【具体实施方式】
[0048] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实 施方式对本发明作进一步详细的说明。
[0049] 本发明实施例提出一种针对每颗存储器芯片测试其操作电压的方法，可以在测试 中根据每颗存储器芯片的自身情况，单独测试编程/擦除/读取等操作对应的操作电压；上 述方法能够考虑到生产工艺波动性引起的芯片参数的差异性，能够为每颗芯片测试得到最 优的操作电压，而最优的操作电压能够在满足操作速度的要求下尽可能地减少对芯片中存 储单元的影响，以及尽可能小地减少芯片性能退化的速度，从而增加芯片的可靠性，因此， 本发明实施例能够在操作速度和可靠性两者间达到最好的平衡，从而获得更好的芯片性能 与生产良率。
[0050] 方法实施例一
[0051] 参照图1，示出了本发明的一种存储器芯片的测试方法实施例一的流程图，其具体 可以包括：分别利用预置的多个电压档位进行每颗存储器芯片的测试；
[0052] 本发明实施例可应用于存储器芯片的并行测试中，在并行测试时，待测存储器芯 片安装在探针台中，通过探针卡与测试机台相连，由测试机台通过执行测试指令以完成对 待测芯片的测试过程，其中，探针卡的探针与存储器芯片的引脚（pin) -一连接。
[0053] 本发明实施例的多个电压档位可于芯片设计阶段在存储器芯片内部预置得到，其 预置的基本原则可以包括：生产工艺波动所带来的最大程度的参数偏移。例如，某操作电压 的标准值为5V，那么，根据生产工艺波动，其最小值可以为4. 5V，最大值可以为5. 5V，那么， 电压档位的范围可以在4. 5V~5. 5V之间。参照表1，TK出了本发明实施例一种电压档位的 示意图，其具体包括VI、V2和V3三个电压档位，该三个电压档位对应的操作电压值分别为 4. 5V、5. OV 和 5. 5V。
[0057] 当然，上述表1所示电压档位只是作为示例，而不理解为本发明实施例的应用限 制。通常，电压档位的数量越多则测试的精细程度越好，但时间开销会增大，因此，本领域技 术人员可以根据实际需求确定电压档位的数量，如4档或8档等等，以在测试的精细程度和 开销间达到平衡。
[0058] 其中，所述每颗存储器芯片的测试过程具体可以包括：
[0059] 步骤101、从所述多个电压档位中选择一个未使用的电压档位，作为当前电压档 位；
[0060] 本发明实施例可以提供如下从所述多个电压档位中选择一个未使用的电压档位 的方案：
[0061] 选择方案一
[0062] 选择方案一可以按照从低到高的顺序从所述多个电压档位中选择一个未使用的 电压档位，作为当前电压档位。
[0063] 以上述表1为例，可以首先选择最低的电压档位Vl进行测试，若测试不通过，则需 要改变测试电压的条件，重新选择次低的电压档位V2进行测试，以此类推。
[0064] 选择方案二
[0065] 选择方案二可以按照从高到低的顺序从所述多个电压档位中选择一个未使用的 电压档位，作为当前电压档位。
[0066] 选择方案三
[0067] 选择方案三可以从所述多个电压档位中随机选择一个未使用的电压档位，作为当 前电压档位。
[0068] 总之，本发明实施例中，上述选择方案的目的是从所述多个电压档位中选择一个 未使用的电压档位用于测试，以寻找适合当前存储器芯片的最优操作电压，而不会对具体 的选择方案加以限制。
[0069] 步骤102、利用所述当前电压档位对当前存储器芯片进行测试；
[0070] 步骤103、判断该当前存储器芯片是否测试通过；
[0071] 通常来说，若测试得到的结果是存储器芯片可以正常工作且各项工作指标可以满 足要求，则认为是测试通过。本发明实施例可以提供如下判断该当前存储器芯片是否测试 通过的方案：
[0072] 方案一
[0073] 方案一依据测试时间的长短判断该当前存储器芯片是否测试通过，具体地，判断 该当前存储器芯片在预置时间内是否到达了预置的操作状态，若是，则测试通过，否则测试 不通过。
[0074] 举例说明，比如对存储器芯片内部进行块擦除，假设测试目标要求是在2ms以内， 那么上述预置时间可以为I. 5ms，如果在I. 5ms内存储器芯片还在进行块擦除，或者I. 5ms 后读取存储器芯片发现数据不是预想的擦除状态，那么就认为测试不通过，反之则是测试 通过。其中，预想的擦除状态可以是反复试验测试出来的最优状态，其可以作为判断是否测 试通过的有效依据。
[0075] 方案二
[0076] 方案二可以依据电压脉冲数目判断该当前存储器芯片是否测试通过，具体地，判 断该当前存储器芯片在操作结束时是否产生了预置的电压脉冲数目，若是，则测试不通过， 否则测试通过。
[0077] 通常在存储器芯片中的各种操作是通过各种电压脉冲实现的，每次电压脉冲均有 一个固定的时间，而预置的电压脉冲数目可以表示每次操作所需的最大电压脉冲数目，其 可以在存储器芯片外部进行配置。在实际应用中，在操作结束时，可以在存储器芯片外部读 取存储器芯片内部的电压脉冲数目，并将所读取的电压脉冲数目与所配置的电压脉冲数据 进行比较。以存储器芯片内部的块擦除为例，如果20个电压脉冲数目是测试目标要求，那 么，上述预置的电压脉冲数目可以为10,这样，在擦除结束时，读取存储器芯片内部的电压 脉冲数目，若达到预置的电压脉冲数目，则认为使用当前的操作电压产生的操作速度太慢 而无法满足测试要求，因此会认定为测试不通过。
[0078] 上面对判断该当前存储器芯片是否测试通过的两种方案进行了详细介绍，本领域 技术人员可以根据需要采取任一，以有效地对存储器芯片的操作电压是否合适进行判断。
[0079] 步骤104、若测试通过，则依据所述当前电压档位确定该当前存储器芯片的操作电 压；
[0080] 步骤105、若测试不通过，则重新执行所述从所述多个电压档位中选择一个未使用 的电压档位的步骤101。
[0081] 总之，本发明实施例可以在测试中根据每颗存储器芯片的自身情况，单独测试编 程/擦除/读取等操作对应的最合适和最优的操作电压；上述最合适和最优的电压将会用 于后续的其它测试任务及用户使用过程，且能够在满足操作速度的要求下尽可能地减少对 芯片中存储单元的影响，以及尽可能小地减少芯片性能退化的速度，从而增加芯片的可靠 性。
[0082] 方法实施例二
[0083] 参照图2,示出了本发明的一种存储器芯片的测试方法实施例二的流程图，其具体 可以包括：分别利用预置的多个电压档位进行每颗存储器芯片的测试；
[0084] 其中，所述每颗存储器芯片的测试过程具体可以包括：
[0085] 步骤201、从所述多个电压档位中选择一个未使用的电压档位，作为当前电压档 位；
[0086] 步骤202、利用所述当前电压档位对当前存储器芯片进行测试；
[0087] 步骤203、判断该当前存储器芯片是否测试通过；
[0088] 步骤204、若测试通过，则依据所述当前电压档位确定该当前存储器芯片的操作电 压；
[0089] 步骤205、在测试通过时，将该当前存储器芯片归属至所述当前电压档位对应的测 试通过类别中；
[0090] 步骤206、若测试不通过，则重新执行所述从所述多个电压档位中选择一个未使用 的电压档位的步骤201。
[0091] 相对于实