于或等于2微米、再优选小于或等于1微 米；
[0056] 进一步优选小于或等于0. 8微米，再优选小于或等于0. 5微米，再优选小于或等 于〇. 3微米，再优选小于或等于0. 2微米，再优选小于或等于0. 15微米，再优选小于或等于 0. 11微米，再优选小于或等于0. 05微米。
[0057] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 步骤a)和c)之间还包括以下步骤：
[0058] b)将所述原料硅颗粒在真空或非氧化气氛下热处理，热处理温度为500°C以上， 热处理时间为30分钟以上。
[0059] 在本发明的一个实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法，该方 法包括：
[0060] a)获得原料娃颗粒；
[0061] b)将所述原料硅颗粒在真空或非氧化气氛下热处理，热处理温度为500°C以上， 热处理时间为30分钟以上；
[0062] c)酸洗热处理后的原料硅颗粒。
[0063] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 步骤a)所述原料娃颗粒的平均粒度小于或等于3_，优选小于或等于2_，再优选小于或等 于 1mm；
[0064] 进一步优选小于或等于800微米，再优选小于或等于600微米，01再优选小于或等 于400微米，小于或等于200微米，再优选小于或等于100微米；
[0065] 进一步优选小于或等于80微米，再优选小于或等于60微米，再优选小于或等于40 微米，再优选小于或等于20微米，再优选小于或等于10微米，再优选小于或等于5微米，再 优选小于或等于3微米，再优选小于或等于2微米、再优选小于或等于1微米；
[0066] 进一步优选小于或等于0. 8微米，再优选小于或等于0. 5微米，再优选小于或等 于0. 3微米，再优选小于或等于0. 2微米，再优选小于或等于0. 15微米，再优选小于或等于 0. 11微米，再优选小于或等于0. 05微米。
[0067] 发明人发现，本发明方法可以有效去除原料硅颗粒中的非金属元素，例如B和P。 原料硅颗粒中部分的B和P会在热处理的过程中成为蒸汽而被除去；此外，高温会加速B和 P的扩散速度使得部分B和P会扩散到硅颗粒表面的氧化层中成为氧化物而被酸洗除去。
[0068] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤b)中热处理的温度为700~1500°C，优选为800~1200°C，再优选为900~ ΙΙΟΟΓο
[0069] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤b)中热处理的时间为90分钟以上，优选为100~200分钟，再优选为110~140 分钟。
[0070] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤b)中所述非氧化气氛为惰性气体气氛、还原性气体气氛、或惰性气体和还原性 气体的混合气氛。
[0071 ] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 所述非氧化气氛为氢气和氩气的混合气氛。
[0072] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 氢气和氩气的体积比为2 :98。
[0073] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤a)包括：采用球磨的方法获得所述原料硅颗粒。
[0074] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 球磨的时间为30~400分钟。
[0075] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 球磨的速度为400~1000转/分钟。
[0076] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中球磨使用的磨球直径为1~5_。
[0077] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 所述球磨包括以下i)至ii)两步：
[0078] i)将原料硅小块在700~900转/分钟的转速下球磨1~3小时；
[0079] ii)将步骤i)的产物在1000~1200转/分钟的转速下球磨1~3小时。
[0080] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 所述球磨包括：将原料硅小块在氩气的氛围中800转/分钟的转速下使用3mm的磨球球磨 2小时；再在氩气的氛围中1100转/分钟的转速下使用1mm的磨球球磨2小时，获得原料 娃颗粒。
[0081 ] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗所用的酸溶液含有以下物质的一种或多种：HF、HC1和ΗΝ03。
[0082] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，所述酸溶液含有HF、HC1和ΗΝ03，其中，HF的浓度为0. 3~lmol/L，HCl的浓度为3~ 8mol/L，圆03的浓度为3~8mol/L。
[0083] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中HF的浓度为0. 4~0. 6mol/L。
[0084] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中HC1的浓度为4~6mol/L〇
[0085] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中！1勵 3的浓度为4~6mol/L〇
[0086] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗使的酸溶液含有乙醇。
[0087] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 每升所述酸溶液中含有〇. 5升乙醇。
[0088] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗的温度为30~80°C。
[0089] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗的温度为50~70°C。
[0090] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗的时间为3小时以上，优选为5小时以上。
[0091 ] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗的时间为3~18小时。
[0092] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗的时间为5~7小时。
[0093] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗包括以下i)至iii)中的一步或多步：
[0094] i)加热含有原料硅颗粒的酸溶液；
[0095] ii)搅拌含有原料硅颗粒的酸溶液；
[0096] iii)超声震荡含有原料硅颗粒的酸溶液。
[0097] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 上述步骤i)至iii)中的任意两项或三项可以同时进行。例如加热和搅拌可以同时进行， 或者加热和超声震荡可以同时进彳丁，再例如揽摔和超声震荡可以同时进行。
[0098] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 上述步骤i)至iii)中的任意两项或三项可以分步进行。例如可以先加热和搅拌一段时间， 再超声震荡一段时间。
[0099] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗包括：将含有原料硅颗粒的酸溶液在50~70°C下搅拌4~6小时，然 后在30~70°C(例如50~60°C)下超声震荡1~3小时。
[0100] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中，步骤c)中酸洗，每升酸溶液中加入0. 1~0. 6kg原料娃颗粒，优选加入0. 2~0. 5kg 原料娃颗粒，再优选加入〇. 3~0. 4kg原料娃颗粒。
[0101 ] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 所述原料硅中硅元素的重量含量为40 %以上，例如50 %以上，再例如60 %以上，再例如 70%以上，再例如80%以上，再例如90%以上。
[0102] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中所述原料硅是硅铁。
[0103] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中所述原料娃是工业娃，例如是化学用娃，再例如是冶金用娃。
[0104] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 其中所述原料硅是金属硅。
[0105] 在本发明的一个优选实施方案中，本发明提供了一种制备高纯度硅颗粒的方法， 所述高纯度硅颗粒中，硅的重量含量为98. 9 %以上，优选为99. 9 %以上，再优选为99. 92% 以上，再优选为99. 94%以上，再优选为99. 96%以上，再优选为99. 98 %以上，再优选为 99. 99 %以上，再优选为99. 992 %以上，再优选为99. 994%以上，再优选为99. 996 %以上， 再优选为99. 998%以上，再优选为99. 999