1.一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，具体步骤如下：
(1)取厚度为0.05-0.5mm铜箔，放置于CVD反应炉中；
(2)在600-1200℃的温度下向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应，气体碳源与保护气体的体积流量比为1：10-1：200，所述保护气体为氩气和氮气按4:1的体积份数比混合而成，所述气体碳源为甲烷，气体碳源的通入时间为5-25min，保护气体持续通入；
(3)关闭CVD反应炉，使铜箔上生长第一石墨烯层，生长30-80min后，在第一石墨烯层上覆盖一层第一高导粉末层；
(4)再次打开CVD反应炉，在600-1200℃的温度下向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应，气体碳源与保护气体的体积流量比为1：10-1：80；
(5)关闭CVD反应炉，在第一高导粉末层上继续生长第二石墨烯层，生长20-60min后，在第二石墨烯层上覆盖一层第二高导粉末层；
(6)重复步骤(4)和步骤(5)6-12次；
(7)再次打开CVD反应炉，在600-1200℃的温度下向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应，气体碳源与保护气体的体积流量比为1：10-1：200；
(8)关闭CVD反应炉，在第二高导粉末层上继续生长第三石墨烯层，生长20-60min后，剥除铜箔即可得到多层石墨烯。
2.如权利要求1所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述第一高导粉末层按重量份数计由纳米银粉、纳米铜粉和微粉石墨按1:8:3的重量份数比混合而成。
3.如权利要求1所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述第一高导粉末层的厚度为0.01-0.05mm。
4.如权利要求1所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述第二高导粉末层按重量份数计由纳米铜粉和微粉石墨按10:1的重量份数比混合而成。
5.如权利要求1所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述第二高导粉末层的厚度为0.01-0.02mm。
6.如权利要求2所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述纳米银粉的粒径为10-15nm。
7.如权利要求2所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述纳米铜粉的粒径为12-20nm。
8.如权利要求2所述的一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，所述微粉石墨的粒径为15-25nm。