一系列咔唑衍生物的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于有机电致发光显示和照明技术领域，涉及一系列咔唑衍生物。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光（简称0LED)及相关的研究早在1963年pope等人首先发现了有机 化合物单晶蒽的电致发光现象。1987年美国的柯达公司用蒸镀有机小分子的方法制成了 一种非晶膜型器件，将驱动电压降到了 20V以内。这类器件由于具有超轻薄、全固化、自发 光、亮度高、视角宽、响应速度快、驱动电压低、功耗小、色彩鲜艳、对比度高、工艺过程简单、 温度特性好、可实现柔软显示等优点，可广泛应用于平板显示器和面光源，因此得到了广泛 地研究、开发和使用。
[0003] 经过二十几年的发展，有机EL材料已经全面实现了红、蓝、绿色发光，应用领域也 从小分子扩展到了高分子以及金属络合物等领域。最近几年有机电发光显示技术己趋于 成熟，采用传统的真空蒸镀法制备成照明或显示设备，一些产品已进入市场，但材料利用率 低，良率低，造成生产成本居高不下。属于第三代技术的0LED溶液制程，是以印刷喷墨设备 喷洒溶液状态的RGB发光材料成为像素，RGB三种仰像素可独立制造。跟传统真空蒸镀法 相比，这可减少有机材料的浪费，投资印刷设备的费用也比真空蒸镀设备要低。与白光0LED 相比，因为不需要彩色滤光片，可以压低面板生产成本，而使用微共振腔的向上发光结构， 能产生高强度的亮度，也是受到瞩目的原因之一。
[0004] 可喷墨打印等独特的优势被认为是下一代显示发展的方向。磷光发光材料可以同 时利用单线态激子和三线态激子，为0LED效率的进一步提高提供了有效的途径。实验证 明，采用磷光材料的0LED的外量子效率可以达到23. 4%。而实现喷墨打印，需要采用可溶 液制备的发光层。一般情况下，制作溶液制备的发光层时，需要将磷光材料掺杂进聚合物主 体中，以提高薄膜的质量、抑制磷光三线态激子之间的猝灭以及提高发光层的载流子传输 性能。但是大部分聚合物材料分子量分布不均，都是空穴传输材料，导致电子、空穴在发光 层中的分布很不平衡，降低了发光效率。因此如何增多发光层中电子的数目，进而提高器件 的效率，是一个很重要的问题。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的是提供一系列咔唑衍生物。
[0006] 本发明提供的咔唑衍生物，其结构通式如式I所示，
[0007]
[0008] 所述式I中：
[0009] &选自C1-C18的直链或带有支链的脂肪烃基、取代的或未取代的C 6_C6。芳基、取 代的或未取代的C6_C6。芳氧基、取代的和未取代的C 2_C6。杂环芳基中的任意一种；
[0010] R2选自C1-C18的直链或带有支链的脂肪烃基、腈基和氟原子中的任意一种，具体 为甲基或叔丁基；
[0011] R3选自C1-C18的直链或带有支链的脂肪烃基、取代的或未取代的C6-C6。芳基、取 代的或未取代的c6-c6。芳氧基、取代的或未取代的c 6-c6。芳硫基、取代的或未取代的c 6-c6。 芳膦基、取代的或未取代的c6-c6。芳硅基、取代的或未取代的c 6-c6。芳硼基和取代的或未取 代的C2-C60杂环芳基中的任意一种；
[0012] 所述取代的C6_C6。芳基、取代的C 6_C6。芳氧基、取代的C 6_C6。芳硫基、取代的C 6-c6。 芳膦基、取代的c6-c6。芳硅基、取代的c 6-c6。芳硼基、取代的c 2-c6。杂环芳基中，取代基选自 甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、氰基、苯氧基、卤原子或含有2~8个碳原子的脂肪烃基中的任 意一种。
[0013] 具体的，所述C6_C6。芳基选自苯基、萘基、联苯基、蒽基、联蒽基、对叔丁基苯基、 2, 4-二氟苯基、4- (N，N-二甲基胺基）苯基、4- (N，N-二苯基胺基）苯基、3- (N，N-二苯基胺 基）苯基、芘基、并四苯基、菲基、苯并菲基、苯并蒽基、苯并芘基、芴基、中的任意一种；
[0014] 所述C6_C6。芳氧基选自4-苯氧基苯基、二苯并[b, d]咲喃-2-基、二苯并[b, d]咲 喃-4-基、苯并呋喃-2-基、苯并呋喃-5-基、苯并呋喃-7-基中的任意一种；
[0015] 所述C6_C6。芳硫基选自二苯并[b, d]噻吩-2-基、二苯并[b, d]噻吩-4-基、4-苯 亚砜基苯基、4-苯砜基苯基、苯并噻吩-2-基、苯并噻吩-5-基、苯并噻吩-7-基中的任意一 种；
[0016] 所述C6_C6。芳膦基选自4-(二苯基氧膦基）苯基、3-(二苯基氧膦基）苯基、二苯 并[b]氧膦-5-(4-苯基）-4-基中的任意一种；
