用于有机电致发光器件的基于苯并菲的材料的制作方法
技术特征：
1.式(2)的中性化合物，
其中以下适用于使用的符号和标记：
Z在每次出现时相同或不同地是CR1或N，条件是每个环中最多两个基团Z代表N；
R在每次出现时相同或不同地选自N(Ar1)2，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2和具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R1取代；
Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个非芳族基团R3取代；在此处两个与同一N原子或P原子键合的基团Ar1还可以经由单键或选自N(R4)、C(R4)2、O或S的桥连基彼此桥连；
R1在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个基团R3取代，并且其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R3取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个与同一苯环键合的相邻取代基R1可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；
R3在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(R4)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R4，P(＝O)(Ar1)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团可以被一个或多个基团R4取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、C＝O、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R4取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R4取代，或这些体系的组合，其中两个或更多个相邻的取代基R3可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R4取代；
R4选自H，D，F，CN，具有1至20个C原子的脂族烃基团，具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或具有1至5个C原子的烷基基团代替，其中两个或更多个相邻的取代基R4可以彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；
条件是本发明不包括如下化合物：
2.根据权利要求1所述的化合物，其选自式(7)的化合物，
其中使用的符号具有在权利要求1中所给出的含义。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其选自式(7a)的化合物，
其中使用的符号具有在权利要求1中所给出的含义。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，在式(2)或(7)或(7a)的化合物中，所述两个基团R是相同的。
5.用于制备根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物的方法，所述方法通过1,12-二锂苯并菲衍生物与亲电子试剂的反应或者通过在金属催化偶联反应中卤素或氨基取代的苯并菲衍生物的反应进行制备。
6.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，其含有根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物中的一种或多种，其中存在一个或多个从所述化合物至所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键。
7.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物或者根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件中的用途。
8.包含至少一种根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物或者根据权利要求6所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子的电子器件，所述电子器件优选选自有机电致发光器件(OLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机等离子体发射器件。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，它是有机电致发光器件，并且根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物用作荧光发光体或磷光发光体的基质材料和/或用作荧光发光体和/或用于空穴阻挡层中和/或用于电子传输层中和/或用于电子阻挡或激子阻挡层中和/或用于空穴传输或空穴注入层中和/或用于光耦合输出层中。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物用作磷光发光体的基质材料，并且其特征在于，至少一个基团R1代表N(Ar1)2、C(＝O)Ar1、P(＝O)(Ar1)2或者代表具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R3取代，其中所述基团Ar1或者在Ar1上的基团或者所述芳族或杂芳族环系或者在所述芳族或杂芳族环系上的基团R3不含具有超过10个C原子的稠合芳基基团，并且不含其中超过两个芳基或6元杂芳基基团直接稠合至彼此上的稠合杂芳基基团；
和/或其特征在于，在式(2)或式(7)或式(7a)的化合物中，R在每次出现时相同或不同地代表N(Ar1)2、C(＝O)Ar1、P(＝O)(Ar1)2或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R1取代，其中所述基团Ar1或者在Ar1上的基团或者所述芳族或杂芳族环系或者在所述芳族或杂芳族环系上的基团R1不含具有超过10个C原子的稠合芳基基团，并且不含其中超过两个芳基或6元杂芳基基团直接稠合至彼此上的稠合杂芳基基团。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，至少一个基团R1和/或R选自苯基，邻位、间位或对位的联苯，邻位、间位或对位的三联苯，邻位、间位、对位或支链的四联苯，芴或螺二芴，其中的每个可以被一个或多个基团R3取代，
和/或其特征在于，至少一个基团R1和/或R选自式(8)至(38)的结构，
其中R3具有在权利要求1中所给出的含义，并且虚线键表示与所述苯并菲骨架的键合；
和/或其特征在于，至少一个基团R1和/或R选自式(39)至(41)的结构，和/或其特征在于，至少一个基团R2选自式(40)的结构，
其中使用的符号具有在权利要求1中所给出的含义，并且，此外：
Ar2在每次出现时相同或不同地是具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R3取代；在此处，所有基团Ar2的芳族环原子在一起的总数不超过60；
E选自C(R4)2、NR4、O或S。
12.根据权利要求9至11中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物用作电子传输材料，并且至少一个基团R1和/或R代表C(＝O)Ar1、P(＝O)(Ar1)2或者代表具有5至40个芳族环原子的缺电子杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R3取代。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缺电子杂芳族环系R1和/或R含有如下结构作为杂芳基基团，即三嗪、嘧啶、吡嗪、哒嗪、吡啶、咪唑、吡唑、唑、
二唑、三唑、噻唑、噻二唑、苯并咪唑、喹啉、异喹啉或喹喔啉，并且特别是选自根据权利要求11所述的式(8)至(11)的结构或选自式(42)至(45)的结构，
其中R3具有在权利要求1中所给出的含义，并且虚线键表示与所述苯并菲骨架的键合。
14.根据权利要求9至13中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物用作空穴传输材料或用作发光化合物，并且至少一个基团R1和/或R代表N(Ar1)2、代表三芳基氨基基团或者代表具有5至40个芳族环原子的富电子杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R3取代。
15.一种制剂，其包含至少一种根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物或者一种或多种根据权利要求6所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子和至少一种溶剂。
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