1.一种操作半导体设备的方法，包括：
对选中层面执行多层面擦除操作；
当擦除循环的数目达到了最大数目而没有成功完成所述多层面擦除操作时，确定所述多层面擦除操作失败；
确定在所述选中层面中是否有通过层面；以及
对所述通过层面执行软编程操作。
2.根据权利要求1所述的操作半导体设备的方法，进一步包括：当对所述选中层面的所述多层面擦除操作通过时，对所有的所述选中层面执行所述软编程操作。
3.根据权利要求1所述的操作半导体设备的方法，其中，通过增量步进脉冲擦除ISPE方法来执行所述擦除循环。
4.根据权利要求3所述的操作半导体设备的方法，其中，所述擦除循环包括：
对所述选中层面执行擦除操作；以及
对所述选中层面执行擦除验证操作。
5.根据权利要求1所述的操作半导体设备的方法，进一步包括：
即使对所述选中层面执行的擦除循环的数目达到所述最大数目，在对所述选中层面的所述多层面擦除操作失败时更新状态码以指示对所述选中层面的所述多层面擦除操作的失败。
6.根据权利要求1所述的操作半导体设备的方法，其中，通过增量步进脉冲编程ISPP方法来执行所述软编程操作。
7.根据权利要求1所述的操作半导体设备的方法，其中，所述软编程操作包括：
对所述通过层面执行软编程操作；以及
对所述通过层面执行软编程验证操作。
8.根据权利要求1所述的操作半导体设备的方法，进一步包括：阻止对于所述选中层面之中的所述擦除验证操作失败了的失败层面而不是所述通过层面中包括的存储器块的访问。
9.一种半导体设备，包括：
多个层面，适于存储数据；
外围电路，适于对所述多个层面执行多层面擦除操作和软编程操作；以及
控制电路，适于：当对选中层面的所述多层面擦除操作失败时，确定在所述多个层面的所述选中层面之中是否有擦除验证操作通过的一个或更多个通过层面，以及适于：控制所述外围电路来对所述通过层面执行所述软编程操作。
10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中，所述多个层面中的每个包括多个存储器块。