撞密度调节送出和照射。为了该调节，可以检测与聚合物膜碰撞后的离子和/或透过聚合物膜的离子的密度，根据检测出的值进行聚合物膜的送出和/或离子束的照射的反馈控制。
[0066]可以在将从回旋加速器到聚合物膜附近的束流线保持在高真空气氛中的同时，对处于低真空气氛(例如压力10Pa以上)或大气压气氛的聚合物膜照射离子。此时，可以得到在尽可能地抑制束流线上的离子能量的衰减的同时，(I)可以减少聚合物膜的更换所需的时间；(2)可以抑制来自送料辊的排出气体对真空度的影响，可以实现稳定的照射气氛(在使用送料辊时也容易稳定地保持压力10Pa以上的气氛)等效果。需要说明的是，此时只要在高真空气氛与低真空气氛或大气压气氛的边界，配置在能够制造多孔聚合物膜的程度内、即在工序(II)中通过化学蚀刻形成开口和/或通孔的程度内透过离子的压力隔板片即可。压力隔板片为例如金属片。压力隔板片优选钛片或铝片。
[0067]构成聚合物膜的聚合物没有特别限定。聚合物例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚偏二氟乙烯。
[0068]聚合物膜的厚度例如为10 μ m?200 μ m。
[0069]配置聚合物膜的气氛(对聚合物膜照射离子束的气氛)为空气，且其压力为大气压时，聚合物膜可以配置于密闭的空间(例如，腔室内)，也可以配置于开放空间。关于送料辊和卷绕辊也同样。当然，即使在该情况下，也可以将聚合物膜配置于密闭的空间。
[0070]配置聚合物膜的气氛与空气不同时或其压力低于大气压时，聚合物膜优选收容于密闭的空间例如腔室内。关于送料辊和卷绕辊也同样。
[0071]在工序(I)中，例如，从与聚合物膜I的主面垂直的方向对该膜照射离子束。在图1所示的例子中，进行这样的照射。此时，通过工序(II)可以得到形成有沿与主面垂直的方向延伸的孔的多孔聚合物膜21。在工序(I)中，可以从相对于聚合物膜I的主面倾斜的方向对该膜照射离子束。此时，通过工序(II)可以得到形成有沿相对于主面倾斜的方向延伸的孔的多孔聚合物膜21。可以通过公知的方法控制对聚合物膜I照射离子束的方向。
[0072]在工序⑴中，例如，以多个离子2的轨迹相互平行的方式对聚合物膜I照射离子束。在图1所示的例子中，进行这样的照射。此时，通过工序(II)可以得到形成有相互平行地延伸的多个孔的多孔聚合物膜21。在工序(I)中，可以以多个离子2的轨迹相互不平行(例如相互随机)的方式对聚合物膜I照射离子束。可以通过公知的方法控制照射的离子2的轨迹。
[0073]用于实施工序(I)的装置具备:例如，离子气体源、使气体离子化的离子源装置、使离子束偏转的电磁铁、回旋加速器、散射体、内含在回旋加速器中加速后的离子的束流线的束流管、将离子束聚焦/成形的多极电磁铁、用于将离子束的路径保持在规定的真空度的真空栗、配置聚合物膜的腔室、聚合物膜的运送机构等。
[0074][工序(II)]
[0075]在工序(II)中，对在工序(I)中经离子碰撞后的聚合物膜进行化学蚀刻，从而在聚合物膜中形成与离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔，得到多孔聚合物膜。
[0076]可以使用例如酸或碱作为化学蚀刻的蚀刻剂。具体的化学蚀刻的方法按照公知的方法即可。
[0077]作为具有开口的孔或通孔的孔的孔径根据工序(I)中使用的离子种类及其能量而不同，例如为0.01 μπι?10 μπι。该孔通常以直线状延伸。
[0078]孔延伸的方向可以是与多孔聚合物膜的主面垂直的方向。
[0079]可以通过工序⑴中使用的离子种类、其能量及其碰撞密度(照射密度)控制所得到的多孔聚合物膜中的孔的密度。
[0080]只要能获得本发明的效果，本公开的制造方法就可以包含工序(I)、(II)以外的任意的工序，例如蚀刻促进工序。
[0081]可以在与以往的多孔聚合物膜同样的各种用途中使用通过本公开的制造方法生产的多孔聚合物膜。该用途例如为防水透气片、光学片。