[0017] 所述C6_C6。芳硅基选自4-(三苯基硅基）苯基、4-(二苯基甲基硅基）苯基、3-(三 苯基硅基）苯基、3-(二苯基甲基硅基）苯基中的任意一种；
[0018] 所述(：6-(：6。芳硼基选自4-(二（2,4,6-三甲基）苯基）-硼烷苯基、二苯并[13，(1] 硼烷-5-苯基-4-基、三苯基硼基中的任意一种；
[0019] 所述C2_C6。的杂环芳基选自如下式II-1至式11-15所示基团中的任意一种：
[0020]
[0021] 所述式II-1~11-15中，ZpZ2、Z3独立的选自氢、氘氢、卤原子、羟基、腈基、硝基、 氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸盐、磺酸基或其磺酸盐、磷酸基或其磷酸盐、（；_(；。烷 基、C2_C6。烯基、C 2_C6。炔基、C「Q；。烷氧基、c 3-〇；。环烷烃基、c 3-c6。环稀经基、c 6-c6。芳基、至 少含有一个-F、-CN或CfCi。烷基的C 6-C6。芳基、取代的或未取代的C 6-C6。芳氧基、取代的或 未取代的c6-c6。芳硫醚基和取代的或未取代的c2-c6。杂环芳基中的任意一种；
[0022] 所述取代的C6_C6。芳氧基、取代的C6_C 6。芳硫醚基和取代的C2_C6。杂环芳基中，取 代基选自甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、氰基、苯氧基、卤原子或含有2~8个碳原子的脂肪烃 基中的任意一种；
[0023] 1~4的整数；
[0024] x2为1~3的整数；
[0025] x3为1~2的整数；
[0026] x4为1~6的整数；
[0027] x5为1~5的整数；
[0028] !\为氧或硫原子。
[0029] 更具体的，上述式I中札、私和R3的定义中，C1-C18的直链或带有支链的脂肪烃基 具体选自 C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、CIO、Cll、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C2-C6 的烃基、C2-C18的烃基、C3-C14的烃基、C4-C15的烃基、C5-C10的烃基、C6-C8的烃基、 C7-C15的烃基和C8-C15的烃基中的至少一种；其中，所述烃基具体可为烷基、（CH3)2N-基 0 或k 4基；其中，^表不取代位； -7 x-〇-V；
[0030] 更具体的，所述式I所示化合物为如下化合物1至化合物66中的任意一种：
[0034] 另外，含有上述本发明提供的式I所示化合物的有机发光二极管材料及该式I所 示化合物在制备有机发光二极管材料中的应用以及该式I所示化合物作为发光层材料在 制备有机电致发光器件中的应用和以式I所示化合物作为发光层的有机电致发光器件，也 属于本发明的保护范围。其中，所述有机发光二极管材料具体为有机电致发光材料，更具体 为焚光发射波长为380-420nm的有机电致发光材料；所述有机电致发光器件具体为有机电 致发光器件。所述荧光发射波长具体为388、390、410或418nm。
[0035] 具体的，所述有机电致发光器件由下至上依次由透明基片、阳极、空穴注入层、空 穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层组成。
[0036] 其中，构成所述透明基片的材料为玻璃或柔性基片；
[0037] 构成所述阳极层的材料为无机材料或有机导电聚合物；其中，所述无机材料为氧 化铟锡、氧化锌、氧化锡锌、金、银或铜；所述有机导电聚合物选自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸 钠和聚苯胺中的至少一种；
[0038] 构成所述空穴注入层的材料为PEDOT :PSS、TDATA、m-MTDATA和2-TNATA所示化合 物中的任意一种：
[0040] 构成所述空穴传输层的材料为NPB、TPD、PF6TTO、xPTTO、QUPD、0TTO和TONA所示 化合物中的任意一种：
[0042] 构成所述有机发光层的材料为式I所示化合物和掺杂材料；
[0043] 所述式I-所示化合物的质量与所述掺杂材料的质量比为90 :1-10 ;
[0044] 其中，所述掺杂材料选自如下化合物中的任意一种：
[0047] 构成所述电子传输层的材料为Liq、Gaq3、TPBI或Slichem-EL-068所示化合物中 的任意一种：
[0049] 构成所述阴极层的材料选自下述元素中的任意一种或任意两种组成的合金或下 述元素的氟化物：锂、镁、银、钙、锶、铝、铟、铜、金和银。
[0050] 具体的，所述空穴注入层的厚度为30-50nm