扩展的非线性并苯衍生物和它们作为有机半导体的用途的制作方法

技术特征：

1.式I的化合物

其中

X表示S、O或Se，

A表示C、Si或Ge，

R',R”,R”’彼此独立地表示H、具有1至20个C原子的直链、支链或环状的烷基或烷氧基、具有2至20个C原子的直链、支链或环状的烯基、具有2至20个C原子的直链、支链或环状的基团、具有2至20个C原子的直链、支链或环状的烷基羰基、具有4至20个环原子的芳基或杂芳基、具有4至20个环原子的芳基烷基或杂芳基烷基、具有4至20个环原子的芳氧基或杂芳氧基、或具有4至20个环原子的芳基烷氧基或杂芳基烷氧基，其中所有上述基团任选被一个或多个基团R^S取代，

A¹每次出现时相同或不同地表示具有5-30个环原子的芳基或杂芳基，其任选地被一个或多个基团R^S取代，

R^S每次出现时相同或不同地表示F、Br、Cl、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(O)NR⁰R⁰⁰、-C(O)X⁰、-C(O)R⁰、-C(O)OR⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅、任选取代的甲硅烷基、具有1-40个C原子的碳基或烃基，其任选是取代的并且任选包含一个或多个杂原子。

X⁰表示卤素，优选F、Cl或Br，

R⁰和R⁰⁰彼此独立地表示H或具有1-20个C原子的烷基，

Y⁰和Y⁰⁰彼此独立地表示H、F、Cl或CN。

2.权利要求1的化合物，其选自式I1

其中A、R'、R”和R”’如在权利要求1中所定义，并且苯环任选地被一个或多个如在权利要求1中所定义的基团R^S取代。

3.权利要求1或2的化合物，其中A为Si。

4.根据权利要求1-3的一项或多项的化合物，其中R'、R”和R”’彼此独立地选自具有1-10个C原子的任选取代的并且直链、支链或环状的烷基或烷氧基，具有2-12个C原子的任选取代的并且直链、支链或环状的烯基、炔基或烷基羰基，和具有5-10个环原子的任选取代的芳基、杂芳基、芳基烷基或杂芳基烷基、芳氧基或杂芳氧基。

5.组合物配制剂，包含一种或多种根据权利要求1-4的一项或多项的化合物，和一种或多种有机粘合剂或其前体，优选选自聚合物有机粘合剂，优选在1000Hz下具有3.3或更小的介电常数ε。

6.配制剂，包含一种或多种根据权利要求1-4的一项或多项的化合物或根据权利要求5的组合物，并且进一步包含一种或多种有机溶剂。

7.根据权利要求1-6的一项或多项的化合物、组合物或配制剂作为半导体、电荷传输、导电、光导、光活性或发光材料，或作为染料或颜料的用途，其优选在光学、电光学、电子、电致发光或光致发光器件中，或在这样的器件的组件中或在包含这样的器件或组件的组装件中。

8.半导体、电荷传输、导电、光导、光活性或发光材料，或染料或颜料，包含一种或多种根据权利要求1-4的一项或多项的化合物或根据权利要求5或6的组合物或配制剂。

9.光学、电光学、电子、光活性、电致发光或光致发光器件，或其组件，或包含它们的组装件，其包含一种或多种根据权利要求1-4的一项或多项的化合物，根据权利要求5或6的组合物或配制剂，或根据权利要求8的材料。

10.根据权利要求9的器件、组件或组装件，其选自有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光二极管(OLED)、有机发光晶体管(OLET)、有机光伏器件(OPV)、有机光电探测器(OPD)、有机太阳能电池、染料敏化太阳能电池(DSSC)、激光二极管、肖特基二极管、光电导体、光电探测器、热电器件、电荷注入层、电荷传输层、中间层、平坦化层、抗静电膜、聚合物电解质膜(PEM)、导电基板、导电图案、集成电路(IC)、射频识别(RFID)标签或安全标记或包含它们的安全器件、平板显示器或其背光、电子照相器件、电子照相记录器件、有机存储器件、传感器件、生物传感器和生物芯片。