[0082]本发明只要不脱离其意图及本质的特征，就能在其他实施方式中应用。该说明书中公开的实施方式在所有方面都只是用于说明而不限于此。本发明的范围不由上述说明而是由附加的权利要求示出，其中包括与权利要求等同的含义和范围内的所有变化。
[0083]产业实用性
[0084]可以在与以往的多孔聚合物膜同样的用途中使用通过本公开的制造方法制造的多孔聚合物膜。
【主权项】
1.一种多孔聚合物膜的制造方法，其包括: 工序(I)，对聚合物膜照射离子束，从而形成经所述离子束中的离子碰撞后的聚合物膜；和 工序(II)，对所述形成的聚合物膜进行化学蚀刻，从而在该膜中形成与所述离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔， 对所述聚合物膜照射的离子束为将原离子束的尾部通过非线性聚焦法向离子束中心方向折叠而得到的离子束， 所述原离子束由在回旋加速器中加速后的离子构成，并且关于与离子束的行进方向垂直的截面的强度分布，所述原离子束具有以离子束中心为最大强度且随着远离该中心束流强度连续降低的分布图， 在所述工序(I)中，以带状的所述聚合物膜横穿所述离子束的方式运送该膜，由此对所述聚合物膜照射所述离子束。2.如权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，关于所述强度分布，所述原离子束具有以离子束中心为最大强度的正态分布的所述分布图。3.如权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，所述原离子束的所述截面的形状为近似圆形或近似椭圆形。4.如权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，所述离子束为在所述截面上的正交的2个方向上通过非线性聚焦法将所述原离子束的所述尾部向离子束中心方向折叠而得到的离子束。5.如权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，所述离子束的所述截面的形状为近似矩形。6.如权利要求5所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，在所述工序(I)中，以所述近似矩形的形状中的长边的方向为横穿所述离子束的所述带状的聚合物膜的宽度方向的方式，对所述聚合物膜照射所述离子束。7.如权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，在所述工序(I)中，在固定所述离子束的照射方向的状态下，对所述聚合物膜照射该离子束。8.如权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法，其中，所述离子为质量数大于氖的离子。9.一种多孔聚合物膜，其通过权利要求1所述的多孔聚合物膜的制造方法而得到。
【专利摘要】本公开的方法是一种多孔聚合物膜的制造方法，其包括：以横穿离子束的方式运送带状的聚合物膜，由此对该膜照射离子束，从而形成经离子束中的离子碰撞后的聚合物膜的工序；和对形成的聚合物膜进行化学蚀刻，从而在该膜中形成与离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔的工序，对聚合物膜照射的离子束为将原离子束(51)的尾部通过非线性聚焦法向离子束中心方向折叠而得到的离子束(11)，所述原离子束由在回旋加速器中加速后的离子构成，并且关于与离子束的行进方向垂直的截面的强度分布，所述原离子束具有以离子束中心为最大强度且随着远离该中心束流强度连续降低的分布图。
【IPC分类】C08J7/12, C08J7/00, C08J9/00
【公开号】CN105189626
【申请号】CN201480018296
【发明人】古山了, 长井阳三, 森山顺一, 百合庸介, 汤山贵裕, 石坂知久, 石堀郁夫, 吉田健一, 前川康成, 越川博, 八卷徹也, 浅野雅春
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年3月26日
【公告号】EP2980139A1, WO2014156155A1