技术特征：
技术总结
一种静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法。其中，静态随机存取存储器阵列包括可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元。可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元设置于静态随机存取存储器阵列的第一列中。静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括第一读取下拉晶体管以及第一读取通道闸晶体管。第一读取下拉晶体管包括第一栅极、第一源极/漏极以及第二源极/漏极。第一读取通道闸晶体管包括第三源极/漏极以及第四源极/漏极。读取追踪位元线电性连接至读取感测放大器时序控制电路。本发明可提高静态随机存取存储器的效率。
技术研发人员：廖忠志
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.08.02
技术公布日：2017.08.08