施例一，本实施例还可以在测试通过时，将该当前存储器芯片归属至所 述当前电压档位对应的测试通过类别中。上述归类具有重要的工程意义，例如，可用于工程 上统计存储器芯片对应的电压档位，以便于调整生产工艺或者设计条件。
[0092] 以上述表1为例，如果当前电压档位为VI，那么，可以将当前测试通过的存储器芯 片均归类到Bin 1类别中；如果当前电压档位为V2,那么，可以将当前测试通过的存储器芯 片均归类到Bin 2类别中；如果当前电压档位为V3,那么，可以将当前测试通过的存储器芯 片均归类到Bin 3类别中等等。
[0093] 在本发明的一种优选实施例中，所述方法还可以包括：当测试通过且所述多个电 压档位均使用完毕时，将该当前存储器芯片归属至所述当前电压档位对应的测试不通过类 别中。
[0094] 假设电压档位的数目为n，那么，对于η次测试后仍然无法通过测试的存储器芯 片，可以将其统一归类到Bin η+1类别中，Bin η+1类别中的芯片用于表示最终无法通过测 试的废片。
[0095] 方法实施例三
[0096] 参照图3,示出了本发明的一种存储器芯片的测试方法实施例三的流程图，其具体 可以包括：分别利用预置的多个电压档位进行每颗存储器芯片的测试；
[0097] 其中，所述每颗存储器芯片的测试过程具体可以包括：
[0098] 步骤301、从所述多个电压档位中选择一个未使用的电压档位，作为当前电压档 位；
[0099] 步骤302、利用所述当前电压档位对当前存储器芯片进行测试；
[0100] 步骤303、判断该当前存储器芯片是否测试通过；
[0101] 步骤304、若测试通过，则依据所述当前电压档位确定该当前存储器芯片的操作电 压；
[0102] 步骤305、将该当前存储器芯片的操作电压写入该当前存储器芯片中预留的只读 存储区域中；
[0103] 步骤306、若测试不通过，则重新执行所述从所述多个电压档位中选择一个未使用 的电压档位的步骤301。
[0104] 相对于实施例一，本实施例还可以将该当前存储器芯片的操作电压写入该当前存 储器芯片中预留的只读存储区域（ROM,Read-Only Memory)中，这些操作电压可以作为存储 器芯片的配置信息，以用于后续的其它测试任务及用户使用过程。
[0105] 在本发明的一种应用示例中，存储器芯片内部可以有译码，那么，存入ROM的一般 则是操作电压对应的一组代码，如〇〇代表4. 5V，01代表5. 0V，10代表5. 5V，11代表6. OV 等等。
[0106] 为使本领域技术人员更好地理解本发明，参照图4,示出了本发明实施例一种存储 器芯片的测试流程示意图，其中，
[0107] 存储器芯片出厂后，存储器芯片内部的配置信息属于初始状态，即图中的Initial 状态；
[0108] 假设首先采用低的电压档位Vl进行测试，若测试得到的结果是存储器芯片可以 正常工作且各项工作指标可以满足要求，则认为测试通过，即图中所示的P，则将测试通过 的存储芯片归类到Bin 1中，并将相应操作电压的配置信息写入存储器芯片中预留的ROM ;
[0109] 若测试得到的结果是存储器芯片不能正常工作或是各项工作指标不是很好，则 认为测试不通过，即图中的F，则要改变测试电压的条件，即用电压档位V2进行测试，若测 试通过，则将测试通过的存储器芯片归类到Bin 2中，并将相应操作电压的配置信息写入 ROM ；
[0110] 对于测试不通过的存储器芯片，可以进一步改变测试电压的条件，以此类推，进行 多次测试，为每颗芯片寻找其最适宜的操作电压；
[0111] 对于η次测试后仍然无法通过测试的存储器芯片，可以将其统一归类到Bin n+1 类别中，Bin n+1类别中的芯片用于表示最终无法通过测试的废片。
[0112] 需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组 合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依 据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该 知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施 例所必须的。
[0113] 装置实施例
[0114] 参照图5,示出了本发明的一种存储器芯片的测试装置实施例的结构图，其可用于 分别利用预置的多个电压档位进行每颗存储器芯片的测试；
[0115] 所述测试装置具体可以包括：
[0116] 选择模块501，用于从所述多个电压档位中选择一个未使用的电压档位，作为当前 电压档位；
[0117] 测试模块502,用于利用所述当前电压档位对当前存储器芯片进行测试；
[0118] 判断模块503,用于判断该当前存储器芯片是否测试通过；
[0119] 确定模块504,用于在测试通过时，依据所述当前电压档位确定该当前存储器芯片 的操作电压；
[0120] 触发模块505,用于在测试不通过时，触发所述选择模块重新执行所述从所述多个 电压档位中选择一个未使用的电压档位的操作。
[0121] 在本发明的一种优选实施例中，所述判断模块503具体可以包括：
[0122] 第一判断子模块，用于判断该当前存储器芯片在预置时间内是否到达了预置的操 作状态，若是，则测试通过，否则测试不通过；和/或
[0123] 第二判断子模块，用于判断该当前存储器芯片在操作结束时是否产生了预置的电 压脉冲数目，若是，则测试不通过，否则测试通过。
[0124] 在本发明的另一种优选实施例中，所述选择模块501具体可以包括：
[0125] 第一选择子模块，用于按照从低到高的顺序从所述多个电压档位中选择一个未使 用的电压档位，作为当前电压档位；或者
[0126] 第二选择子模块，用于按照从高到低的顺序从所述多个电压档位中选择一个未使 用的电压档位，作为当前电压档位；或者
[0127] 第三选择子模块，用于从所述多个电压档位中随机选择一个未使用的电压档位， 作为当前电压档位。
[0128] 在本发明的再一种优选实施例中，所述测试装置还可以包括：用于在测试通过时， 将该当前存储器芯片归属至所述当前电压档位对应的测试通过类别中的第一归类模块。
[0129] 在本发明的一种优选实施例中，所述测试装置还可以包括：用于当测试通过且所 述多个电压档位均使用完毕时，将该当前存储器芯片归属至所述当前电压档位对应的测试 不通过类别中的第二归类模块。
[0130] 在本发明实施例中，优选的是，所述测试装置还可以包括：用于将该当前存储器芯 片的操作电压写入该当前存储器芯片中预留的只读存储区域中的写入模块。
[0131] 对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关 之处参见方法实施例的部分说明即可。
[0132] 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与 其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
[0133] 本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算 机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和 硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可 用程序代码的计算机可用存储介质（包