算机1038可以是个人电脑、服务器、路由器、网络计算机、工作站、基于微处理器的家用电器、对等装置(peer device)、智能手机、平板电脑或其他网络节点，并且通常包括很多与计算机相关联的原件。为了简单起见，只将存储器装置1040与远程计算机1038 —起示出。远程计算机1038通过网络接口 1042与计算机1002逻辑连接，然后通过通信连接1044而被连接。网络接口 1042包括有限或无线通信网络，例如局域网(LAN)和广域网(WAN)以及蜂窝网络。LAN技术包括光纤分布式数据接口(FDDI)、铜线分布式数据接口(CDDI)、以太网、令牌网等。WAN技术包括但不限于，点对点链接、电路交换网络(如综合业务数字网，即，ISDN)及其变型、包交换网络和数字用户线路(DSL)。
[0105]通信连接(communicat1n connect1n) 1044指的是用来连接网络接口 1042和总线1008的硬件/软件。虽然为了清楚起见通信连接1044被示出为在计算机1002内部，它也可以在计算机1002的外部。用于连接到网络接口 1042所需的硬件/软件包括，例如，内部技术和外部技术，例如，包括常规电话等级调制解调器(regular phone grade modem)、电缆调制解调器和DSL调制解调器的各种调制解调器、ISDN适配器，以及有线和无线以太网卡、集线器和路由器。
[0106]本文所使用的术语“组件”、“系统”、“结构”等是用来指代计算机或电子类实体，既可以是硬件，也可以是硬件和软件的组合或软件(例如被执行的软件)或固件。例如，一个组件可以是一个或两个晶体管、存储器单元、多个晶体管或存储器的组合、门阵列、可编程门阵列、指定用途的集成电路、控制器、处理器、在处理器上运行的程序、可执行的目标、能够访问半导体存储器或与半导体存储器相协同的程序或应用程序、或计算机等，或者是以上各项的适当组合。组件包括可擦除的程序(例如，至少部分地存储在可擦除的存储器上的处理指令)和不可擦除的程序(例如，在制造存储器时就记录在不可擦除的存储器的处理指令)。
[0107]作为示例，存储器和处理器执行的处理都可以是组件。作为另一个例子，“结构”包括电器硬件(例如，并联或串联的晶体管)的设置、处理指令和处理器，该处理器以适于该电器硬件的设置的方式来执行该处理指令。此外，结构可以包括单个组件(例如，晶体管、门阵列，……)或多个组件的设置(例如，串联或并联的晶体管设置，与可编程电路、电源引线、接地端、输入信号线和输出信号线等连接的门阵列)。系统可以包括一个或多个组件及一个或多个结构。系统的一个例子是交换区块结构(switching block architecture)，包括交叉输入/输出线和通门晶体管，以及电源、信号发生器、通信总线、控制器、1/0接口、地址寄存器等。可以理解，这些定义的范围会部分重叠，结构或系统可以是独立的组件，或另一个结构或系统的组件。
[0108]除上述内容以外，所公开的发明可以实施为方法、设备或制造品，利用典型的制造、编程或工程技术来生产出硬件、固件、软件或它们的任何组合来控制电子装置实施所公开的法民。术语“设备”和“制造品”在文中使用时意图涵盖电子器件、半导体器件、计算机或者可以通过任何计算机可读器件、载波或媒体来存取的计算机程序。计算机可读媒体可以包括硬件媒体或软件媒体。此外，该媒体可以包括非传输型媒体或传输型媒体。在一个实例中，非传输型媒体可以包括计算机可读硬件媒体。计算机可读硬件媒体的特定实例可以包括(但不限于)磁性存储器件(例如，硬盘、软盘、磁带等)、光盘(例如，紧密光盘(CD)、数字多功能光盘(DVD)等)、智能卡以及快闪存储器(例如，卡、棒、键驱动)。计算机可读传输型媒体包括载波等。当然，本领域技术人员可以认识到在不偏离所公开发明范围或精神的前提下可以对此配置做出多种修改。
