0为1. 0mmW上的粗粒及平均晶粒尺寸D50为0. 1mmW下的细粒构成，因此， 解决了W往的氧化侣-二氧化娃基烧结体中的上述问题。目P，通过含有粗粒，烧结时的变 形、收缩不会变大，在烧结体内部不会发生潜在的破裂。由此，消除了使用时发生破损的可 能性。
[0050] 另一方面，在粗粒间的空隙内填充有细粒，因此结晶粒子彼此牢固地结合。由此， 烧结体的蠕变变形变小。另外，烧结体的蠕变强度提高。
[0051] 不过，为了得到上述效果，氧化侣-二氧化娃基烧结体中的粗粒及细粒的比率需 要满足W下所述的特定范围。
[0052] 本发明的浮抛害顶盖构件中，氧化侣-二氧化娃基烧结体中的粗粒及细粒的质量 比分别为85~60质量％及15~40质量％。 阳053] 氧化侣-二氧化娃基烧结体中的细粒的质量比超过40质量％ (粗粒的质量比为 少于60质量％ )时，烧结时的变形、收缩变大，制造时的成品率降低。另外，在烧结体内部 发生潜在的破裂，从而有可能在使用时破损。
[0054] 另一方面，氧化侣-二氧化娃基烧结体中的细粒的质量比少于15质量％ (粗粒的 质量比超过85质量％ )时，晶粒彼此的结合不充分，氧化侣-二氧化娃基烧结体的蠕变变 形变大。另外，氧化侣-二氧化娃基烧结体的蠕变强度降低。
[0055] 本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件中，氧化侣-二氧化娃基烧结体中的粗粒 及细粒的质量比优选分别为75~70质量％及25~30质量％。
[0056] 粗粒及细粒的质量比满足上述范围的氧化侣-二氧化娃基烧结体可W按照W下 的顺序制造。
[0057] 准备平均粒径D50为1. 0mmW上的莫来石粒子A和平均粒径D50为0. 1mmW下的 莫来石粒子B。莫来石A、B的氧化钢、氧化钟、氧化铁、氧化铁的合计含量为2质量％W下。 阳05引配合莫来石粒子A及莫来石粒子B，使它们的质量比为85~60质量％及15~40 质量％。将得到的配合物填充至与浮抛害顶盖构件的形状一致的规定形状的模具中，加热 至规定的溫度例如1500°CW上进行烧结。
[0059] 作为莫来石粒子A、B，优选使用电烙莫来石粒子，因为氧化钢、氧化钟、氧化铁、氧 化铁等杂质的含量低。所谓电烙莫来石粒子，是将电烙莫来石破碎至规定的尺寸而得到的 粒子。
[0060] 本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件抑制了在高溫环境下使用时的蠕变变形。 在本说明书中，使用弯曲蠕变试验中的蠕变速度作为蠕变变形的指标。具体而言，在后述的 实施例中所述的弯曲蠕变试验（130(rc、载荷3. 5MPa)中的蠕变速度优选为1 X 10 s/s W下， 更优选为0.5X10 ^/sW下，进一步优选为0. 1X10 ^/sW下。
[0061] 另外，本发明的一个实施方式中的浮抛害顶盖构件在高溫环境下使用时的蠕变强 度高。具体而言，在后述的实施例中记载的弯曲蠕变试验（i3〇(rc)中的1000小时蠕变强 度优选为6MPaW上，更优选为8MPaW上，进一步优选为lOMPaW上。
[0062] 使用时施加在浮抛害顶盖构件上的最大应力根据其使用条件、周围构件的设计而 不同，为约0. 1~约1.OMPa。因此本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件对于使用时所施 加的应力具有足够的蠕变强度。
[0063] 本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件的尺寸及形状可W根据浮抛害顶盖中各 部件的配置等进行适当调节。列举一例如下：长30cm左右、宽5~8cm、高6~10cm的长 方体状。在浮抛害顶盖构件的两端部，设置有用于与吊架卡合的沟槽。
