5 min内将反应温度提升至1000℃以上,微波加热系统控制的反应腔内气氛为惰性气体气氛,完成高温固态反应准备程序;
ⅱ. 在所述步骤ⅰ中的准备程序完成后,接通微波加热系统的电源,设置加热时间和加热功率,使样品室单元内的反应物进行高温固态反应,在反应过程中,控制微波波长不低于122 mm,频率不低于2450 MHz,微波加热功率不低于800W,加热时间至少为15~25 min,反应完成后,使反应产物在反应腔内气氛中随炉降至室温,即得到高纯度的AxWO3多晶材料;
RTiO3多晶材料的制备方法,采用高通量杂化微波合成法,包括如下步骤:
(1)初始原料的准备和预成型工艺:
采用Ti2O3和纯度为3N以上的R2O3 作为初始原料,式中R=Sm、Nd或La,将Sm2O3、Nd2O3或La2O3与 Ti2O3按摩尔比为1:1的比例称量后,将各初始原料充分混合,在惰性气体环境下的手操箱中,将不同配比的反应原料用玛瑙研钵进行研磨和充分混合,得到混合原料粉体;
(2)素坯成型:
将在所述步骤(1)中充分混合的混合原料粉体分别放入模具中,然后在10~15 MPa的压力下等静压成型,制备出RTiO3原料片素坯;
(3)RTiO3多晶材料的高通量微波制备工艺:
Ⅰ.采用微波加热系统和气氛控制系统,将在所述步骤②中制备的RTiO3原料片素坯置于小号坩埚中,然后在小号坩埚内的RTiO3原料片素坯上覆盖碳化硅粉末,再将置有RTiO3原料片素坯的小号坩埚置于中号坩埚中,同样在两个坩埚间的空隙处填满碳化硅粉末,形成样品室单元,最后将置有RTiO3原料片素坯的中号坩埚整齐排列在氧化铝反应舟中,形成样品室单元阵列,并将载有样品室单元阵列的氧化铝反应舟置于微波加热系统的微波炉腔内,采用气氛控制系统,能在高温固态反应过程中保持各样品室单元处于稳定的非氧化气氛环境下,使微波加热系统至少能在5 min内将反应温度提升至1000℃以上,微波加热系统控制的反应腔内气氛为惰性气体气氛,完成高温固态反应准备程序;
Ⅱ. 在所述步骤ⅰ中的准备程序完成后,接通微波加热系统的电源,设置加热时间和加热功率,使样品室单元内的反应物进行高温固态反应,在反应过程中,控制微波波长不低于122 mm,频率不低于2450 MHz,微波加热功率不低于800W,加热时间至少为15~25 min,反应完成后,使反应产物在反应腔内气氛中随炉降至室温,即得到高纯度的RTiO3多晶材料。
2.根据权利要求1所述高通量杂化微波合成法制备多晶材料的方法,其特征在于:在所述步骤③中,能一次性实现具有相同成分的多个AxWO3多晶材料;或在所述(3)中,能一次性实现具有相同成分的多个RTiO3多晶材料样品的高通量制备。
3.根据权利要求1所述高通量杂化微波合成法制备多晶材料的方法,其特征在于:在所述步骤③中,能一次性实现同类AxWO3多晶材料的多成分点材料样品的高通量制备;或在所述(3)中,能一次性实现同类RTiO3多晶材料的多成分点材料样品的高通量制备。
4.根据权利要求1所述高通量杂化微波合成法制备多晶材料的方法,其特征在于:在所述步骤③中,能一次性实现不同类AxWO3多晶材料的多成分点材料样品的高通量制备;或在所述(3)中,能一次性实现不同类RTiO3多晶材料的多成分点材料样品的高通量制备。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述高通量杂化微波合成法制备多晶材料的方法,其特征在于:在所述步骤③的第ⅰ步骤中,微波加热系统控制的反应腔内气氛采用氩气气氛;或在所述(3)的第Ⅰ步骤中,微波加热系统控制的反应腔内气氛采用氩气气氛。