.本发明涉及一种非易失性存储器及其内部电路，且特别涉及一种可处于闲置模式(idlemode)下的非易失性存储器(non-volatilememory)及其相关的电压检测电路。.众所周知，非易失性存储器(non-volatilememory)已经非常广泛的应用于各种电子产品。在低功耗(...

存储器件.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--和于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的权益，这些韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文以用于所有目的。.本发明构思涉及一种存储器件。.存储器件是用于存储数据的器件并且在...

mram芯片的阵列结构.本发明涉及磁性随机存储器(mram)，尤其涉及一种mram芯片的阵列结构。.磁性随机存储器(mram)具有读写速度快，功耗低，集成度高，耐擦写次数高，可与cmos工艺集成等特点，是极具潜力的新型存储器。.mram芯片包括阵列区和逻辑区，mtj阵列区集...

.本发明涉及存储领域，特别是涉及一种存储器及其读电路。.变阻式存储器的存储机制是基于其存储器件在低阻态和高阻态之间相互转变实现的。变阻式存储器中包含多个存储单元，每个存储单元又包含多个存储位元(用于存储一个二进制位)，每个存储单元内的所有存储位元同时进行读出或写入操作。如图所示，变阻式存储...

.本申请涉及存储，特别涉及一种随机存储器及其位线处理电路。.存储器的存储阵列包括多条字线(wl，wordline)、多对互补位线(bl/bl#，bitline)和多个存储单元，每个存储单元分别连接一条字线wl和一对互补位线对(bl/bl#)。.在读/写操作完成后，由于读写都会对...

.本公开涉及存储器，具体而言，涉及一种动态随机存取存储器装置及动态随机存取存储器装置的设计方法。.随着市场需求层出不穷，芯片迭代更新速度加快，为适应因不同产品性能取向产生的版图架构、引脚位置、布线方式等变化，往往需要基于一个基础电路开发不同型号的产品。.相关技术中的动态随机存取存储...

.本申请属于车辆控制，特别是涉及一种音频播放方法、电子设备和存储介质。.目前，乘客在听音频时对音质的要求越来越高，因此常常通过移动终端连接车载蓝牙播放音频，保证在相对封闭的车辆空间内，音效音量可以达到乘客需求。.相关技术中，在移动终端与车辆进行蓝牙连接的过程中，如果移动终端接收到来...

.本发明涉及存储，尤其涉及一种磁存储结构及基于其的探知干扰方法。.磁性随机存储器，在高温、高强度磁场等恶劣环境下，存储在其内的数据存在被改写的可能。目前为了应对此类情况的发生，主要采用如下的两种技术思路。第一种，从防护角度考虑，增加抗磁、抗高温防护材料、结构等进行抗磁包含，例如抗磁...

.本发明涉及一种电脑装置、设定方法以及设置于电脑装置中的主机板，且特别涉及一种能够执行超频的电脑装置、存储器模块的设定方法以及主机板。.使用者可对电脑装置中的存储器模块进行超频(overclocking)，以提升电脑装置的工作效能。一般而言，关于超频的存储器设定参数被表列为极致存储器设定文...

一种ssd固态硬盘的多功能散热系统.本发明属于散热系统，涉及一种ssd固态硬盘的多功能散热系统。.固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与传统硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与传统硬盘一致...

.本申请涉及忆阻器，尤其涉及一种忆阻电路及集成电路。.在集成电路领域，芯片集成度主要可以由信息存储密度来描述。一方面，在不改变原有存储形式的前提下，减小器件的特征尺寸从而提高整个电路芯片的信息存储密度；另一方面，在不改变原有器件的特征尺寸的前提下，将二值数据存储/运算改为多值数据存...

一种ram检测方法、装置及压缩机设备.本发明涉及压缩机控制，具体而言，涉及一种ram(randomaccessmemory，随机存取存储器)检测方法、装置及压缩机设备。.根据一些安规要求，软件需要做实时微电子检测，即对芯片内部的各个处理模块进行检测，其中包括ram检测。...

.本发明涉及一种用于非易失性存储器的感测放大器架构。.在例如pcm(相变存储器)，st－ram(磁阻式随机存取存储器)，rram(电阻式随机存取存储器)的非易失性存储器中，所存储的信息与存储器单元的不同物理状态相关联；可通过对流经存储器单元的电流进行操作来推断/改变此类状态。.特别地，在p...

.本公开的实施例涉及用于以编解码(coded)方式将信息存储在非易失性存储器单元中的技术。.在非易失性存储器中，物理信号的强度可以在写入数据的寿命期间显著变化。例如，在被编程多年后，具有逻辑值一的单元能够生成比写入数据之后不久经历的电流低得多的电流。该问题能够通过差分编码来解决，即，通过不...

存储器件.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。.本公开的示例实施例涉及存储器件。.半导体存储器件可以包括易失性存储器件和非易失性存储器件，在易失性存储器件中，在切断对其的供电时...

.本发明系关于存储器控制，且尤指一种借助缓冲器使用减少控制(bufferusagereductioncontrol)来进行一存储器装置的存取管理的方法以及相关装置(例如存储器装置或其中的存储器控制器)。.存储器技术的发展使得各种不同的可携式或不可携式存储器装置(例如分别符合sd/mm...

.说明书提出一种扫描存储器中坏块的方法，特别是一种通过改变存储器读取指令以有效缩短坏块扫描时间的存储器坏块扫描方法及其电路系统。.在非挥发性存储器(non-volatilememory)的类别中的闪存包括反及闸闪存(nandflashmemory)与或闸闪存(norflashme...

mram芯片及mram芯片阵列短路位置的测试方法.本发明涉及存储器，尤其涉及一种mram芯片及mram芯片阵列短路位置的测试方法。.磁性随机存储器(magneticrandomaccessmemory，mram)是一种极具潜力的新型存储器，该存储器具有电路设计简单，读...

.本发明涉及一种信息闩锁电路，尤其涉及一种反熔丝装置。.反熔丝(anti-fuse)可以被应用于各种电子电路中，以闩锁不同信息(反熔丝闩锁信息)。例如，动态随机存取内存(dynamicrandom-accessmemory，dram)芯片使用反熔丝来决定开(turnon)哪一条冗余列...

.本发明有关于一种具有存储器内运算(in-memory-computing(imc))的存储器装置及其操作方法。.人工智能(ai)已在许多领域中成为高度有效解决方案。ai的关键操作在于对大量的输入数据(如输入特征图(inputfeaturemaps))与权重值进行乘积累加运算(mult...