[0109]上文所描述的为本发明的实例。当然，应理解，出于描述本发明的目的，不可能将组件或方法的每一种可能的组合都描述出来，但是本领域技术人员可以认识到可以对本发明做出其他的组合和改变。因此，所公开的发明意图涵盖落入本发明精神和范围内的所有此类变更、修改和变化。另外，对于在【具体实施方式】或权利要求中所使用的术语“包括/包含”、“具有”等，此类术语在被用作权利要求中的过渡词时，当以包含性的方式来理解，与术语“包含”类似。
[0110]另外，本文中术语“示例性”意图指的是一个实例、示例或例证。在本文中被描述为“示例性”的任何方面或涉及并非一定比其他设计或方面更优选或更有优势。而是，使用术语“示例性”意图以具体形式呈现概念。如在本申请书中所使用，术语“或”用来指包含性的“或”，而非排他性的“或”。也就是说，除非文中另有说明，或从上下文中一目了然，“X使用A或B”意图表示自然的包含性改变中的任何一种。也就是说，如果X使用A，X使用B或X使用A和B两者，这些情况均满足“X使用A或B”。在说明书和权利要求书中的冠词“a/an( —应大体理解为表示一个或多个，除非另有说明或者从上下文中可以明确看出表示单数形式。
[0111]此外，【具体实施方式】的一些部分已经呈现为对在电子存储器内的数据位的算法或方法操作的形式。这些方法操作或表示为由本领域技术人员所使用的机制，用来将自身的工作有效地传达给同等技术水平者。此处的方法/过程应当理解为能够引出所要结果的自洽的动作序列。这些动作是需要对物理量进行物理操作的动作。通常，但并非必需，这些量可以采取能够存储、传递、组合、比较和/或以其他方式操作的电信号或磁信号的形式。
[0112]主要出于常用的原因，将这些信号称作位、值、元件、符号、字符、术语、数字等，被证明是便捷的。但是，还应注意的是，所有这些术语和相似的术语应当与恰当的物理量相关联，或者仅仅是给这些量施加的便捷标签。除非另有指示或者从前述论述中一目了然，可以了解在本发明中，利用诸如处理、计算、复制、模拟、确定、传输等术语的论述指代处理系统和/或相似的消费型或产业型电子器件或机器的动作和方法，将在电子器件的电路、寄存器或存储器内的被表示为物理量(电或电子的)的数据或信号，操作或变换成，在机器或计算机系统存储器或寄存器或其他此类信息存储、传输和/或显示器件内的以相似方式被表示为物理量的其他数据或信号。
[0113]对于由上述组件、架构、电路、过程等执行的各种功能，用于描述此类组件的术语(包括“构件”)意图对应(除非另有说明)于执行所述组件的特定功能的任何组件(例如，功能等效)，即使在结构上与所公开的结构在结构上不等效，只要能够执行在实施例的示例性方面中所述的功能即可。此外，当一个特定特征仅参考若干实施方案中的一个实施方案来公开时，此类特征可以与其他实施方案中的一个或多个其他特征进行组合，只要可以给任何给定或特定的应用满足需要或带来优势即可。还应认识到，本发明还包括系统以及具有用于执行各种过程的动作和/或事件的计算机可执行指令的计算机可读媒体。
【主权项】
1.一种对在与易失性选择器件电串联的非易失性存储器中存储的数据的感测方法，包括: 在该非易失性存储器的第一电极与第二电极之间施加第一电压，该第一电压具有大于该易失性选择器件的激活量值的量值，从而将该易失性选择器件从高选择电阻切换为低选择电阻； 在该第一电极与该第二电极之间施加第二电压，该第二电压具有小于该易失性选择器件的激活量值的量值；以及 响应于该非易失性存储器来确定由该非易失性存储器存储的数据值。2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加该第一电压还包括从约2伏特至约2.5伏特之间选择该第一电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加该第二电压还包括从约0.5伏特至约1.5伏特之间选择该第二电压。4.根据权利要求1所述的方法，其中，确定该数据值还包括测量响应于该第二电压通过该非易失性存储器的读取电流的值，以及通过该读取电流的值来确定该非易失性存储器的电阻状态；以及以下两者中的至少一者: 响应于该读取电流具有第一读取电流值而确定该电阻状态为高存储电阻；或 响应于该读取电流具有第二读取电流值而确定该电阻状态为低存储电阻。