[0064] 接下来，对于本发明的一个方式中的浮法平板玻璃制造装置进行说明。 阳0化]本发明的一个方式中的浮法平板玻璃制造装置具有：在内部容纳烙融锡的浮抛害 和在该浮抛害的上部设置的浮抛害顶盖。该浮抛害顶盖由本发明的浮抛害顶盖构件构成。
[0066] 如上所述，本发明的浮抛害顶盖构件抑制了在高溫环境下使用时的蠕变变形，而 且在高溫环境下使用时的蠕变强度高。
[0067] 因此，没有浮抛害顶盖构件从吊架脱离而落下的担忧，可W长期使用。
[0068] 另外，本发明的浮抛害顶盖构件的上述特性，即，抑制了在高溫环境下使用时的蠕 变变形，而且在高溫环境下使用时的蠕变强度高，运在提高浮抛害内的气氛溫度的情况下 更有效。
[0069] 因此，本发明的一个方式中的浮法平板玻璃制造装置更优选用于W下情况：在使 用粘性更高的玻璃制造平板玻璃时，或者制造虽然组成相同但是厚度较薄的玻璃时。
[0070] 作为前者的具体例，可W列举使用供给于包含暴露于高溫的工序的制作工序中的 高精度显示器用玻璃等粘性高的玻璃制造平板玻璃的情况。
[0071] 作为后者的具体例，可W列举：制造厚度为0.7mmW下，更优选为0.5mmW下，进一 步优选为0. 3mmW下的平板玻璃的情况。
[0072] 本发明的一个方式中的浮法平板玻璃制造方法为：在被称为浮抛害的容纳烙融锡 的浴槽内导入烙融玻璃，在烙融锡上从上游朝着下游连续地运送烙融玻璃，一边冷却该烙 融锡，一边将其从浮抛害排出，由此制造平板玻璃。在本发明的一个方式中的浮法平板玻璃 的制造方法中，由于使用本发明的上述浮抛害顶盖构件，所w能够长期且稳定地制造。 阳〇7引 实施例
[0074] W下，根据实施例详述本发明，但是本发明并不限定于运些实施例。
[0075] (实施例1，比较例1、2)
[0076] 作为弯曲蠕变试验用的样品，准备下表所示组成的氧化侣-二氧化娃基烧结体。 试验用样品的尺寸为25mmX15mmX100mm。
[0077] 需要说明的是，氧化侣-二氧化娃基烧结体是将平均粒径D50为1. 0mmW上的莫 来石粒子A及平均粒径D50为0. 1mmW下的莫来石粒子BW规定的配合比例配合的物质加 热至1500°CW上进行烧结而得到。莫来石粒子A、B为将电烙莫来石破碎并根据其粒径分 为莫来石A、B。因此，构成氧化侣-二氧化娃基烧结体的粗粒（平均晶粒尺寸D50为1. 0mm W上）及细粒（平均晶粒尺寸D50为0.1mmW下）与晶相中的莫来石相的比例、及杂质的 含量为相同的数值。需要说明的是，表中的杂质含量为氧化钢、氧化钟、氧化铁、氧化铁的合 计含量。
[0078] 表 1
[0079]
[0080] 在弯曲蠕变试验中，将载荷设定为2. 5MPa、3. 5MPa，在溫度1300°C下测定蠕变速 度（/s)。将结果示于下表。
[0081] 表 2
[0082]
[0083] 另外，在弯曲蠕变试验中，对载荷与断裂时间的关系进行评价。将结果示于图1。
[0084] 从表2的结果可W确认，晶相中的莫来石相的比例为90质量％W上的实施例1的 氧化侣-二氧化硅烷结体，与晶相中的莫来石相的比例少于90质量％的比较例1、2的氧化 侣-二氧化硅烷结体相比，蠕变速度低，蠕变变形少。另外，从图1的结果可W确认，实施例 1的氧化侣-二氧化硅烷结体，与晶相中的莫来石相的比例少于90质量％的比较例1、2的 氧化侣-二氧化硅烷结体相比，蠕变速度低，蠕变变形少。另外，从图1的结果可W确认，实 施例的氧化侣-二氧化硅烷结体，与比较例1、2的氧化侣-二氧化硅烷结体相比，蠕变强度 局。