5.根据权利要求4所述的方法，其中，该第一读取电流值与该第二读取电流值的比值在约10E3至约10E4的范围之内。6.根据权利要求4所述的方法，其中: 响应于在该第一电极与该第二电极之间施加该第一电压，该非易失性存储器在导电状态下的通态电流值与该非易失性存储器在非导电状态下的断态电流值的通断读取电流比在约10E2至约10E3.5之间；以及 响应于在该第一电极与该第二电极之间施加该第二电压，该通态电流与该断态电流的通断读取电流比在约10E4.5至约10E9之间。7.根据权利要求4所述的方法，还包括在该第一电极与该第二电极之间施加预充电电压，该预充电电压具有低于该激活量值的第三量值。8.根据权利要求7所述的方法，其中，在施加该第一电压之前，实施施加该预充电电压。9.根据权利要求7所述的方法，其中，施加该预充电电压使得有初始电流通过该非易失性存储器，其中，该初始电流的值与该读取电流的值的比是在约10E6至约10E9的范围之内。10.根据权利要求7所述的方法，还包括施加该预充电电压持续一段时间，该时间选自约50纳秒(ns)至约200ns ο11.根据权利要求1所述的方法，还包括施加该第一电压持续一段时间，该时间选择约50ns 至约 200ns。12.—种电阻型存储器的一晶体管多电阻器(ITnR)的读取方法，包括: 对ITnR存储单元阵列的非目标位线施加干扰抑制电压； 对该ITnR存储单元阵列的非目标字线施加第二干扰抑制电压； 在该ITnR存储单元阵列的目标位线与目标字线之间施加激活电压，该目标位线与该目标字线分别连接到目标存储单元； 在该目标位线与该目标字线之间施加保持电压，该保持电压具有小于该激活电压的量值；以及 测量响应于施加该保持电压而通过该目标存储单元的读取电流值。13.根据权利要求12所述的方法，其中，施加该激活电压还包括施加在约2伏特至约3伏特范围内的电压。14.根据权利要求12所述的方法，其中，施加该保持电压还包括施加在约0.5伏特至约2伏特范围内的电压。15.根据权利要求12所述的方法，其中，施加该保持电压还包括将该激活电压，从约2.2伏特至约2.6伏特的第一范围，降低为，从约0.5伏特至约1.5伏特的第二范围。16.根据权利要求12所述的方法，其中，施加该干扰抑制电压或该第二干扰抑制电压还包括施加在约I伏特至约2伏特范围内的电压。17.根据权利要求12所述的方法，还包括在施加该激活电压之前，在该目标位线与该目标字线之间施加预充电电压。18.根据权利要求17所述的方法，还包括维持该预充电电压持续一段在约50纳秒(ns)至约200ns的时间。19.根据权利要求17所述的方法，还包括维持该激活电压持续一段在约50ns至约200ns的时间。20.根据权利要求12所述的方法，还包括对于测量响应于施加该保持电压的读取电流值，应用10E6或10E6以上的感测容限。
【专利摘要】本文提供一种对于非易失性电阻型存储器的改进感测方法，以实现更高的感测容限。该感测方法可以放大在该电阻型存储器内的易失性选择器器件的电流-电压特性。所公开的感测方法可以包括用激活电压来激活该选择器器件，然后将该激活电压降低至保持电压，在该保持电压处该选择器器件对于断态存储单元仍然使其失活，但对于通态存储单元仍然让其激活。因此，可以在电阻型存储器的感测方法中应用该选择器器件的极高的通断比特性，从而实现之前对于非易失性存储器无法实现的感测容限。
【IPC分类】G11C16/06, G11C16/26
【公开号】CN105244058
【申请号】CN201510395749
【发明人】赵星贤, H.纳扎里安, L.S.刘
【申请人】科洛斯巴股份有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年7月7日
【公告号】US20160005461