[0085] (实施例2、比较例3)
[0086] 在实施例2中，使用与实施例1同样组成的氧化侣-二氧化硅烷结体制作浮抛害 顶盖构件。将其设置在现有的浮抛害顶盖上。另外，作为比较例3,设置W往的娃线石基耐 火砖作为浮抛害顶盖构件。浮抛害顶盖构件的尺寸及形状如前所述。另外，使用时施加在 浮抛害顶盖构件上的最大应力如前所述。将浮抛害内的气氛溫度设定为130(TC，经过4周 后，能够通过目视确认比较例3的耐火砖的中屯、部向下弯曲，发生了蠕变变形。另外，在耐 火砖的底面上产生很多的裂纹。与此相对，在实施例2的浮抛害顶盖构件中，并没有发现蠕 变变形及裂纹的发生。
[0087] 本申请基于2013年4月18日申请的日本专利申请2013-087224,其内容作为参照 并入本文。
【主权项】
1. 一种浮抛窑顶盖构件，其中， 所述顶盖构件包含氧化铝-二氧化硅基烧结体，所述氧化铝-二氧化硅基烧结体中 各晶相的90质量％以上为莫来石相、且氧化钠、氧化钾、氧化钛、氧化铁的合计含量为2质 量％以下， 所述浮抛窑顶盖构件由平均晶粒尺寸D50为1. 0mm以上的粗粒及平均晶粒尺寸D50为 0. 1mm以下的细粒构成，且所述粗粒和所述细粒各自的质量比为85~60质量％及15~40 质量％。2. 如权利要求1所述的浮抛窑顶盖构件，其中， 以25mmX15mmX100mm的样品尺寸进行的弯曲蠕变试验（1300°C、载荷3. 5MPa)中的蠕 变速度为1X10s/s以下。3. 如权利要求1或2所述的浮抛窑顶盖构件，其中， 以25mmX15mmX100mm的样品尺寸进行的弯曲蠕变试验（1300°C)中的1000小时蠕变 强度为6MPa以上。4. 如权利要求1~3中任一项所述的浮抛窑顶盖构件，其中， 所述粗粒及细粒含有莫来石粒子，该莫来石粒子为电熔莫来石粒子。5. 如权利要求1~4中任一项所述的浮抛窑顶盖构件，其中， 在所述晶相中，莫来石相以外的晶相，即刚玉及方石英的含有率相对于氧化铝-二氧 化硅基烧结体的晶相为10质量％以下。6. 如权利要求1~5中任一项所述的浮抛窑顶盖构件，其中， 所述莫来石相以外的晶相为刚玉及方石英的任意晶相，两者中，刚玉的含有比例高。7. -种浮法平板玻璃制造装置，其具有在内部容纳熔融锡的浮抛窑和设置于所述浮抛 窑的上部的浮抛窑顶盖，其特征在于， 所述浮抛窑顶盖由权利要求1~6中任一项所述的浮抛窑顶盖构件构成。8. -种浮法平板玻璃制造方法，其包含使用权利要求7所述的浮法平板玻璃制造装置 制作浮法平板玻璃。9. 如权利要求8所述的浮法平板玻璃制造方法，其中， 所述浮法平板玻璃为显示器用浮法玻璃，该浮法玻璃的厚度为〇. 7_以下。
【专利摘要】提供抑制了使用时的蠕变变形的浮抛窑顶盖构件、使用它的浮法平板玻璃制造装置、及浮法平板玻璃制造方法。一种浮抛窑顶盖构件，其中，所述顶盖构件包含氧化铝-二氧化硅基烧结体，所述氧化铝-二氧化硅基烧结体中各晶相的90质量％以上为莫来石相、且氧化钠、氧化钾、氧化钛、氧化铁的合计含量为2质量％以下，由平均晶粒尺寸D50为1.0mm以上的粗粒及平均晶粒尺寸D50为0.1mm以下的细粒构成，该粗粒及细粒的质量比为85～60质量％及15～40质量％。
【IPC分类】C03B18/16, C04B35/185
【公开号】CN105339315
【申请号】CN201480022193
【发明人】滨岛和雄, 松冈瑞树, 伴信之, 后藤真毅
【申请人】旭硝子株式会社
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年4月15日
【公告号】WO2014171459A1